工程師對電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當從基于硅的芯片過渡到碳化硅或寬帶隙器件時，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導體比寬帶隙（WBG）半導體具有十多年的領先優(yōu)勢，主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:53
3291 
隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體技術的時機已經成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的理論極限，進一步發(fā)展只是以緩慢和高成本實現(xiàn)微小
2023-10-25 16:24:43949 
在2012年，整體的電子元器件行業(yè)形勢不佳，尤其是半導體芯片庫存積壓過多，而在今年陸續(xù)有聽說行業(yè)有緩和跡象，不知半導體的發(fā)展將如何呢？
2013-02-27 14:12:58
等公司是這一歷史階段的先驅?，F(xiàn)在，ASIC 供應商向所有人提供了設計基礎設施、芯片實施和工藝技術。在這個階段，半導體行業(yè)開始出現(xiàn)分化。有了設計限制，出現(xiàn)了一個更廣泛的工程師社區(qū)，它們可以設計和構建定制
2024-03-13 16:52:37
公司是這一歷史階段的先驅?，F(xiàn)在，ASIC 供應商向所有人提供了設計基礎設施、芯片實施和工藝技術。在這個階段，半導體行業(yè)開始出現(xiàn)分化。有了設計限制，出現(xiàn)了一個更廣泛的工程師社區(qū)，它們可以設計和構建定制
2024-03-27 16:17:34
半導體技術在汽車動力系統(tǒng)中的應用是什么？
2021-05-18 06:09:40
請教下以前的[半導體技術天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導體技術是如何變革汽車設計產業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
減小這些解決方案的尺寸、重量和功率。本文將簡要介紹現(xiàn)有的天線解決方案以及電控天線的優(yōu)勢所在。在此基礎上，本文將介紹半導體技術的發(fā)展如何幫助實現(xiàn)改進電控天線SWaP-C這一目標，然后舉例說明ADI技術如何做到這一點。
2021-01-20 07:11:05
最終減小這些解決方案的尺寸、重量和功率。本文將簡要介紹現(xiàn)有的天線解決方案以及電控天線的優(yōu)勢所在。在此基礎上，本文將介紹半導體技術的發(fā)展如何幫助實現(xiàn)改進電控天線SWaP-C這一目標，然后舉例說明ADI技術如何做到這一點。
2021-01-05 07:12:20
本文將簡要介紹現(xiàn)有的天線解決方案以及電控天線的優(yōu)勢所在。在此基礎上，本文將介紹半導體技術的發(fā)展如何幫助實現(xiàn)改進電控天線SWaP-C這一目標，然后舉例說明ADI技術如何做到這一點。
2021-06-17 07:21:44
的火花,即450mm及EUV 光刻 機。在LinkedIn半導體制造小組中近期從一家成員公司偶然提出一個問題讓我產生了思考。當經濟處于復蘇的好時機時會改潿雜詿50mm硅片的看法嗎？WWK的總裁David Jimenez回答了它的問題。設備制造商會愿意更多的投資來發(fā)展450mm設備？傳感技術
2010-02-26 14:52:33
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認知無線電（名詞解釋） 4半導體工藝的4個主要步驟： 4簡敘半導體光刻技術基本原理 4給出4個全球著名的半導體設備制造商并指出其生產的設備核心技術： 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
半導體制冷片是利用半導體材料的Peltier效應而制作的電子元件，當直流電通過兩種不同半導體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現(xiàn)制冷的目的。它是一種產生負熱阻的制冷技術，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導體制冷片的工作原理是什么？半導體制冷片有哪些優(yōu)缺點？
2021-02-24 09:24:02
作為通訊乃至軍事行業(yè)的技術支撐者，半導體廠商曾經離家用電器行業(yè)很“遠”，而現(xiàn)在，隨著家電應用市場和功能的擴展，消費者對家電產品的質量和技術的要求越來越高，半導體廠商轉身成為了家電變頻技術的競技者
2019-06-21 07:45:46
業(yè)界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導體材料半導體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
