當(dāng)電源接反時(shí)，此時(shí)G極電壓為5V，Ugs》0，所以PMOS管不會(huì)導(dǎo)通，也就保護(hù)了后端電路。
2020-09-08 14:39:00
26352 
管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。
2023-02-16 17:00:154635 
小川今天給大家介紹的是NMOS管共源放大電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-02-25 13:06:001212 
小川今天給大家介紹的是長(zhǎng)尾式差分放大電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-02-25 13:08:151600 
小川給大家介紹的是共射-共基放大電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-02-25 13:10:43445 
小川給大家介紹的是共集-共基放大電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-02-25 13:12:20652 
小川今天給大家介紹的是共集－共射放大電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-02-25 13:13:54386 
小川今天給大家介紹的是光耦合放大電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-02-27 12:04:051659 
負(fù)載開(kāi)關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛，主要用來(lái)控制后級(jí)負(fù)載的電源開(kāi)關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三極管實(shí)現(xiàn)。本文主要討論分立器件的實(shí)現(xiàn)的細(xì)節(jié)。
2023-03-10 14:00:576969 
為低時(shí)，VBAT_OUT由VBAT4.2V供電。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開(kāi)啟。D1和D2的作用在于防止電壓的倒灌，D2可以省略。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反，這樣由體二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開(kāi)關(guān)管的功能不能達(dá)到，實(shí)際應(yīng)用要注意。
2023-03-16 10:26:116903 
背景：在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí)，經(jīng)常需要控制電源或者其它信號(hào)的通斷，除了機(jī)械開(kāi)關(guān)外，運(yùn)用的較多的就是電子開(kāi)關(guān)了。有些BUCK(降壓)或者LDO(低壓差線性穩(wěn)壓)電源IC自帶EN就簡(jiǎn)單多，可以信號(hào)腳接上去
2023-03-26 15:43:0011108 
NMOS低邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)地的導(dǎo)通，PMOS作為高邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)電源的導(dǎo)通。
2023-08-14 09:18:034602 
如果讓大家舉個(gè)PMOS管實(shí)際應(yīng)用電路，恐怕大多數(shù)讀者除了下圖所示的電源開(kāi)關(guān)控制電路外，實(shí)在是想不出更多其它實(shí)用電路了。
2023-10-11 14:24:141274 
在使用9014和PMOS管2305搭配的電源開(kāi)關(guān)電源中，控制24V電源；在PMOS導(dǎo)通時(shí)，24V可以通過(guò)去，電壓也正常；但是在開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)，PMOS管的漏極仍有0.7V左右的電壓，不知道是什么原因？
2020-04-01 09:00:29
PMOS高邊開(kāi)關(guān)控制電路如下圖：
輸入側(cè)使用15KW整流模塊，輸出側(cè)固定8歐姆負(fù)載電阻。
整流模塊設(shè)置為40V/5A，模塊空載情況下輸出為100V/0A。此時(shí)PMOS可以正常開(kāi)關(guān)，波形紅色為VGS
2024-02-05 15:54:27
之前論壇有一個(gè)討論的特別火一個(gè)話題【圖中兩個(gè)PMOS串聯(lián)起來(lái)使用目的是什么】，本來(lái)想看看之前拆解的羅馬仕充電寶中的該電路，但是抄板技術(shù)不嫻熟，所以特意上網(wǎng)找了一些雙PMOS的應(yīng)用場(chǎng)景和電路分析。用
2022-08-11 09:54:17
