原子層刻蝕和沉積工藝?yán)米韵扌苑磻?yīng)，提供原子級(jí)控制。 泛林集團(tuán)先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽(yáng)博士 分享了他對(duì)這個(gè)話題的看法。 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對(duì)制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝
2021-02-08 10:53:00
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本期，我們將繼續(xù)探索半導(dǎo)體制造過程中的兩大關(guān)鍵步驟：刻蝕和薄膜沉積。
2022-08-01 10:58:185034 
等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)
2022-11-15 09:57:313275 。 ? ? 第六步 互連 ? 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性處于導(dǎo)體與非導(dǎo)體（即絕緣體）之間，這種特性使我們能完全掌控電流。通過基于晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝可以構(gòu)建出晶體管等元件，但還需要將它們連接起來才能實(shí)現(xiàn)電力與信號(hào)的發(fā)送與接收。 ? 金屬因
2021-08-02 13:49:0416633 鋁、干法刻蝕鈦、干法刻蝕氮化鈦等）20、 等離子去膠21、 DRIE （硅深槽刻蝕）、ICP、TSV22、 濕法刻蝕23、 膜厚測(cè)量24、 納米、微米臺(tái)階測(cè)量25、 電阻、方阻、電阻率測(cè)量等26、 半導(dǎo)體
2015-01-07 16:15:47
半導(dǎo)體技術(shù)在汽車動(dòng)力系統(tǒng)中的應(yīng)用是什么？
2021-05-18 06:09:40
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
多個(gè)數(shù)據(jù)流，并以超低的成本，延長(zhǎng)工作壽命。有些應(yīng)用需要抵消輸入阻塞信號(hào)的作用，降低攔截概率。正在席卷整個(gè)行業(yè)的相控天線設(shè)計(jì)為這些挑戰(zhàn)提供了解決辦法。人們開始采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)解決相控陣天線過去存在的缺點(diǎn)，以最終
2021-01-20 07:11:05
無嚴(yán)格要求的特點(diǎn)。因此，目前檢測(cè)半導(dǎo)體材料電阻率，尤其對(duì)于薄膜樣品來說，四探針是較常用的方法?！ ∷奶结?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)要求使用四根探針等間距的接觸到材料表面。在外邊兩根探針之間輸出電流的同時(shí)，測(cè)試中間兩根探針的電壓差。最后，電阻率通過樣品的幾何參數(shù)，輸出電流源和測(cè)到的電壓值來計(jì)算得出。
2021-01-13 07:20:44
隨著溫度的升高，金屬的電阻率增加，使其具有正的電阻溫度系數(shù)。半導(dǎo)體的電阻溫度系數(shù)是負(fù)的。非本征半導(dǎo)體的電阻率大于本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體電阻率的溫度依賴性對(duì)其在電子學(xué)中的應(yīng)用起著重要的作用電導(dǎo)率描述了電流
2022-02-25 09:55:01
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
作為通訊乃至軍事行業(yè)的技術(shù)支撐者，半導(dǎo)體廠商曾經(jīng)離家用電器行業(yè)很“遠(yuǎn)”，而現(xiàn)在，隨著家電應(yīng)用市場(chǎng)和功能的擴(kuò)展，消費(fèi)者對(duì)家電產(chǎn)品的質(zhì)量和技術(shù)的要求越來越高，半導(dǎo)體廠商轉(zhuǎn)身成為了家電變頻技術(shù)的競(jìng)技者
2019-06-21 07:45:46
北京華林嘉業(yè)科技有限公司(簡(jiǎn)稱CGB)，公司致力于為以下行業(yè)提供蝕刻、清洗、顯影、去膜、制絨、減薄等高品質(zhì)設(shè)備：半導(dǎo)體LED：硅片清洗機(jī)；硅片腐蝕機(jī)；硅片清洗腐蝕設(shè)備；基片濕處理設(shè)備；硅片清洗刻蝕
2011-04-13 13:23:10
特性介于金屬導(dǎo)體與絕緣體材料的間(故稱半導(dǎo)體材料)，人類可經(jīng)由溫度的變化，能量的激發(fā)及雜質(zhì)滲入后改變其傳導(dǎo)特性，再配合了適當(dāng)?shù)闹瞥滩襟E，便產(chǎn)生許多重要的電子組件，運(yùn)用在人類的日常生活中。189
2020-02-17 12:20:00
本人小白，最近公司想上半導(dǎo)體器件的塑封生產(chǎn)線，主要是小型貼片器件封裝，例如sot系列。設(shè)備也不需要面面俱到，能進(jìn)行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設(shè)備的信息，以及這些設(shè)備的國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)廠家，在此先行感謝！
