高速H橋上管驅(qū)動電路

高速H橋上管驅(qū)動電路

上例方案的速度瓶頸為光耦，如果不采用光耦那么控制信號的頻率可以提高很多。通過試驗(yàn)，我們開發(fā)了如下的高速型H橋上管驅(qū)動電路。方案如圖9所示。

圖中上管控制信號高電平為+l2 V，低電平為0 V?？刂菩盘柾ㄟ^電阻電容和二極管電路加到Q1的基極，Q1的集電極輸出作為

圖9 高速H橋上管驅(qū)動電路
Fig．9 High Speed H-bddge Highside Driving
Q2，Q3組成的差動驅(qū)動電路控制信號，差動電路的輸出作為Ml的驅(qū)動信號。Q2，Q3組成的差動驅(qū)動電路上端Q2接 +l2 V電源，下端Q3接到Ml的s極。當(dāng)上管控制信號為低電平時(shí)，Q2導(dǎo)通，Q3截止，Ml的G極約為 D+l2 V，使Ml可順利導(dǎo)通。Ml導(dǎo)通后，其D極和s極之間為通路，幾乎沒有壓降，此時(shí)s極也為l，DD，則Ml的G和s之間的壓差為l2 V，滿足MOS管的導(dǎo)通條件，Ml可維持導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)上管控制信號變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，Q2截止，Q3導(dǎo)通，使Ml的G和s極之間壓差很小，不能滿足MOS管的導(dǎo)通條件，則Ml截止。需要指出的是，當(dāng)Q2導(dǎo)通M1尚未導(dǎo)通的瞬間，Ml的G和s間壓差為l，DD+l2 V，但由于MOS管的開啟時(shí)間極短(幾十US)，Q2導(dǎo)通時(shí)，Ml幾乎同時(shí)開啟，使MJ的G和s之問的壓差保證為12V(如圖10)。

高速H橋上管驅(qū)動信號畸變
Fig．10 Signal Transmogrification of High Speed H-bddge

圖9所示的上管驅(qū)動電路有很強(qiáng)的驅(qū)動能力，并具有很高的極限頻率，使用這個(gè)驅(qū)動電路來驅(qū)動MOS管，能使MOS管的控制信號在較高的頻率(20 k以上)下不失真。