圖片一，CPU_IO高電平時(shí)，三極管和MOS管導(dǎo)通，ACC_OUT=ACC_IN,CPU_IO低電平時(shí)，ACC_OUT無(wú)輸出。這個(gè)電路這么分析沒(méi)錯(cuò)吧？圖片二電路，幫忙分析下這樣接有沒(méi)有問(wèn)題？當(dāng)VIN給個(gè)5V電壓的時(shí)候，三極管導(dǎo)通，請(qǐng)問(wèn)PMOS管此時(shí)會(huì)導(dǎo)通嗎？VOUT會(huì)輸出5V嗎？
2018-12-07 11:21:55
PMOS管用作電源開(kāi)關(guān)注意事項(xiàng)：PMOS管作電源開(kāi)關(guān)時(shí)因開(kāi)關(guān)速度過(guò)快導(dǎo)致電源被拉下最近在設(shè)計(jì)電路時(shí)踩了一個(gè)坑，給大家分享下。在電路中用到了三極管和MOS管做電源開(kāi)關(guān)，原有問(wèn)題電路如下
2021-10-28 06:07:48
PMOS管用作電源開(kāi)關(guān)注意事項(xiàng)：PMOS管作電源開(kāi)關(guān)時(shí)因開(kāi)關(guān)速度過(guò)快導(dǎo)致電源被拉下 最近在設(shè)計(jì)電路時(shí)踩了一個(gè)坑，給大家分享下?！ ≡?b class="flag-6" style="color: red">電路中用到了三極管和MOS管做電源開(kāi)關(guān)，原有問(wèn)題電路如下
2020-12-25 15:13:21
上面是PMOS防接反電路，24V正極在上方即接PMOS的D極時(shí)PMOS導(dǎo)通，24V正極變?yōu)橄路郊唇?b class="flag-6" style="color: red">PMOS的G極時(shí)PMOS不通?，F(xiàn)在想在防接反的基礎(chǔ)上用單片機(jī)通過(guò)光耦控制24V通斷，但是空間有限不能加上繼電器，請(qǐng)問(wèn)有什么方法嗎？
2019-05-28 04:37:45
想用pmos做個(gè)開(kāi)關(guān)電路：1、一般情況下由2節(jié)鋰電池供電（電壓7.4V左右）2、插入U(xiǎn)SB時(shí)候鋰電池供電斷開(kāi)，USB進(jìn)行供電。 用Proteus做仿真，輸出端用10k電阻做負(fù)載，仿真時(shí)候輸出端電壓
2019-06-06 04:36:55
一個(gè)單鍵開(kāi)關(guān)電路，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)工作過(guò)程能分析下嗎
2019-01-04 10:02:41
DAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:06:20
的強(qiáng)項(xiàng)。下面來(lái)介紹幾種產(chǎn)品設(shè)計(jì)中常用的NMOS的電源開(kāi)關(guān)電路。1、NMOS做電源開(kāi)關(guān)（低端驅(qū)動(dòng)，最簡(jiǎn)單）由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異，導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開(kāi)通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻
2021-09-02 06:15:09
我在測(cè)試PMOS管的導(dǎo)通特性發(fā)現(xiàn)了這個(gè)問(wèn)題，大家?guī)臀铱纯词悄睦锏膯?wèn)題，電路圖見(jiàn)附件。
2017-12-29 15:26:33
相對(duì)通用的電路【NMOS的驅(qū)動(dòng)電路與PMOS的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)別】電路圖如下： 圖1用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路圖2用于PMOS的驅(qū)動(dòng)電路 這里只針對(duì)NMOS驅(qū)動(dòng)電路做一個(gè)簡(jiǎn)單分析： Vl和Vh分別是低端
2021-07-30 06:09:44
`中斷程序及電路圖波形圖如下protues仿真中 ，pmos一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，無(wú)法實(shí)現(xiàn)通過(guò)調(diào)節(jié)占空比調(diào)節(jié)輸出電壓 ，電源為12v ，輸出電壓接近12v，綠色波形為pmos后波形電壓 。想問(wèn)問(wèn)各位老師問(wèn)題可能出在哪里 還請(qǐng)指出`
2018-12-30 15:01:07
PMOS的應(yīng)用場(chǎng)景被進(jìn)一步拓寬。下面列舉一些PMOS做電源防倒灌、防電源反接、理想二極管、單向開(kāi)關(guān)的電路。（基本上是同一個(gè)電路，但可以有這些的應(yīng)用場(chǎng)景）PMOS防電源反接（電源倒灌實(shí)例）上述兩張圖的電路可用于防電源反接，但不防電源倒灌，來(lái)分析這個(gè)電路：當(dāng)VCC有效時(shí)，PMOS的體二極管率先導(dǎo)通，隨后S的
2021-11-12 06:20:18