半導體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初，就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用，是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
激光器分類二、半導體激光器技術發(fā)展情況自1962年發(fā)明了世界上第一臺半導體激光器以來，半導體激光器發(fā)生了巨大的變化，極大地推動了其他科學技術的發(fā)展。近年來用于信息技術領域的小功率半導體激光器發(fā)展極快。如用
2019-04-01 00:36:01
增長率高達15％，占據(jù)了激光器整體市場份額的四成，是絕對的主導地位。2012－2017年全球半導體激光器市場規(guī)模及增長率（單位：億美元）圖片來自OFweek產業(yè)研究院技術發(fā)展 應用領域延伸隨著半導體技術
2019-05-13 05:50:35
國際半導體芯片巨頭壟斷加劇半導體芯片產業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢
2021-02-04 07:26:49
寬帶隙器件的技術優(yōu)勢實際應用中的寬帶隙功率轉換
2021-02-22 08:14:57
帶隙高于硅半導體的新型材料可縮減芯片尺寸，同時保持相同的隔離電壓。 較小的芯片產生較低的寄生電容，并降低了晶體管柵極電荷 (Qg) 及輸出電容 (Coss)。相比于標準的硅 MOSFET，在給定的頻率
2022-11-16 06:48:11
來源:半導體器件應用網 www.ic.bit-bit.com原創(chuàng)摘要：2011年轉眼即逝，縱觀2011年，企業(yè)在半導體行業(yè)的市場有著怎么樣的發(fā)展呢？為適應市場需求，半導體器件市場出現(xiàn)了哪些新的技術
2011-12-08 17:24:00
水平，購買或者開發(fā)EUV光刻機是否必要？中國應如何切實推進半導體設備產業(yè)的發(fā)展？EUV面向7nm和5nm節(jié)點所謂極紫外光刻，是一種應用于現(xiàn)代集成電路制造的光刻技術，它采用波長為10～14納米的極紫外光作為
2017-11-14 16:24:44
和 102 之間變化Q cm（硅的電阻率在 0.1 到 60 Qcm 之間）。半導體介于絕緣體和導體之間，因為它們的帶隙（價帶最高能級與電導帶最低能級之間的能量差）相對較小。分子軌道理論指出，當原子
2021-07-01 09:38:40
鎵和碳化硅的各種蝕刻劑，包括水性無機酸和堿溶液以及熔融鹽。濕法刻蝕在寬帶隙半導體技術中有多種應用，包括缺陷裝飾、通過產生特征凹坑或小丘識別極性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。對于氮化鎵
2021-10-14 11:48:31
使用這些納米線陣列，可以實現(xiàn)寬帶光捕獲。接觸電極，如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅，對具有不同帶隙的半導體納米線太陽能電池器件的影響，重點是光吸收。雖然傳統(tǒng)的導電氧化物材料，如氧化銦錫 (ITO
2021-07-09 10:20:13
在研究雷達探測整流器時，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結效應，1958年美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管，標志著電力電子技術的誕生。從此功率半導體器件的研制及應用得到了飛速發(fā)展，并快速成長為
2019-02-26 17:04:37
滿足市場需求，使用硅的新器件年復一年地實現(xiàn)更大的功率密度和能效，已經越來越成為一個巨大的挑戰(zhàn)。從本質上講，芯片的演進已經接近其基礎物理極限。但是，為什么說寬帶隙半導體的表現(xiàn)已經超越了硅呢？
2019-07-30 07:27:44
長期演進（LTE）等4G技術的發(fā)展，分立技術在通信領域中正變得越來越少見。事實上許多人相信，智能手機的普及敲響了手持通信產品中分立實現(xiàn)技術的喪鐘。這也是為什么大家說，移動終端發(fā)展引領了半導體工藝新方向。
2019-08-02 08:23:59
阻使這些材料成為高溫和高功率密度轉換器實現(xiàn)的理想選擇 ［4］。 為了充分利用這些技術，重要的是通過傳導和開關損耗模型評估特定所需應用的可用半導體器件。這是設計優(yōu)化開關模式電源轉換器的強大
2023-02-21 16:01:16
去的三十年里，III-V 技術（GaAs 和InP）已經逐漸擴大到這個毫米波范圍中。新近以來，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術已經加入了這個“游戲”。在本文中，按照半導體特性和器件要求，對可用
2019-07-31 07:43:42
隨著密集波分復用（DWDM）技術、光纖放大技術，包括摻鉺光纖放大器（EDFA）、分布喇曼光纖放大器（DRFA）、半導體放大器（SOA）和光時分復用（OTDM）技術的發(fā)展和廣泛應用，光纖通信技術不斷
2019-10-17 06:52:52
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
