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深入解析MOS管的判別與導通條件
- 二極管(161030)
- MOS管(64251)
- 適配器(66832)
- 電壓(114339)
- 寄生二極管(3165)
相關(guān)推薦
MOS管的導通條件 MOS管的導通過程
MOS管的導通與截止由柵源電壓來控制，對于增強型MOS管來說，N溝道的管子加正向電壓即導通，P溝道的管子則加反向電壓。
2024-03-14 15:47:38
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MOS管導通電阻問題
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子，這是因為線性區(qū)的ID電流較大，同時RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應用手冊，上面提到的導通后RDS都是mΩ級別的，這個也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應該怎么計算呢？
2018-10-25 11:14:39
MOS管導通問題，關(guān)于Vds電壓得下線
（電阻有誤，請忽視大小，20K那個應該是10R左右）如圖所示電路，VD電壓在0.7V-0.3V之間，這種情況下，MOS管在開關(guān)按下時，能導通實現(xiàn)把這個0.7-0.3的電壓下拉嘛？
補充內(nèi)容 (2018-6-22 09:45):
圖上的那個MOS管型號實際為cj2302，導通電阻在50-80mR之間
2018-06-21 16:29:35
MOS管三個極與寄生二極管方向的判定
)時導通 總之，導通條件：|Ugs|>|Ugs(th)|5. 從MOS管實物識別管腳無論是NMOS還是PMOS 按上圖方向擺正，中間的一腳為D，左邊為G，右邊為S。 或者這么記：單獨的一腳為D
2023-02-10 16:17:02
MOS管為何沒導通負載端還有電壓？
MOS管是N溝道si2302，用人體感應模塊3.3V電壓控制柵極，負載電流260ma，導通后負載電壓11.3V。MOS管在沒有導通的情況下，測得負載端電壓5.3V，電流0，漏極跟柵極和源極分別有6.6V電壓。為何沒導通負載端還有電壓，這正常嗎
2021-08-26 08:33:43
MOS管主要參數(shù)
下 ，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導 ·gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù) ·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)6. 導通電
2012-08-15 21:08:49
MOS管并聯(lián)是什么意思
一、MOS管并聯(lián)理論：(1)、三極管(BJT)具有負的溫度系數(shù)，即當溫度升高時，導通電阻會變小。(2)、MOS管具有正的溫度系數(shù)，即當溫度升高時，導通電阻會逐漸變大。MOS管的這一特性適合并聯(lián)電路中
2021-10-29 07:04:37
MOS管開關(guān)怎么用
【1】NMOS管的主回路電流方向為D→S，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）【2】PMOS管的主回路電流方向為S→D，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5
2021-10-29 06:32:13
MOS管開關(guān)電路導通的問題
電壓是怎么來得？按理三極管不通，這電阻上應該沒有回路?。∵€有就是當MOS管導通時，VB基本等于VB1（VB1比VB小0.1V左右），請問為什么導通后電壓是小0.1v，而不是一直經(jīng)過二極管從2到3腳，也就是還是像沒導通時一樣VB1比VB小一個二極管的壓降呢？請問高手這個電路這樣用的目的是什么呢？
2018-11-30 10:36:38
MOS管開關(guān)電路特性及判斷使用-KIA MOS管
數(shù)字電路中MOS管常被用來作開關(guān)管，所以被廣泛應用在需要電子開關(guān)的電路中，根據(jù)構(gòu)成和導通特性可分為四類MOS管：g被稱為柵極，d為漏極，s為源極，B為襯底，在實際生產(chǎn)中，襯底與源極相連，所以MOS管
2019-01-28 15:44:35
MOS管漏源極導通的原因是什么？
普通N MOS管給柵極一個高電壓 ，漏極一個低電壓，漏源極就能導通。這個GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個4-10V的電壓，漏源極不能導通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
MOS管電路邏輯及MOS管參數(shù)
和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導。gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)。一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)?！ ?.導通電阻RON 導通電阻RON說明
2018-11-20 14:06:31
MOS管電路邏輯及MOS管參數(shù)
（增強型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS ID劇增的原因有下列兩個方面： ?。?）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿 ?。?）漏源極間的穿通擊穿 有些MOS管中，其
2018-11-20 14:10:23
MOS管的應用及導通特性和應用驅(qū)動電路的總結(jié)。
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
在使用MOS管設計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮
2012-12-18 15:37:14
MOS管的應用及導通特性和應用驅(qū)動電路的總結(jié)。
在使用MOS管設計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計
2012-11-12 15:40:55
MOS管的開通/關(guān)斷原理
原理，請看下圖：NMOS管的主回路電流方向為D→S，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為510V（G電位比S電位高）；而PMOS管的主回路電流方向為S→D，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5...