如圖這是一個(gè)電池供電的開(kāi)關(guān)電路 兩個(gè)PMOS管S極與S極相連串聯(lián)在一起，那么問(wèn)題來(lái)了應(yīng)該有個(gè)MOS管電壓是過(guò)不去的啊。
2015-01-20 15:09:33
datasheet?正文：1.使用MOS管作為開(kāi)關(guān)控制的應(yīng)用實(shí)際硬件電路中，經(jīng)常會(huì)有一些設(shè)備的供電控制，尤其是進(jìn)行大功率負(fù)載的上電與斷電控制，可以采用MOS管作為開(kāi)關(guān)進(jìn)行控制。2.單晶體管負(fù)載開(kāi)關(guān)使用Multisim仿真,示例！3.MOS管說(shuō)明，什么是PMOS,什么是NMOS?4.實(shí)例，采用P
2021-10-29 08:39:45
使用低Uth類型的PMOS管（如Uth=-2V）做開(kāi)關(guān)當(dāng)5V沒(méi)接入時(shí)，PMOS管的柵極通過(guò)電阻R1下拉到地（0V），鋰電池BAT（3.7~4.2V）通過(guò)MOS管的內(nèi)部體二極管到達(dá)源極，源極電壓為（3
2021-10-29 08:43:39
如圖，圖1，CPU_IO高電平時(shí)，三極管和MOS管導(dǎo)通，ACC_OUT=ACC_IN,CPU_IO低電平時(shí)，ACC_OUT無(wú)輸出。這個(gè)電路這么分析沒(méi)錯(cuò)吧？圖2的話，我想問(wèn)下這樣接有沒(méi)有問(wèn)題當(dāng)VIN給個(gè)5V電壓的時(shí)候，三極管導(dǎo)通，請(qǐng)問(wèn)PMOS管此時(shí)會(huì)導(dǎo)通嗎？VOUT會(huì)輸出5V嗎？
2018-12-20 15:11:13
使用PMOS進(jìn)行控制，需要在CTRL上輸出高電平，此時(shí)VCC和CTRL間是否會(huì)存在電流？問(wèn)題3：我看有的資料說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)關(guān)電路里柵極處串聯(lián)的1K限流電阻在轉(zhuǎn)換速率低的時(shí)候并沒(méi)什么作用，而10K的上下拉電阻
2019-04-18 23:02:09
1 MOS管導(dǎo)通截止原理NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈—>S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，如 5V（G電位比S電位高）。PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾—>D，導(dǎo)通條件為
2023-02-17 13:58:02
輸入電壓：4V，輸出電壓：5V，帶載3.5A.整個(gè)升壓電路的效率70%左右，問(wèn)題：這樣的電路 我這里的PMOS 該如何選型呢，另外一個(gè)問(wèn)題：PMOS的參數(shù)總功率損耗（Pd）是什么意思呢，
2021-07-21 10:24:32
的第一個(gè)電路。 本文將展示四種晶體管開(kāi)關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開(kāi)關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開(kāi)關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開(kāi)關(guān)的通與斷不會(huì)
2016-08-30 01:01:44
如圖所示，我想用pmos開(kāi)關(guān)電路實(shí)現(xiàn)高速小脈沖信號(hào)的放大，但是現(xiàn)在做出的實(shí)物和仿真差異很大，經(jīng)測(cè)試其他電路元件性能和仿真相近，選用的pmos無(wú)法滿足1MHz的開(kāi)關(guān)速度，導(dǎo)致脈沖波形失真。請(qǐng)各位大佬給
2020-06-08 11:55:04
NMOS管和PMOS管做開(kāi)關(guān)控制電路
2021-11-12 06:39:31
看到一個(gè)PMOS的按鍵開(kāi)關(guān)電路，用在STCH8H的最小系統(tǒng)板上面，這里做一下記錄在LCEDA上面畫出來(lái)
2021-10-28 06:03:13
本文分析了一種應(yīng)用于電流模式開(kāi)關(guān)電源的斜坡補(bǔ)償電路。該電路利用內(nèi)部振蕩器輸出的鋸齒波順序開(kāi)啟四條電流通路，不僅實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部同步補(bǔ)償，而且能隨占空比變化自動(dòng)調(diào)節(jié)補(bǔ)償量。電路分析和仿真結(jié)果表明，該電路能彌補(bǔ)傳統(tǒng)電流模式的不足，有效地穩(wěn)定開(kāi)關(guān)電源的輸出電壓。
2021-03-23 15:52:10
因?yàn)樵O(shè)計(jì)電路需要正負(fù)10v的輸入電壓，因此設(shè)計(jì)高壓的柵壓自舉開(kāi)關(guān)，VDD=15 ,VSS=-15 CLK=-15到15 VIN幅值10電路工作狀態(tài)為CLK為高電平時(shí)，上面接VDD的PMOS和下面接