2022-01-22 12:26:47
半導(dǎo)體失效分析項(xiàng)目介紹，主要包括點(diǎn)針工作站（Probe Station）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、微漏電偵測(cè)系統(tǒng)（EMMI）、X-Ray檢測(cè)，缺陷切割觀察系統(tǒng)（FIB系統(tǒng)）等檢測(cè)試驗(yàn)。
2020-11-26 13:58:28
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
降低。這種摻雜半導(dǎo)體常稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體靠導(dǎo)帶電子導(dǎo)電的稱N型半導(dǎo)體，靠?jī)r(jià)帶空穴導(dǎo)電的稱P型半導(dǎo)體。不同類型半導(dǎo)體間接觸（構(gòu)成PN結(jié)）或半導(dǎo)體與金屬接觸時(shí)，因電子（或空穴）濃度差而產(chǎn)生擴(kuò)散，在
2013-01-28 14:58:38
和氣體敏感膜。金電極連接氣敏材料的兩端，使其等效為一個(gè)阻值隨外部待測(cè)氣體濃度變化的電阻。由于金屬氧化物有很高的熱穩(wěn)定性，而且這種傳感器僅在半導(dǎo)體表面層產(chǎn)生可逆氧化還原反應(yīng)，半導(dǎo)體內(nèi)部化學(xué)結(jié)構(gòu)不變
2012-08-29 15:40:48
作者： Robert GeeMaxim Integrated核心產(chǎn)品事業(yè)部執(zhí)行業(yè)務(wù)經(jīng)理 在半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，管理成本依然是最嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)之一，因?yàn)樽詣?dòng)化測(cè)試設(shè)備(ATE)是一項(xiàng)重大的資本支出。那么，有沒有能夠降低每片晶圓的成本，從而提升競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的方法呢？有，答案就是提高吞吐率。
2019-07-29 08:11:12
在這里我們通過半導(dǎo)體與其他材料的主要區(qū)別來了解半導(dǎo)體的本性： 在室溫下，半導(dǎo)體的電導(dǎo)率處在103~10-9西[門子]/厘米之間，其中西[門子]/厘米為電導(dǎo)率的單位，電導(dǎo)率與電阻率互為倒數(shù)。一般金屬
2018-03-29 09:04:21
功率半導(dǎo)體的熱管理對(duì)于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶可靠地監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
(carrier channel)，影響半導(dǎo)體組件的工作特性。去離子水以電阻率 (resistively) 來定義好壞，一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格；為此需動(dòng)用多重離子交換樹脂、RO逆滲透、與UV
2011-09-23 14:41:42
半導(dǎo)體材料取自于元素周期表中金屬與非金屬的交界處。常溫下半導(dǎo)體導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間。 本征半導(dǎo)體純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。(由于不含雜質(zhì)且為晶體結(jié)構(gòu)，所以導(dǎo)電性比普通半導(dǎo)體差
2020-06-27 08:54:06
超聲波線束焊接機(jī)利用超聲波金屬焊接技術(shù)對(duì)金屬線束進(jìn)行焊接加工，把高頻電能通過換能器轉(zhuǎn)換成機(jī)械振動(dòng)能作用于金屬線束上，當(dāng)振動(dòng)摩擦生熱的溫度到達(dá)線束金屬熔點(diǎn)時(shí)，線束就會(huì)熔化，并且線束在融合的同時(shí)線束焊接裝置會(huì)施加一定的壓力，最后線束焊接裝置移開并停止機(jī)械振動(dòng)，就會(huì)形成線束焊接效果。
2019-10-22 09:03:00
的半導(dǎo)體過程控制技術(shù)來嚴(yán)格監(jiān)控工藝過程狀態(tài)，而SPC就是其中最重要的一種技術(shù)。本文針對(duì)SPC做了簡(jiǎn)要概述，著重論述了根據(jù)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的特點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)其在半導(dǎo)體晶圓廠的實(shí)際應(yīng)用。 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體；SPC；過程
2018-08-29 10:28:14
