12月9日，Rambus線上設(shè)計(jì)峰會(huì)召開，針對(duì)數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)挑戰(zhàn)、5G邊緣計(jì)算，以及內(nèi)存接口方案如何提高人工智能和訓(xùn)練推理應(yīng)用程序的性能，Rambus中國(guó)區(qū)總經(jīng)理蘇雷和Rambus高速接口資深應(yīng)用工程師曹汪洋，數(shù)據(jù)安全資深應(yīng)用工程師張巖帶來最新的產(chǎn)業(yè)觀察和技術(shù)分享。
2020-12-21 22:15:27
5856 /s。 ? 過往，三星和SK海力士在HBM內(nèi)存領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位。目前，各大內(nèi)存廠商在HBM2E層面已經(jīng)開始鋪貨。就以SK海力士的節(jié)點(diǎn)來看，2020年
2021-08-23 10:03:281550 近年來，隨著內(nèi)存帶寬逐漸成為影響人工智能持續(xù)增長(zhǎng)的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一，以高帶寬內(nèi)存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角，成為搭配新一代AI/ML加速器和專用芯片的新型內(nèi)存解決方案
2020-10-23 15:20:174876 
然而在此過程中，我們除了看到AI對(duì)算力的要求以外，內(nèi)存帶寬也是限制AI芯片發(fā)展的另一個(gè)關(guān)鍵要HBM2E成為了AI芯片的一個(gè)優(yōu)先選擇，這也是英偉達(dá)在Tesla A100和谷歌在二代TPU上選擇這個(gè)內(nèi)存方案的原因。
2020-11-09 12:45:402443 HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器，通過使用先進(jìn)封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個(gè)DRAM芯片進(jìn)行堆疊，并與GPU一同進(jìn)行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:131471 
三星電子宣布推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存。它是第二代Aquabolt的后繼產(chǎn)品，具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩(wěn)定傳輸速度。
2020-02-05 13:40:231255 出貨將會(huì)專供于人工智能領(lǐng)域。在AI/ML當(dāng)中，內(nèi)存和I/O帶寬是影響系統(tǒng)性能至關(guān)重要的因素，這又促進(jìn)業(yè)界不斷提供最新的技術(shù)，去滿足內(nèi)存和I/O的帶寬性能需求。 ? 在英偉達(dá)、AMD的GPU/CPU芯片封裝中，已經(jīng)應(yīng)用到了HBM內(nèi)存技術(shù)，通過在一個(gè)2.5D封裝中將
2021-09-01 15:59:413663 帶寬上的限制，主打大帶寬的HBM也就順勢(shì)成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 ? 當(dāng)下JEDEC還沒有給出HBM3標(biāo)準(zhǔn)的最終定稿，但參與了標(biāo)準(zhǔn)制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準(zhǔn)備工作。不久前，Rambus就率先公布了支持HBM3的內(nèi)存子系統(tǒng)，近日，新思科
2021-10-12 09:33:073582 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）隨著AI芯片逐漸成為半導(dǎo)體市場(chǎng)的香餑餑，與之相關(guān)的附屬產(chǎn)物也在不斷升值，被一并炒熱。就拿高帶寬內(nèi)存HBM來說，無論是英偉達(dá)的GPU芯片，還是初創(chuàng)公司打造的AI芯片
2023-08-15 01:14:001120 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）新型存儲(chǔ)HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E
2023-10-25 18:25:242156 
基于ATOM E3825的3U PXIe 主板控制器一、板卡概述： 本主板采用intel ATOM 處理器 E3825 設(shè)計(jì)主板控制器，是一種低成本、低功耗解決方案。板卡采用Intel Bay
2016-03-31 11:47:05
HBM傳感器性能介紹 T10F扭矩傳感器可測(cè)量扭矩和轉(zhuǎn)速，是第一款扭矩法蘭，采用測(cè)量剪應(yīng)力替代扭矩應(yīng)力對(duì)扭矩進(jìn)行測(cè)量。這種技術(shù)是HBM公司的專利。它設(shè)計(jì)緊湊，占有非常小的空間；高側(cè)向的防護(hù)允許
2020-06-19 16:31:10