2021-10-28 08:37:47
MOS管的柵極電流怎么估算
張飛電子第四部，MOS管不像三極管的BE有固定壓降，所以不知道怎么計算。運放那邊輸出開路時，MOS管導通，具體是怎么工作的。1、剛開始，三極管基極電流怎么算，可以用15/(7.5K+2K)估計
2021-04-27 12:03:09
MOS管種類和結(jié)構(gòu)
` 在使用MOS管設計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為
2019-02-14 11:35:54
MOS管種類和結(jié)構(gòu)你知道多少
型號，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動
2021-01-11 20:12:24
MOS管問題，請問MOS是如何導通的呢？
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 編輯
四個MOS管這么排列，Q3Q4是打開，Q1Q2是關(guān)閉， 電源是12V為啥AB兩點的電壓也有11多V，MOS是如何導通的呢，體二極管也是對立的。
2018-05-31 19:41:07
MOS管防止電源反接的使用技巧
導通，所以 S 的電位大概就是 0.6V，而 G 極的電位，是 VBAT，VBAT-0.6V 大于 UGS 的閥值開啟電壓，MOS 管的 DS 就會導通，由于內(nèi)阻很小，所以就把寄生二極管短路了，壓降
2020-11-16 09:22:50
MOS管驅(qū)動波形和導通波形不對 ，還有尖峰
`到驅(qū)動波形Vgs關(guān)閉的時候Vds仍然導通導致，沒有死區(qū)時間 下面是波形 我母線通電30V電壓來測試的CH1是Vgs導通波形 CH2是 Vds波形中間有一段VGS下降了 MOS管還導通這是測兩個低端MOS管Vds的波形 沒有死區(qū)時間 另外我的尖峰脈沖是不是太高了 我上電300V的話會炸管嗎`
2017-08-02 15:41:19
MOS管驅(qū)動電路總結(jié)
在使用MOS管設計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計
2011-11-07 15:56:56
MOS開關(guān)管的選擇及原理應用
`一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS,導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統(tǒng)里，要得
2019-07-05 08:00:00
MOS開關(guān)管的選擇及原理應用
`一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS,導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統(tǒng)里，要得
2019-07-05 07:30:00
MOS開關(guān)管的選擇及原理應用
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS,導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統(tǒng)里，要得
2019-07-03 07:00:00
MOS的gs沒有到最小導通電壓，ds卻能通？？？
，壓根就沒達到導通條件呀？這ds咋動作的？也不是就動這一下，是gs的平臺電壓不管咋波動，ds都自個擱那通斷，也不可能抓錯到了別的MOS，三個相復測了好幾遍都這樣，所有管子低壓額定載必復現(xiàn)。目前往前推發(fā)現(xiàn)
2021-06-28 15:19:40
導通電壓2-4V，SOT23封裝，符合這樣條件的MOS管有沒有？
MOS做開關(guān)，導通電壓2-4V，SOT23封裝，符合這樣條件的MOS管有沒有？平時電路設計時找電子元件一般在什么地方找？新手求解？
2020-05-14 22:13:42
N型MOS管使用疑惑
，單片機io口能導通。第一個mos管導通后第二個mos管導通不了。第一個mos管不導通第二個導通，第二個導通后由于沒有接地，源極d和漏極s電壓都等于vin大于15v，這個時候vgs
2018-10-17 15:16:30
PMOS開關(guān)問題，完全開啟時間在60秒以上，煩大家?guī)兔?/a>