設(shè)備參數(shù) ZEISS Auriga Compact 1.場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（SEM）：各種材料形貌觀察和分析，如金屬、半導(dǎo)體、陶瓷、高分子材料、有機(jī)聚合物等，放大率：12×～1000,000×；分辨率
2017-06-29 14:16:04
設(shè)備參數(shù) ZEISS Auriga Compact 1.場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（SEM）：各種材料形貌觀察和分析，如金屬、半導(dǎo)體、陶瓷、高分子材料、有機(jī)聚合物等，放大率：12×～1000,000×；分辨率
2017-06-29 14:20:28
設(shè)備參數(shù) ZEISS Auriga Compact 1.場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（SEM）：各種材料形貌觀察和分析，如金屬、半導(dǎo)體、陶瓷、高分子材料、有機(jī)聚合物等，放大率：12×～1000,000×；分辨率
2017-06-29 14:24:02
壓阻薄膜生長(zhǎng)后，采用光刻、濕法刻蝕、離子注入和蒸發(fā)金屬剝離圖案技術(shù)制作壓敏電阻微結(jié)構(gòu)。引入電感耦合等離子體 (ICP) 將兩個(gè)槽蝕刻到壓阻層，然后在壓阻薄膜臺(tái)面的頂部沉積和圖案化 Ti/Pt/Au
2021-07-07 10:22:15
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號(hào)：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)簡(jiǎn)介編號(hào)：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據(jù)其導(dǎo)電特性可分為三大類：絕緣體導(dǎo)體半導(dǎo)體
2021-07-09 10:26:01
新加坡知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管！此職位為內(nèi)部推薦，深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機(jī)臺(tái)poly刻蝕經(jīng)驗(yàn)。刻蝕設(shè)備主管需要熟悉LAM8寸機(jī)臺(tái)。待遇優(yōu)厚。有興趣的朋友可以將簡(jiǎn)歷發(fā)到我的郵箱sternice81@gmail.com，我會(huì)轉(zhuǎn)發(fā)給HR。
2017-04-29 14:23:25
一般都是比其他精密電阻差。2.精密薄膜電阻精密薄膜電阻的技術(shù)發(fā)展代表了可以被大量商用的精密電阻技術(shù)，也是目前最流行的精密電阻技術(shù)。通過長(zhǎng)時(shí)間多層的膜層沉積，高精密的調(diào)阻和后期的篩選，最優(yōu)的精密薄膜電阻
2019-04-26 13:55:26
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻
2023-02-21 16:01:16
去的三十年里，III-V 技術(shù)（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個(gè)毫米波范圍中。新近以來，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術(shù)已經(jīng)加入了這個(gè)“游戲”。在本文中，按照半導(dǎo)體特性和器件要求，對(duì)可用
2019-07-31 07:43:42
化學(xué)反應(yīng)后生成Si原子并沉積在襯底上，生長(zhǎng)出晶體取向與襯底相同的Si單晶外延層，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。氣相外延爐主要是為氣相外延生長(zhǎng)提供特定的工藝環(huán)境，實(shí)現(xiàn)在單晶上，生長(zhǎng)
2018-09-03 09:31:49
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
單芯片互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）傳感器有哪幾種？它們分別有什么應(yīng)用以及特點(diǎn)？
2021-06-17 08:54:54
及分析。 1. 設(shè)備參數(shù) ZEISS Auriga Compact 1.場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（SEM）：各種材料形貌觀察和分析，如金屬、半導(dǎo)體、陶瓷、高分子材料、有機(jī)聚合物等，放大率：12×～1000,000
2017-06-29 14:08:35
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 編輯
請(qǐng)問有沒有這種做法，就是在pcb上畫一圈一圈的金屬線，當(dāng)電感用？請(qǐng)問可以用protel99來設(shè)計(jì)嗎？謝謝~
2012-12-20 16:58:39
安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)的成像技術(shù)和方案分享
2021-05-31 07:07:32