2021-06-24 06:42:08
附件中，給出了采用的負(fù)電保護(hù)電路，使用了NPN和PMOS管來(lái)完成關(guān)斷控制。在Cadence16.6中仿真。對(duì)于除開(kāi)MOS管的其余部分，實(shí)際測(cè)算與仿真接近。問(wèn)題：接上-6V負(fù)電時(shí)，理應(yīng)PMOS管的兩端
2019-11-06 01:33:07
這個(gè)PMOS管電路是如何實(shí)現(xiàn)雙向?qū)?？原理?qǐng)教
2018-01-05 16:32:27
PMOS控制上電電路:
2009-09-29 10:09:51
68 摘要：介紹了電路仿真軟件PSPICE的電路仿真功能與實(shí)現(xiàn)方法。以一個(gè)典型高頻電路仿真分析實(shí)例，表明PSPICE為高頻電路分析提供了實(shí)用、高效的仿真環(huán)境： 關(guān)鍵詞： 軟件
2010-04-27 09:41:5599 摘要：通過(guò)模擬電路、數(shù)字電路、數(shù)字模擬混合電路等三個(gè)具體的仿真分析實(shí)例，闡述了PSPICE在電路的仿真分析與設(shè)計(jì)中的應(yīng)用，電路仿真分析結(jié)果完全符合設(shè)計(jì)的理論分析值的要
2010-04-27 13:19:2499 摘要:采用通用電路分析軟件PSPICE,在保證模擬電路精度的情況下,建立實(shí)時(shí)電路仿真模型,進(jìn)而對(duì)開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)進(jìn)行計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)仿真分析,對(duì)開(kāi)關(guān)電源閉環(huán)控制系統(tǒng)動(dòng)態(tài)響應(yīng)過(guò)程及穩(wěn)態(tài)過(guò)
2010-10-04 21:48:12596 本文分析了智能功率模塊IPM 和 開(kāi)關(guān)磁阻 電動(dòng)機(jī)功率電路基本原理，提出了將IPM 應(yīng)用到功率電路中的設(shè)計(jì)方案。借助OrCAD 公司的PSPICE10.5 仿真軟件，設(shè)計(jì)了仿真電路圖。通過(guò)仿真波形對(duì)
2011-08-17 17:18:1654 PMOS 驅(qū)動(dòng)電路 :
2012-04-01 15:31:2114101 
負(fù)反饋放大電路的仿真分析.pdf
2012-07-16 23:20:060 （參考）單相橋式全控整流電路的仿真與分析
2015-12-28 14:20:540 開(kāi)關(guān)電感Boost變換器建模與仿真分析_高嵩
2017-01-08 10:30:2912 MEMS閾值可調(diào)開(kāi)關(guān)的仿真與實(shí)驗(yàn)分析_許馬會(huì)
2017-03-19 18:58:180 模擬電路的仿真及在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用
2017-09-11 14:17:3210 通過(guò)對(duì)逆變電源主電路的分析 ，提出一種負(fù)載調(diào)整性能好的準(zhǔn)諧振零電流開(kāi)關(guān)逆變電源電路 ，詳細(xì)分析了工作原理 ，利用 Protel 99 內(nèi)置的電路仿真軟件進(jìn)行輔助設(shè)計(jì)與分析。 電路工作原理 所設(shè)計(jì)的串聯(lián)諧振逆變電路原理如圖1a所示 ，其工作狀態(tài)可等效如圖1b。
2017-12-06 15:18:076 電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路
2018-11-27 16:46:263255 當(dāng)5V反接時(shí)，G極是高電平，Ugs》0，PMOS管不會(huì)導(dǎo)通，起到保護(hù)電路的作用。
2020-03-22 16:24:0022543 。 本文將展示四種晶體管開(kāi)關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使用PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，有時(shí)需要獨(dú)立控制幾個(gè)開(kāi)關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開(kāi)關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開(kāi)關(guān)的通與斷不會(huì)影響其他開(kāi)關(guān)的通與斷，即開(kāi)關(guān)之間相互獨(dú)立，相互無(wú)關(guān)。常在人機(jī)交互場(chǎng)景之中有著特定
2020-09-03 15:28:3023528 
開(kāi)關(guān)電源的PSPICE仿真分析(電源技術(shù)離線作業(yè)反激電路分析答案)-開(kāi)關(guān)電源的PSPICE仿真分析? ? ? ? ? ? ?