醫(yī)療將帶動半導體產業(yè)的發(fā)展 英特爾的首席執(zhí)行官貝瑞特表示，通過發(fā)現(xiàn)癌癥和微芯片
2008-08-20 11:31:38
（GaN）寬帶隙器件，助力開發(fā)先進、高能效的下一代電動車（EV）和混合動力電動車（HEV），實現(xiàn)更高的安全性、智能性和每次充電后更遠的續(xù)航里程。 此次安森美半導體與奧迪的全新合作將加快開發(fā)進程，打造自動駕駛系統(tǒng)和汽車功能電子化的全新性能，推進汽車領域的變革。
2018-10-11 14:33:43
安森美半導體應用于物聯(lián)網的成像技術和方案分享
2021-05-31 07:07:32
全球汽車市場發(fā)展整體向好，汽車中的半導體含量將持續(xù)增長，尤其是動力系統(tǒng)、照明、主動安全和車身應用領域。新能源汽車推動汽車動力系統(tǒng)中半導體成分增高約5倍。燃油經濟性、先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、便利及信息娛樂系統(tǒng)，以及占全球汽車銷售比例50%以上的新興市場，推動全球汽車半導體市場同比增長7%。
2020-05-04 06:30:06
文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導體技術和CAD技術，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點。近年來，無線通信市場的蓬勃發(fā)展，特別是移動電話、無線
2019-07-05 06:53:04
半導體元器件是用半導體材料制成的電子元器件，隨著電子技術的飛速發(fā)展，各種新型半導體元器件層出不窮。半導體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學習電子技術必須首先了解半導體元器件的基本結構和工作原理
2008-05-24 10:29:38
完善IC產業(yè)鏈出發(fā)調整相關政策，鼓勵發(fā)展新型電子設備、電子材料；對于高起點、高技術的產品予以優(yōu)惠政策使其產業(yè)化、避免低水平的重復建設，以此推動我國半導體封裝業(yè)的發(fā)展。3．3 注重新事物新技術的應用在
2018-08-29 09:55:22
時代。當前全球LED產業(yè)處于飛速發(fā)展階段，我國半導體照明產業(yè)進入自主創(chuàng)新發(fā)展時期，今年以來，半導體照明市場呈現(xiàn)高速增長態(tài)勢。加之國家對節(jié)能環(huán)保政策推動，技術進步使得價格降低，市場需求連年上升，驅動
2016-03-03 16:44:05
尊敬的先生/女士，我想找出所有VIRTEX-6的半導體安裝技術，是倒裝芯片安裝技術的芯片嗎？謝謝問候，缺口
2020-06-15 16:30:12
文/編譯楊碩王家農在網絡無處不在、IP無處不在和無縫移動連接的總趨勢下，國際半導體技術路線圖(ITRS)項目組在他們的15年半導體技術發(fā)展預測中認為，隨著技術和體系結構推進“摩爾定律”和生產力極限
2019-07-24 08:21:23
帶隙高于硅半導體的新型材料可縮減芯片尺寸，同時保持相同的隔離電壓。 較小的芯片產生較低的寄生電容，并降低了晶體管柵極電荷 (Qg) 及輸出電容 (Coss)。相比于標準的硅 MOSFET，在給定的頻率
2018-08-30 14:43:17
智能傳感器技術-隨著半導體集成技術的發(fā)展，微處理器和存儲器不斷進步，敏感元件與信號處理電路有可能集成在同一芯片上，故智能傳感器將成為現(xiàn)實。智能化傳感器是一種帶微處理器的，兼有信息檢測、信息處理、信息記憶、邏輯思維與判斷功能的傳感器。以下重點探討智能傳感器的應用和發(fā)展。
2020-04-20 07:24:17
未來半導體照明市場競爭激烈，將如何發(fā)展呢？哪部分照明將占主要部分呢？依業(yè)內人士推測，通用照明將是未來半導體照明市場最大部分?！⊥ㄓ谜彰靼ㄊ覂日彰骱褪彝庹彰鲀纱箢?。這兩類應用都要求燈具具有高發(fā)光效率
2013-10-10 18:01:59
半導廠商如何跟汽車工業(yè)打交道？未來車用半導體廠商誰來扮演？
2021-05-14 07:19:40
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
“通過創(chuàng)新，電子系統(tǒng)將使汽車可以自動操作，使其更加安全、舒適和高效”。飛思卡爾半導體汽車及標準產品部亞太地區(qū)市場總監(jiān)Allen Kwang高度評價汽車電子的創(chuàng)新意義。而汽車電子創(chuàng)新顯然與動力、底盤、安全、車身、信息娛樂系統(tǒng)發(fā)展趨勢息息相關。
2019-07-24 07:26:11
、高頻率等方面特有的優(yōu)勢，在信息通信、光電應用以及新能源汽車等產業(yè)中有著不可替代的地位?！ 《嗄暌詠?，世界各國始終對化合物半導體保持高度重視，出臺相關政策支持本國產業(yè)的發(fā)展，2017年美國、德國、歐盟
2019-06-13 04:20:24
本人在半導體研究所工作多年，目前自己成立公司，希望能申請半導體技術論壇的版主！謝謝