的技術(shù)面加以探討，為業(yè)界提供實(shí)質(zhì)建議。要有效降低ESD所帶來的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可以在電子元件中加強(qiáng)抵抗ESD的裝置。安森美半導(dǎo)體長(zhǎng)期投入于研發(fā)ESD保護(hù)技術(shù)，通過先進(jìn)的ESD保護(hù)技術(shù)和完整的產(chǎn)品系列，使電子元件具備優(yōu)異的電路保護(hù)性能。
2019-05-30 06:50:43
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。近年來，無線通信市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，特別是移動(dòng)電話、無線
2019-07-05 06:53:04
尊敬的先生/女士，我想找出所有VIRTEX-6的半導(dǎo)體安裝技術(shù)，是倒裝芯片安裝技術(shù)的芯片嗎？謝謝問候，缺口
2020-06-15 16:30:12
，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。刻蝕（英語(yǔ)：etching）是半導(dǎo)體器件制造中利用化學(xué)途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。刻蝕對(duì)于器件的電學(xué)性能十分重要。如果刻蝕過程中出現(xiàn)失誤，將造成難以恢復(fù)
2017-10-09 19:41:52
的設(shè)備?？晒?yīng)翻新半導(dǎo)體工藝設(shè)備包括：光刻機(jī) 步進(jìn)光刻機(jī) 涂膠顯影 化學(xué)濕臺(tái) 沉積設(shè)備 劃片及磨片設(shè)備 電子束蒸發(fā) CVD沉積設(shè)備 刻蝕設(shè)備 離子注入機(jī) 顯微鏡 探針臺(tái) 薄膜測(cè)厚儀 表面檢測(cè)設(shè)備 鍵合機(jī)
2009-10-14 11:05:53
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無處不在、IP無處不在和無縫移動(dòng)連接的總趨勢(shì)下，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)項(xiàng)目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測(cè)中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
氣體接觸，由于氧的減少，勢(shì)壘降低，電子移動(dòng)變得容易，電導(dǎo)率增加，電阻率下降。3、吸附氧理論 吸附氧理論是表面吸附機(jī)理和晶界勢(shì)壘模型兩者的結(jié)合，是目前公認(rèn)較好的理論。當(dāng)半導(dǎo)體表面吸附了氧這類電負(fù)性
2018-10-24 14:21:10
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
`哪位了解LCVD激光氣相沉積設(shè)備，想買一臺(tái)用來做補(bǔ)線用。如圖，沉積出寬10um左右的金屬線。求大神指點(diǎn)！`
2014-01-17 10:36:02
“通過創(chuàng)新，電子系統(tǒng)將使汽車可以自動(dòng)操作，使其更加安全、舒適和高效”。飛思卡爾半導(dǎo)體汽車及標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部亞太地區(qū)市場(chǎng)總監(jiān)Allen Kwang高度評(píng)價(jià)汽車電子的創(chuàng)新意義。而汽車電子創(chuàng)新顯然與動(dòng)力、底盤、安全、車身、信息娛樂系統(tǒng)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān)。
2019-07-24 07:26:11
本帖最后由 濟(jì)世良駒 于 2016-10-10 22:31 編輯
第一講 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1、半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體。2、常見
2016-10-07 22:07:14
刻蝕工藝以滿足工藝集成要求; 3、 與其他工程師緊密配合，進(jìn)行半導(dǎo)體工藝流程分析 任職要求： 1、大學(xué)本科學(xué)歷（含）以上 2、掌握半導(dǎo)體基礎(chǔ)理論，制品及器件技術(shù)，熟悉設(shè)備 、工藝 、 制造等相關(guān)內(nèi)容
2016-10-26 17:05:04
試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的？
2023-04-23 11:27:04
怎樣通過ASV技術(shù)去生成準(zhǔn)確的3D深度圖？采用艾邁斯半導(dǎo)體的ASV技術(shù)有什么特點(diǎn)？
2021-07-09 06:25:46
. ?。?）薄膜電容加工 因?yàn)镸IS（Metal-Insulator-Semiconductor金屬-絕緣體-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)）薄膜電容利用半導(dǎo)體作為底電極，使電容本身具有寄生電阻，造成元件的共振頻率降低