2021-09-18 10:26:5074 看到一個(gè)PMOS的按鍵開(kāi)關(guān)電路，用在STCH8H的最小系統(tǒng)板上面，這里做一下記錄在LCEDA上面畫出來(lái)
2021-10-21 13:36:1043 PMOS管用作電源開(kāi)關(guān)注意事項(xiàng)：PMOS管作電源開(kāi)關(guān)時(shí)因開(kāi)關(guān)速度過(guò)快導(dǎo)致電源被拉下最近在設(shè)計(jì)電路時(shí)踩了一個(gè)坑，給大家分享下。在電路中用到了三極管和MOS管做電源開(kāi)關(guān)，原有問(wèn)題電路如下
2021-10-21 13:51:0127 的強(qiáng)項(xiàng)。下面來(lái)介紹幾種產(chǎn)品設(shè)計(jì)中常用的NMOS的電源開(kāi)關(guān)電路。1、NMOS做電源開(kāi)關(guān)（低端驅(qū)動(dòng)，最簡(jiǎn)單）由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異，導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開(kāi)通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻
2021-10-21 15:06:2037 ?概述負(fù)載開(kāi)關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛，主要用來(lái)控制后級(jí)負(fù)載的電源開(kāi)關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三極管實(shí)現(xiàn)。本文主要討論分立器件的實(shí)現(xiàn)的細(xì)節(jié)。電路分析如下圖所示
2021-10-21 15:21:0353 了解MOS管的開(kāi)通/關(guān)斷原理你就會(huì)發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的開(kāi)通/關(guān)斷
2021-10-21 17:06:04101 datasheet?正文：1.使用MOS管作為開(kāi)關(guān)控制的應(yīng)用實(shí)際硬件電路中，經(jīng)常會(huì)有一些設(shè)備的供電控制，尤其是進(jìn)行大功率負(fù)載的上電與斷電控制，可以采用MOS管作為開(kāi)關(guān)進(jìn)行控制。2.單晶體管負(fù)載開(kāi)關(guān)使用Multisim仿真,示例！3.MOS管說(shuō)明，什么是PMOS,什么是NMOS?4.實(shí)例，采用P
2021-10-22 17:51:0433 NMOS管和PMOS管做開(kāi)關(guān)控制電路
2021-11-07 13:36:00114 PMOS的應(yīng)用場(chǎng)景被進(jìn)一步拓寬。下面列舉一些PMOS做電源防倒灌、防電源反接、理想二極管、單向開(kāi)關(guān)的電路。（基本上是同一個(gè)電路，但可以有這些的應(yīng)用場(chǎng)景）PMOS防電源反接（電源倒灌實(shí)例）上述兩張圖的電路可用于防電源反接，但不防電源倒灌，來(lái)分析這個(gè)電路：當(dāng)VCC有效時(shí)，PMOS的體二極管率先導(dǎo)通，隨后S的
2021-11-07 13:51:0364 pmos 電源開(kāi)關(guān)電路Switching-Mode Power Supplies are the most used circuits nowadays. But there are some
2021-11-10 13:05:5930 如下是最傳統(tǒng)的采用 PMOS 做防反功能的電路單元，PMOS 的門級(jí)接電阻到地。當(dāng)輸入端接正向電壓時(shí)，電流流過(guò) PMOS 的體二極管到負(fù)載端，當(dāng)正向電壓高于 PMOS 門限閾值電壓，則會(huì)導(dǎo)通溝道
2022-05-18 14:52:302287 因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">PMOS開(kāi)啟后電流可雙向流動(dòng)，這個(gè)電路的負(fù)載不能是電池等電壓源。否則，如下右圖，因?yàn)樨?fù)載電池有5V電壓，V G S = ? 5 V V_{GS}=-5V，實(shí)際上PMOS還是開(kāi)啟了，輸入反接還是會(huì)導(dǎo)致過(guò)流。
2022-08-31 14:44:2813283 由PMOS來(lái)進(jìn)行電壓的選擇：當(dāng)V8V存在時(shí)，此時(shí)電壓全部由V8V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT不提供電壓給VSIN，而當(dāng)V8V為低時(shí)，VSIN由VBAT供電。
2022-10-20 10:17:546233 小川今天給大家介紹的是多路恒流源電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-02-25 10:35:111383 
小川今天給大家介紹的是微恒流源電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-02-25 10:38:45809 