2009-12-22 09:14:02
希爾頓酒店）盛大召開，會期持續(xù)兩天半，參會者近千人，該論壇為海內外眾多半導體照明行業(yè)人士提供了全球性、全產業(yè)鏈、高層次的交流平臺。 本次論壇峰會以“協(xié)同創(chuàng)新 融通發(fā)展”為主題，涉及生物農業(yè)光照明技術、光
2017-11-03 14:14:29
半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發(fā)展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當中
2016-11-27 22:34:51
請問一下半導體發(fā)展至今經歷了什么？
2021-06-17 08:10:52
，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
怎樣通過ASV技術去生成準確的3D深度圖？采用艾邁斯半導體的ASV技術有什么特點？
2021-07-09 06:25:46
在功率轉換應用中，使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料的寬帶隙（WBG）半導體器件作為開關，能讓開關性能更接近理想狀態(tài)。相比硅MOSFET或IGBT，寬帶隙器件的靜態(tài)和動態(tài)損耗都更低。此外還有
2023-02-05 15:16:14
什么是寬帶隙半導體材料
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可
2010-03-04 10:32:487180 2018年寬帶隙基準源半導體市場與技術發(fā)展趨勢
2018-02-06 14:41:13
5 正是由于帶隙，使得半導體具備開關電流的能力，以實現(xiàn)給定的電子功能;畢竟，晶體管僅僅是嵌入在硅基襯底上的微型開關。更高的能量帶隙賦予了WBG材料優(yōu)于硅的半導體特性。 相較于硅器件，WBG器件可以在較小
2019-08-28 12:31:068783 
近日，為了促進寬帶隙（WBG）半導體技術的發(fā)展，IEEE電力電子學會（PELS）發(fā)布了寬帶隙功率半導體（ITRW）的國際技術路線圖。
2020-04-13 16:01:314783 摘要：傳統(tǒng)硅基MOSFET技術日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導體的電、熱和機械特性更好，能夠提高MOSFET的性能，是一項關注度很高的替代技術。 商用硅基功率MOSFET已有近40年
2020-09-18 17:08:332192 尋找硅替代物的研究始于上個世紀的最后二十年，當時研究人員和大學已經對幾種寬帶隙材料進行了試驗，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導體的現(xiàn)有硅材料技術的巨大潛力。應用程序。在新世紀即將來臨
2021-04-01 14:10:192216 
寬帶隙 （WBG） 半導體器件的集成在多種技術應用中作為硅技術的替代品是一個不斷增長的市場，它可以提供效率和功率密度的改進，這對能源和成本節(jié)約有很大的影響 。WBG 具有顯著優(yōu)勢，例如更高的開關頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。
2022-04-22 17:01:511906 
眾所周知，與硅相比，碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 等寬帶隙 （WBG） 半導體可提供卓越的性能。這些包括更高的效率、更高的開關頻率、更高的工作溫度和更高的工作電壓。
2022-04-22 17:07:541815 
以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蝕刻，但是III族氮化物和SiC非常難以濕法蝕刻，并且通常使用干法蝕刻。已經研究了用于GaN和SiC的各種蝕刻劑，包括含水無機酸和堿溶液，以及熔融鹽。濕法蝕刻對寬帶隙半導體技術具有多種應用，包括缺陷裝飾、通過產生特征凹坑或小丘來識
2022-07-06 16:00:211968 
寬帶隙 (WBG) 半導體，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已經終結了硅在電力電子領域的主導地位。自硅問世以來，WBG 半導體被證明是電力電子行業(yè)最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術相比
2022-07-27 15:11:441427 了解半導體價帶和導帶的形成機制對于新材料生產的潛在技術影響至關重要。這項工作提出了一種寬帶隙計算模型，突出了理解能帶結構的理論困難，然后將其與實驗數(shù)據(jù)進行了比較。
2022-07-29 11:18:02917 
用電動汽車市場的爆炸式增長。 在先進汽車技術論壇的電動汽車寬帶隙半導體小組會議上，三位行業(yè)專家討論了解決 GaN 和 SiC 當前挑戰(zhàn)和未來機遇的努力。 把握電氣化勢頭 在清潔能源領域，電動汽車市場是迄今為止最具活力的。 2012 年，全球售出約 130,000 輛電動汽車