2018-09-11 16:12:05
金屬線脹系數(shù)的測(cè)定:學(xué)習(xí)用光杠桿法測(cè)量金屬棒的線脹系數(shù)。 光杠桿原理T:望遠(yuǎn)鏡；M:光杠桿(反光鏡)；P:標(biāo)尺；C:有孔圓柱體；m,c:金屬桿受熱膨脹后的光杠桿和圓柱體 ；a:光
2009-06-08 21:25:15
25 半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中，為了對(duì)所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585750 
金屬線脹系數(shù)的測(cè)量
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模簩W(xué)習(xí)利用光杠桿測(cè)量金屬棒的線脹系數(shù)。儀器和用具：線脹系數(shù)測(cè)定裝置、光杠桿、尺度望遠(yuǎn)
2009-06-08 21:29:0612572 
金屬材料的共同特征是典型地顯出特有的光澤,是良好的導(dǎo)電體和導(dǎo)熱體,不透明,在一定的高溫下可熔解,通?？慑懚醒诱剐?。金屬在電線電纜中的應(yīng)用主要作為導(dǎo)體和屏蔽層材料，如銅
2011-12-20 17:17:3236 半導(dǎo)體制造刻蝕設(shè)備調(diào)度算法的研究_賈小恒
2017-03-19 11:28:162 半導(dǎo)體知識(shí)：PVD金屬沉積制程講解
2019-07-24 11:47:2312920 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是金屬和半導(dǎo)體的接觸教程詳細(xì)說明包括了:金屬-半導(dǎo)體接觸的能帶圖，肖特基勢(shì)壘的整流特性，肖特基勢(shì)壘的電流輸運(yùn)，勢(shì)壘電容，肖特基二極管的應(yīng)用，金屬-半導(dǎo)體歐姆接觸
2020-04-10 08:00:004 不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關(guān)系，對(duì)中國(guó)本土 MEMS 制造工廠和實(shí)驗(yàn)室的建議等。 1
2022-12-13 11:42:001974 刻蝕是半導(dǎo)體制造中十分關(guān)鍵的一環(huán)，刻蝕通過物理或化學(xué)方法將硅片表面不需要的材料去除，從而將掩膜圖形正確的復(fù)制到涂膠硅片上。
2021-02-23 16:41:573524 薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ，薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。
半導(dǎo)體器件的不斷縮小對(duì)薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術(shù)憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優(yōu)異的均勻性和三E維保形性,在半導(dǎo)體先進(jìn)制程應(yīng)用領(lǐng)域彰顯優(yōu)勢(shì)。
2023-02-16 14:36:54734 光刻機(jī)、刻蝕機(jī)設(shè)備、氣相沉積設(shè)備是三大核心半導(dǎo)體設(shè)備，占據(jù)了產(chǎn)線設(shè)備總投資額70%。
2023-02-22 11:34:49938 金屬和半導(dǎo)體的接觸
2023-03-08 16:40:001101 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:163042 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:543333 本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實(shí)是為了金屬布線才進(jìn)行的。在金屬布線過程中，會(huì)采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:491355 
經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52738 
但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會(huì)嚴(yán)重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對(duì)Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無傷害、對(duì)金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:272684 
由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關(guān)鍵尺寸(CD)和線間隔，這會(huì)導(dǎo)致更高的金屬線電阻和線間電容。
2023-06-09 12:55:52623 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571600 