做了一個開關(guān)電路，使用PMOS作為開關(guān)，三極管拉低MOS的控制端以滿足MOS開啟需求但實測過程中發(fā)現(xiàn)當三極管控制端接入10V電壓時（滿足三極管導通條件），需要等待約30~50秒MOS才會完全開啟在
2014-06-13 17:00:10
PWM控制IGBT和MOSFET的工作原理
的柵極g，高電平時柵極電位高與源極5v就導通了；低電平時柵極電位也為低電平不滿足mos管導通條件，則關(guān)斷轉(zhuǎn)載自電子發(fā)燒友網(wǎng)`
2012-07-09 15:27:32
三極管
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 16:37 編輯
三極管的導通條件 是 發(fā)射正 集電極正 我現(xiàn)在 將 b接+5ve接GND然后c接 繼電器的線圈一個引腳另一個線圈的引腳接
2013-09-13 08:25:32
使用LTC4013充電，MOS管沒有進行低阻抗導通比較熱怎么處理？
使用LTC4013充電，輸入24V，5A充電，沒有使用MPPT功能，輸出接12V鉛蓄電池。
目前現(xiàn)象是可以產(chǎn)生5A電流充電，但Vinfet比Vdcin小，導致MOS管沒有進行低阻抗導通，比較熱，請問有關(guān)INFET管腳正常工作的設置條件（電路按照應用電路設計）
2024-01-05 07:24:28
全面解析MOS管特性、驅(qū)動和應用電路
` 在使用MOS管設計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為
2016-12-26 21:27:50
關(guān)于mos管導通問題
以上為三極管與mos管組合控制電路。在706RST輸出低電平時為什么DC3V3一直輸出1.5v左右電壓，正常情況下，不應該是沒有電壓嗎？多謝各位指教
2018-09-11 15:19:56
利用NMOS管和PMOS管做開關(guān)控制電路
1 MOS管導通截止原理NMOS管的主回路電流方向為D—>S，導通條件為VGS有一定的壓差，如 5V（G電位比S電位高）。PMOS管的主回路電流方向為S—>D，導通條件為
2023-02-17 13:58:02
合適的mos管和外圍電路
兩個mos管，第一個MOS管柵極接單片機io口，通過io口控制通斷繼而控制第二個mos管通斷，開關(guān)頻率要求不高，對開關(guān)時間和導通電阻有要求，開關(guān)時間和導通電阻都要盡可能小，有沒有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫的簡單示意圖
2018-10-16 22:40:53
在實際應用中mos管的導通問題
導致，實際與理論不同。而且通過Multisim仿真時，選擇其他型號的mos管也存在這樣的問題，是否是因為mos管漏電流過大，導致Q7導通，從而使Q6導通呢？請求各位大佬解答。
2021-12-30 16:37:05
在實際應用時MOS管的導通問題
導致，實際與理論不同。而且通過Multisim仿真時，選擇其他型號的MOS管也存在這樣的問題，是否是因為mos管漏電流過大，導致Q7導通，從而使Q6導通呢？請求各位大佬解答。
2021-12-30 16:27:59
場效應晶體管MOSFET的導通條件
方向N溝道，由S極指向D極。P溝道，由D極指向S極。如果覺得上面兩條不是很好記，教大家一個識別方法：不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的，上面圖片已經(jīng)標出來了可以看一下。MOS管導通條件N溝道：Ug>Us時導通。（簡單認為）Ug=Us時截止。P溝道：Ug
2023-02-10 16:27:24
多個MOS管同時導通可行嗎？
請教大神。如果20個MOS管(2SK2499)并聯(lián)。怎樣才能做到全部管子同時導通同時關(guān)斷呢？用驅(qū)動芯片？管子輸出的是PWM波形。謝謝
2017-09-19 22:55:32
干貨 | 關(guān)于MOS管的11個基礎知識點，帶你梳理一遍，查漏補缺！
；PMOS：S極接輸入，D極接輸出；反證法加強理解NMOS假如：S接輸入，D接輸出；由于寄生二極管直接導通，因此S極電壓可以無條件到D極，MOS管就失去了開關(guān)的作用。PMOS假如：D接輸入，S接輸出
2021-12-07 01:24:30
當兩個發(fā)光二極管都滿足導通條件時，為什么壓降小的先...
