環(huán)形振蕩器介紹_反相器構(gòu)成環(huán)形振蕩器
環(huán)形振蕩器,是由三個(gè)非門或更多奇數(shù)個(gè)非門輸出端和輸入端首尾相接,構(gòu)成環(huán)狀的機(jī)器。
以三個(gè)非門為例,即非門A輸出端連接到非門B輸入端,非門B輸出端連接到非門C輸入端,非門C輸出端到連接非門A輸入端,在其中任何一個(gè)連接的位置都可以引出輸出信號(hào)。
CMOS反相器的原理圖設(shè)計(jì)
在CMOS反相器的電路圖設(shè)計(jì),需要考慮電路的傳播延時(shí),然后可以確定PMOS和NMOS管的尺寸。至今一直使PMOS管較寬,以使它的電阻與下拉的NMOS管匹配。在設(shè)計(jì)中,PMOS與NMOS的寬長(zhǎng)比為2。以反相器為基礎(chǔ),依據(jù)邏輯門與反相器有相同的驅(qū)動(dòng)能力設(shè)置復(fù)雜電路的PMOS和NMOS寬長(zhǎng)比。
NMOSE反相器電路
環(huán)形振蕩器的原理圖設(shè)計(jì)
在實(shí)際的仿真時(shí),由于各個(gè)MOSE管的參數(shù)都是一致的,而且仿真軟件不能模擬實(shí)際情況下的各種干擾,所以應(yīng)當(dāng)在電路圖中加一個(gè)激勵(lì)信號(hào),使電路起振。圖中的rc是用于改變振蕩器的頻率,由于門電路的傳輸延遲時(shí)間極短,TTL門電路只有幾十納秒,CMOS電路也不過一二百納秒,難以獲得較低的振蕩頻率,加入RC后可以使振蕩器的頻率降低。
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( 發(fā)表人:李建兵 )