碳化硅功率器件，助力OBC提升功率密度降低重量，讓新能源汽車充電更快，續(xù)航更長
2022-09-23 18:31:40
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二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅的禁帶寬度更大，這使碳化硅器件擁有更低的漏電
2022-11-12 10:01:261325 本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
2023-11-27 17:48:06714 
科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161092 碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件（如 TO-247）是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步，但對于更強(qiáng)大和更
2023-02-20 16:29:54
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
要求。測試新品器件是否合規(guī)比較容易，但判斷器件的物理特征是否會隨時間和環(huán)境而變化比較麻煩。本文將從碳化硅芯片研發(fā)和封裝方面探討可靠性問題。 芯片研發(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測試 衡量可靠性可以從器件的故障率入手
2023-02-28 16:59:26
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
。 功率半導(dǎo)體就是這樣。在首度商業(yè)化時，碳化硅的創(chuàng)新性和較新的顛覆性技術(shù)必然很昂貴，盡管認(rèn)識到了與硅基產(chǎn)品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潛在優(yōu)勢，大多數(shù)工程師還是把它放在了“可有可無”的清單
2023-02-27 14:28:47
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強(qiáng)度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
材料的兩倍以上。因此，SiC所能承受的溫度更高，一般而言，使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件所能達(dá)到的最大工作溫度可到600 C。2) 高阻斷電壓與Si材料相比，SiC的擊穿場強(qiáng)是Si的十倍多
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。功率附加效率為69.5%，這使
2018-11-15 11:59:01
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。 相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
用于電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域的優(yōu)勢，尋找出適合碳化硅功率器件的電機(jī)驅(qū)動場合，開發(fā)工程應(yīng)用技術(shù)。現(xiàn)已有Sct3017AL在實(shí)驗(yàn)室初步用于無感控制驅(qū)動技術(shù)中，為了進(jìn)一步測試功率器件性能，為元器件選型和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證做調(diào)研
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
能動力碳化硅二極管ACD06PS065G已經(jīng)在倍思120W氮化鎵快充中商用，與納微GaNFast高頻優(yōu)勢組合，高頻開關(guān)減小磁性元件體積，提高適配器功率密度。創(chuàng)能動力是香港華智科技有限公司孵化出來的公司
2023-02-22 15:27:51
的功率半導(dǎo)體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！ ?2 圖騰柱無橋PFC拓?fù)浞治觥 ≡谡胫芷冢╒AC大于0）的時候，T2為主開關(guān)管?！ ‘?dāng)T2開通時，電感L儲能，電流
2023-02-28 16:48:24
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開關(guān)拓?fù)渲校?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅功率器件近年來越來越廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域，受到大家的喜愛，不斷地推陳出新，大量的更高電壓等級、更大電流等級的產(chǎn)品相繼推出，市場反應(yīng)碳化硅元器件的效果非常好，但似乎對于碳化硅元器件的普及還有
2017-12-13 09:17:4422035 1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應(yīng)用及優(yōu)勢
2018-08-17 02:33:006481 碳化硅功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代，目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開發(fā)的主流。業(yè)界普遍認(rèn)為碳化硅功率器件是一種真正的創(chuàng)新技術(shù)，有助于對抗全球氣候變化，推動太陽能和節(jié)能照明系統(tǒng)的市場發(fā)展。
2020-10-02 17:48:008780 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405299 碳化硅 （SiC） 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項優(yōu)勢。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)，包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較小的管芯尺寸相關(guān)的散熱問題、管芯上與封裝相關(guān)的應(yīng)變以及襯底可用性。
2022-08-09 10:13:161627 
碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191213 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441263 
第三代半導(dǎo)體碳化硅是目前半導(dǎo)體領(lǐng)域最熱門的話題。提到 碳化硅（SiC） ，人們的第一反應(yīng)是其性能優(yōu)勢，如更低損耗、更高電壓、更高頻率、更小尺寸和更高結(jié)溫，非常適合制造大功率電子器件；如果說
2023-02-21 09:09:55
3 什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472134 我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161850 
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。
在眾多半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564194 在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅與氮化鎵無疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中，碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性，其耐高頻耐高溫的性能，是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53481 碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個方面。
2023-04-27 14:05:52649 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20402 11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-24 11:34:51591 
7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-09 09:25:05391 7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長
2022-02-07 15:01:28409 8.1.6功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)8.1結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.1.5增強(qiáng)型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-21 09:29:28551 速度等，受到了廣泛關(guān)注。然而，要發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢，必須解決封裝技術(shù)中的關(guān)鍵問題。本文將重點(diǎn)探討碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)。
2023-04-14 14:55:27594 
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092491 
碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個方面
2023-07-30 15:50:141121 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-03 14:34:59365 
碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料，已經(jīng)吸引了大量的研究關(guān)注。其優(yōu)越的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和高頻響應(yīng)使其在功率電子器件領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛力。但要完全發(fā)揮SiC功率器件的潛力，封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)。
2023-08-15 09:52:11733 
目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件，單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行分析。
2023-08-31 14:14:22321 汽車領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。本文將從AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)勢及應(yīng)用等方面進(jìn)行分析。 一、碳化硅功率器件的基本原理 碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它的工作原理與傳統(tǒng)的硅功率器件基本相同，
2023-09-05 09:04:421949 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29397 
碳化硅（SiC）MOS管作為一種新型功率器件，與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，在某些特定條件下具有獨(dú)特的優(yōu)勢，但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2023-09-26 16:59:07517 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-27 10:08:55355 
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。
2023-09-28 18:19:571243 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16177 
中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開發(fā)，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:361556 
碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33569 
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:46277 隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。
2023-12-16 10:29:20434 碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個優(yōu)勢。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03416 碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09308 隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用，從電動汽車到數(shù)據(jù)中心，再到可再生能源系統(tǒng)，其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件因其出色的性能而備受矚目，被視為未來電力電子技術(shù)的關(guān)鍵。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢以及市場發(fā)展趨勢。
2023-12-26 09:31:49195 隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理特性，如高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等，在功率器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。本文將對SiC功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用及發(fā)展進(jìn)行深入探討。
2023-12-28 09:25:56191 的電子器件，正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。本文將深入探討碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢、市場前景及其在各領(lǐng)域的應(yīng)用。
2023-12-29 09:54:29231 隨著科技的不斷進(jìn)步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿?，將在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優(yōu)勢
2024-01-06 14:15:03380 傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對這一挑戰(zhàn)時，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變，成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。
2024-01-06 11:06:57172 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49614 隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高電壓、高溫穩(wěn)定性的優(yōu)異性能，為電力電子帶來了革新性的突破。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢及應(yīng)用前景。
2024-01-10 09:28:30259 碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用和市場前景進(jìn)行深入探討。
2024-01-17 09:44:56194 隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，被譽(yù)為“未來電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢。
2024-02-21 09:27:13288 隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出，高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)特性，正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基功率器件，引領(lǐng)著電力電子技術(shù)的發(fā)展方向。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的特點(diǎn)、優(yōu)勢、應(yīng)用以及面臨的挑戰(zhàn)和未來的發(fā)展趨勢。
2024-02-22 09:19:21209 的物理性能和潛力巨大的市場應(yīng)用前景，受到了業(yè)界的廣泛關(guān)注。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來的發(fā)展趨勢。
2024-02-25 10:37:01274 
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更高的溫度和電壓下工作，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24205 碳化硅具有比硅更高的熱導(dǎo)率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
2024-04-09 12:24:2652 
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