小川今天給大家介紹的是比例恒流源電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-02-25 10:41:352087 
小川今天給大家介紹的是鏡像恒流源電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-02-27 11:58:291254 
小川今天給大家介紹的是差分式放大電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-02-27 12:02:381674 
今天小川給大家分享是全波整流電路的Multisim仿真及分析，歡迎大家多多指正。
2023-03-08 17:25:002163 
今天小川給大家分享是雙向限幅電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-03-08 17:38:002696 
今天小川給大家分享是底部鉗位電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-03-08 17:47:00714 
在網(wǎng)上查了一些關(guān)于 PMOS 和 NMOS 哪個(gè)更適合用于電源開(kāi)關(guān)這種場(chǎng)合，大部分都是從工藝，導(dǎo)通電阻 Rds 來(lái)解釋，但隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步，現(xiàn)今的 PMOS 與 NMOS 之間差距已經(jīng)不大了，從 SOT-23 的封裝來(lái)看，兩者的大小也是差不多的。個(gè)人覺(jué)得，PMOS 用于電源開(kāi)關(guān)更多是為了方便控制。
2023-03-10 13:49:595125 
???上文和大家討論了PMOS的負(fù)載開(kāi)關(guān)電路，使用PMOS來(lái)控制后繼電路的開(kāi)關(guān)。然而在日常應(yīng)用中PMOS可供選擇的類型較少，價(jià)格也相對(duì)昂貴。因此選用NMOS作為開(kāi)關(guān)電路選型范圍較多，成本也更加劃算，尤其針對(duì)一些低壓1V、1.8V、3.3V大電流應(yīng)用中更有優(yōu)勢(shì)。
2023-03-10 14:05:035965 
NMOS型和PMOS型的穩(wěn)壓電路如下圖所示。
2023-03-10 15:33:283770 
和低噪聲。然而，PMOS和NMOS之間存在噪聲差異，而PMOS的閃爍噪聲通常低于NMOS。本文將進(jìn)一步探討這個(gè)問(wèn)題，并解釋為什么會(huì)出現(xiàn)這種情況。 首先，我們需要了解PMOS和NMOS的基本結(jié)構(gòu)和原理。 MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種用于放大、開(kāi)關(guān)和其他電路功能的電子元件
2023-09-20 17:41:311495 ）。然而三極管和MOS管之間的組合不僅限于NPN與PMOS管，實(shí)際上，還可以使用PNP與NMOS管進(jìn)行組合。 在某些電源開(kāi)關(guān)電路中，NPN和PMOS組合是比較常見(jiàn)的。NPN三極管用于控制基極電流，PMOS管用于控制高電壓或高功率負(fù)載。其中NPN三極管用于低電壓和低功率控制
2023-12-05 17:44:45522 
）。CMOS技術(shù)是當(dāng)今集成電路設(shè)計(jì)中最重要的技術(shù)之一，被廣泛應(yīng)用于數(shù)字和模擬電路。 在CMOS技術(shù)中，PMOS和NMOS通常會(huì)配對(duì)使用，互補(bǔ)形式的晶體管兩者可以互相補(bǔ)充，以實(shí)現(xiàn)更高效的電路設(shè)計(jì)和功耗控制
2023-12-07 09:15:361405 設(shè)計(jì)一個(gè)NMOS和PMOS管的開(kāi)關(guān)電路涉及到電路的基礎(chǔ)知識(shí)、原理和設(shè)計(jì)過(guò)程。在本文中，我們將詳細(xì)討論NMOS和PMOS管的工作原理、開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)考慮因素、電路元件的選擇以及實(shí)際電路的構(gòu)建和測(cè)試
2023-12-21 16:57:151625 在電子電路設(shè)計(jì)中，防反接保護(hù)是一個(gè)重要的考慮因素，它的目的是防止因電源接線錯(cuò)誤而損壞電路。使用MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管）來(lái)實(shí)現(xiàn)這一功能是一個(gè)常見(jiàn)的做法，其中包括PMOS管（P型MOS
2024-02-16 10:31:00604 
NMOS低邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)地的導(dǎo)通，PMOS作為高邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)電源的導(dǎo)通。
2024-04-10 11:45:01170 
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