，因此光刻、刻蝕和薄膜沉積設(shè)備是芯片加工過程中最重要的三類主設(shè)備，占前道設(shè)備的近70%。近些年來我國(guó)已經(jīng)開始在各類設(shè)備中開展追趕式研發(fā)，在技術(shù)難度最高的這些主設(shè)備中
2022-08-25 17:35:24782 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37709 
在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層?！暗谷肭煽肆μ菨{”和“蓋上餅干層”的過程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:171157 
和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過程中也會(huì)通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強(qiáng)，沉積速率就會(huì)放慢，但可以提高垂直方向的沉積質(zhì)量。因?yàn)?，壓?qiáng)低表明設(shè)備內(nèi)反應(yīng)氣體粒子
2023-07-02 11:36:402094 
半導(dǎo)體同時(shí)具有“導(dǎo)體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實(shí)際需要使半導(dǎo)體導(dǎo)電或絕緣。 重復(fù)光刻、刻蝕和離子注入步驟會(huì)在
2023-07-03 10:21:572692 
在半導(dǎo)體制造過程中，每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個(gè)制造過程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點(diǎn)多，操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:554213 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27644 
半導(dǎo)體技術(shù)在當(dāng)今社會(huì)已成為高科技產(chǎn)品的核心，而在半導(dǎo)體制造的各個(gè)環(huán)節(jié)中，銅憑借其出色的性能特點(diǎn)，已成為眾多工藝應(yīng)用的關(guān)鍵材料。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，銅主要被用于制造互連線路。在傳統(tǒng)的互連制造中，銅通常被用作通過化學(xué)氣相淀積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）技術(shù)沉積在金屬膜上。
2023-08-19 11:41:151337 銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23492 
半導(dǎo)體設(shè)備系列研究-薄膜沉積設(shè)備
2023-01-13 09:06:529 半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26518 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:534543 優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導(dǎo)體和MEMS工藝的關(guān)鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術(shù)。
2024-01-22 09:32:151711 
近日，美國(guó)知名數(shù)字標(biāo)牌解決方案供應(yīng)商Stratacache與半導(dǎo)體技術(shù)公司Lumiode達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同推動(dòng)Micro LED技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。Stratacache計(jì)劃將Lumiode的背板沉積技術(shù)集成到其即將完成的Micro LED生產(chǎn)線E4當(dāng)中。
2024-02-05 17:07:04861 薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。用來鍍膜的這個(gè)設(shè)備就叫薄膜沉積設(shè)備。薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類
2024-03-28 14:22:41504 
及電阻率增加問題，半導(dǎo)體行業(yè)正在尋找替代銅的金屬線材料。 l 在較小尺寸中，釕的性能優(yōu)于銅和鈷，因此是較有潛力的替代材料。 隨著互連尺寸縮減，阻擋層占總體線體積的比例逐漸增大。因此，半導(dǎo)體行業(yè)一直在努力尋找可取代傳統(tǒng)銅雙大馬士革方案的替代金屬線材料。 相比金屬線寬
2024-04-09 17:11:12235 
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