Inte Yonah雙核處理器

Inte Yonah雙核處理器

作為Intel首款移動(dòng)雙核處理器，Yonah將采用65nm工藝，內(nèi)部集成1.51億個(gè)晶體管，前端總線667MHz，這將對(duì)改善處理器的散熱與降低功耗帶來(lái)很大幫助，使Yonah在性能、功能上也有了截然不同的變化。跟Dothan相比，Yonah增強(qiáng)了多媒體及浮點(diǎn)運(yùn)算能力，另外，它還支持Intel最新的虛擬化技術(shù)，在針腳上和上代Dothan也有所不同，由Socket 479變成Socket 478，而且不支持上一代芯片組。

　　Yonah處理器實(shí)際上采用了兩個(gè)“Dothan”處理器內(nèi)核再加上一個(gè)共享的緩存。在雙內(nèi)核處理器當(dāng)中，每個(gè)內(nèi)核都有獨(dú)立的HyperTransport總線連接系統(tǒng)請(qǐng)求單元(SRQ)和系統(tǒng)內(nèi)存，能在一個(gè)時(shí)鐘周期之內(nèi)處理兩倍以上的數(shù)據(jù)，管理一個(gè)以上的線程，這種技術(shù)使得整個(gè)系統(tǒng)性能有相當(dāng)大的提高，而整體設(shè)計(jì)難度和制造成本跟現(xiàn)在相比并高不了多少，同時(shí)對(duì)于控制耗電和熱量也有著非常大的幫助。

　　Yonah將有3種版本，為標(biāo)準(zhǔn)電壓版（Standard Voltage，簡(jiǎn)稱(chēng)SV）、低電壓版（Low Voltage，簡(jiǎn)稱(chēng)LV），超低電壓版（Ultra Low Voltage），這與Dothan相同。但由于采用了雙核心，英特爾對(duì)TDP（熱量設(shè)計(jì)功耗）標(biāo)準(zhǔn)做些許增加，標(biāo)準(zhǔn)電壓版將為32W，低電壓版為15W，相應(yīng)的Dothan則為27W和15W。盡管電壓增高了，但是Napa平臺(tái)的整體功耗并沒(méi)有增加，相反比當(dāng)前的Snoma平臺(tái)有所下降。這主要是因?yàn)樵赮onah中使用了名為“Intel Dynamic Power Coordination”的節(jié)能省電技術(shù)，可對(duì)CPU的雙核心進(jìn)行獨(dú)立的狀態(tài)控制。Yonah可根據(jù)整個(gè)系統(tǒng)的要求來(lái)完成工作任務(wù)，同時(shí)盡可能保持最低的工作狀態(tài)，即根據(jù)任務(wù)量的大小來(lái)選擇相應(yīng)的工作狀態(tài),保持工作頻率和工作電壓同步，從而可使功耗降到更低水平；而在原料上選擇了更低功耗的晶體管，還有全新的制造工藝，并引入了其增強(qiáng)深度睡眠技術(shù)，使得功耗和發(fā)熱量方面再進(jìn)一步得到降低。通過(guò)省電技術(shù)的不斷改進(jìn)，Intel希望可以在2010年之前使電池的使用時(shí)間達(dá)到8小時(shí)。

　　另外，Intel還為Yonah引入了全新的緩存管理機(jī)制Smart Cache，它使得兩個(gè)核心都能對(duì)內(nèi)置的2MB二級(jí)緩存進(jìn)行動(dòng)態(tài)緩存分配機(jī)制，也就是說(shuō)緩存可以根據(jù)需要而動(dòng)態(tài)地分配給需要的核心，這樣進(jìn)一步提高了緩存的利用率，大大提高了系統(tǒng)性能。