2022-07-29 12:06:00515 使用寬帶隙半導體的技術可以滿足當今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義，它們具有更大的帶隙，因此各種電子設備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 是最近推出的寬帶隙
2022-07-29 08:06:461597 
寬帶隙 (WBG) 半導體極大地影響了使用它們的設備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導體價帶的最高占據(jù)態(tài)移動到導帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。
2022-07-29 15:10:451803 對硅替代品的探索始于上個世紀的最后二十年，當時研究人員和大學對幾種寬帶隙材料進行了試驗，這些材料顯示出在射頻、發(fā)光、傳感器和功率半導體等領域替代現(xiàn)有硅材料技術的巨大潛力應用程序。在新世紀之初，氮化鎵
2022-08-05 11:58:28710 
寬帶隙半導體 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，與硅相比具有更出色的性能：更高的效率和開關頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV 和 HEV 包括幾個功率轉換階段，累積功率損耗
2022-08-08 10:21:49768 
自硅問世以來，寬帶隙半導體，如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被證明是電力電子領域最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術相比，這些材料具有多個優(yōu)勢，例如能夠管理高功率水平、對輻射不敏感、能夠在
2022-08-08 10:57:391244 
長期以來，硅基器件一直是半導體領域的基準標準。從 2007 年開始，由于摩爾定律的失敗，復合材料被開發(fā)出來，特別關注寬帶隙半導體，因為它們利用了重要的特性，與傳統(tǒng)的硅對應物（如電力電子）相比，它們可以實現(xiàn)具有卓越性能的器件。
2022-09-11 09:29:00453 
用于光電子和電子的寬帶隙和超寬帶隙半導體
2022-12-22 09:32:25780 寬帶隙增強功率轉換
2023-01-03 09:45:08355 集成寬帶隙(WBG)半導體器件作為硅技術在多種技術應用中的替代品，是一個不斷增長的市場，可以提供效率和功率密度的改善，在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。WBG具有更高的開關頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。繼續(xù)閱讀，了解更多關于基于WBG的半導體器件的廣泛應用。
2023-02-02 16:36:161587 寬帶隙半導體材料（如SiC）與更傳統(tǒng)的半導體材料（如Si）相比具有許多優(yōu)勢?？紤]帶隙隨著溫度升高而縮小的事實：如果我們從寬帶隙開始，那么溫度升高對功能的影響要小得多。由于SiC具有寬帶隙，因此它可以在更高的溫度下繼續(xù)工作，通常高達400°C。
2023-05-24 11:13:481640 調查結果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件，市場正在穩(wěn)步擴大。
2023-09-04 15:13:24523 
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優(yōu)勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路
2023-09-21 17:09:32471 
功率逆變器應用采用寬帶隙半導體器件時柵極電阻選型注意事項
2023-11-23 16:56:32401 
新的寬帶隙半導體技術提高了功率轉換效率
2023-11-30 18:00:18317 
解決方案（火車、飛機和輪船）。為了控制溫室氣體 (GHG) 排放并減緩全球變暖，我們需要既能最大限度提高效率，又能減少環(huán)境影響的解決方案。 寬帶隙 (WBG) 半導體具備多種特性，使得其對交通運輸應用具有很大吸引力。使用這些半導體可以打造更高效、更快速、更輕巧的汽車，
2024-02-13 16:38:00805 
全球領先的半導體制造商Nexperia今日宣布將投入高達2億美元(折合約1.84億歐元)的資金，以顯著擴大其位于德國漢堡工廠的寬帶隙(WBG)半導體研究、開發(fā)及生產能力。此次投資的核心聚焦于下一代
2024-07-15 17:02:3791 
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工商網監(jiān)
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