當兩個發(fā)光二極管都滿足導通條件時，為什么壓降小的先導通？ 一個紅色LED一個白色LED加3V電壓 并聯(lián)紅的亮 白的不亮為何？實在困惑希望各位大俠指點一二不勝感激
2014-05-22 23:33:52
揭秘MOS管和MOS管驅(qū)動電路之間的聯(lián)系
揭秘mos管和mos管驅(qū)動電路之間的聯(lián)系 在使用MOS管設計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許
2018-12-03 14:43:36
教你一眼識別MOS管電路
溝道，由D極指向S極?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的主要作用 開關(guān)作用：即可以實現(xiàn)信號切換（高低電平切換），也可以實現(xiàn)電壓通斷。用作開關(guān)時MOS管中的寄生二極管方向是關(guān)鍵。 導通條件 不論N溝道還是P溝道MOS管
2023-03-10 16:26:47
淺析降低高壓MOS管導通電阻的原理與方法
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
詳解MOS管驅(qū)動電路
詳解MOS管驅(qū)動電路在使用MOS管設計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀
2017-08-15 21:05:01
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2017-12-05 09:32:00
請問MOS管是如何仿真在不同頻率點的導通電阻嗎？
請問有人知道MOS管作為開關(guān)如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點的導通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實部，但是出來的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
請問大家MOS管驅(qū)動小功率供氧泵的問題 電源一打開mos管就一直導通，G級電源不能控制
mos管一直處于導通狀態(tài)，是擊穿了嗎？才焊上mos管就這樣了附上電路圖大家看一下
2017-04-28 20:43:35
這個MOS管在這里的作用是什么？是不是剛上電，MOS管是導通的，C115和R255是充電嘛？到上電穩(wěn)壓后MOS就不導通了嘛？
這個MOS管在這里的作用是什么？是不是剛上電，MOS管是導通的，C115和R255是充電嘛？到上電穩(wěn)壓后MOS就不導通了嘛？
2023-11-11 11:32:45
高效電源是如何選擇合適MOS管的
在當今的開關(guān)電源設備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會對MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對電源設計工程師至關(guān)重要。 目前，影響開關(guān)電源電源效率
2016-12-23 19:06:35
雙向可控硅幾大基本要素解析_雙向可控硅導通條件
雙向可控硅為三端雙向可控硅開關(guān)，亦稱為雙向晶閘管或雙向可控硅。本文主要介紹了雙向可控硅幾大基本要素解析、雙向可控特性用途、使用注意事項以及雙向可控硅的導通條件。
2017-12-15 13:12:4151267
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晶閘管的導通條件和關(guān)斷條件
晶閘管的導通條件：陽極承受正向電壓，處于阻斷狀態(tài)的晶閘管，只有在門極加正向觸發(fā)電壓，才能使其導通。門極所加正向觸發(fā)脈沖的最小寬度，應能使陽極電流達到維持通態(tài)所需要的最小陽極電流，即擎住電流IL以上。導通后的晶閘管管壓降很小，使導通了的晶閘管關(guān)斷的條件是使流過晶閘管的電流減小至一個小的數(shù)值，即維持電流IH一下。
2019-01-19 14:08:4893821
93821晶閘管的導通條件
晶閘管的導通條件 晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。 晶閘管承受反向陽極電壓
2023-02-22 14:36:134503
4503P溝道MOS管導通條件有哪些
電子設備中。與N溝道MOS管相比，P溝道MOS管的導電溝道由P型半導體材料構(gòu)成，因此其導通條件與N溝道MOS管有所不同。本文將對P溝道MOS管的導通條件進行詳細介紹。 首先，我們需要了解P溝道MOS
2023-12-28 15:39:311411
1411晶閘管的導通條件及關(guān)斷條件?
晶閘管（Thyristor）是一種常用的半導體器件，廣泛應用于電力電子和電路控制領(lǐng)域。它可以用作開關(guān)、穩(wěn)壓器、整流器等。在進行詳細介紹晶閘管的導通條件和關(guān)斷條件之前，我們需要先了解一些基礎知識
2024-03-12 15:01:54620
620NMOS和PMOS電流流向以及導通條件
NMOS（N型金屬氧化物半導體）和PMOS（P型金屬氧化物半導體）是兩種基本的場效應晶體管（FET）類型，它們在電子設備中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。了解這兩種晶體管的電流流向以及導通條件對于理解它們
2024-04-03 17:41:4275
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