代表能夠自動(dòng)符合 OIML R60 標(biāo)準(zhǔn), 因此其測(cè)試條件更加嚴(yán)格?！ ∵@就是為什么，對(duì)于質(zhì)量控制的測(cè)量過程，HBM 新一代的 C6 精度稱重傳感器需要在實(shí)驗(yàn)室條件下測(cè)試的原因。其他廠商的相關(guān)產(chǎn)品也在
2018-11-02 16:11:12
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:53:43
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-03-12 16:05:56
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 22:58:49
概述: JS-9300A內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)
2009-03-13 15:46:57
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:50:27
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:55:45
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 23:00:19
這里寫目錄標(biāo)題STM32（CM3內(nèi)核） 內(nèi)存映射一.CM3內(nèi)核簡(jiǎn)介二.CM3內(nèi)核地址映射三.搭建代碼，實(shí)現(xiàn)映射STM32（CM3內(nèi)核） 內(nèi)存映射一.CM3內(nèi)核簡(jiǎn)介《CM3權(quán)威指南》摘抄一段簡(jiǎn)介
2022-02-11 07:48:56
的DDR3內(nèi)存控制器或內(nèi)存控制器生成的設(shè)計(jì)生成的設(shè)計(jì)，我得到此錯(cuò)誤“啟動(dòng)狀態(tài)結(jié)束：低。在我的設(shè)計(jì)或PCIe中只有PCIe內(nèi)核的其他比特流示例設(shè)計(jì)已成功配置。分享我的一些觀察， - 配置過程中電壓似乎穩(wěn)定
2020-06-09 15:48:02
產(chǎn)品，其它產(chǎn)品也將陸續(xù)推出。憑借其創(chuàng)新的架構(gòu)和強(qiáng)大的功能，SPEAr1310以最先進(jìn)的技術(shù)引領(lǐng)嵌入式市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)前所未有的成本競(jìng)爭(zhēng)力、性能以及靈活性?！眱?nèi)置DDR2/DDR3內(nèi)存控制器和完整的外設(shè)接口
2018-12-12 10:20:29
我正在制作一個(gè)我正在獲取數(shù)據(jù)的項(xiàng)目。每個(gè)數(shù)據(jù)等于一個(gè)內(nèi)存地址。我希望為每個(gè)內(nèi)存地址添加1內(nèi)存的時(shí)鐘是數(shù)據(jù)的兩倍，然后是數(shù)據(jù)的時(shí)鐘，因此ican獲取此內(nèi)存地址中的值，然后加1在測(cè)試臺(tái)我發(fā)送計(jì)數(shù)器的數(shù)據(jù)
2019-06-25 14:30:22
更積極，繼Altera之后賽靈思也宣布了集成HBM 2做內(nèi)存的FPGA新品，而且用了8GB容量?！ ?b class="flag-6" style="color: red">HBM顯存雖然首發(fā)于AMD顯卡上，不過HBM 2這一代FPGA廠商比GPU廠商更積極 AMD
2016-12-07 15:54:22
Rambus首次公布HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)，最大的關(guān)注點(diǎn)在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認(rèn)為是極限，因?yàn)榈搅?nm節(jié)點(diǎn)即使是finfet也不足以在保證性能的同時(shí)抑制漏電。所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來提高器件性能，7nm是一項(xiàng)非常復(fù)雜的技術(shù)。
2017-12-07 15:00:001552 見識(shí)過HBM的玩家對(duì)該技術(shù)肯定印象深刻，那么未來它又該如何發(fā)展呢？HPE（惠普企業(yè)級(jí)）公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些觀點(diǎn)，在他看來DDR內(nèi)存要走到盡頭了（DDR is Over），特別是一些需求高帶寬的場(chǎng)合中。
2018-03-22 08:54:484526 
高帶寬存儲(chǔ)器（High Bandwidth Memory，HBM）是超微半導(dǎo)體和SK Hynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合，像是圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備（如路由器、交換器）等。
2018-11-10 10:27:4930050 環(huán)球儀器旗下的FuzionSC半導(dǎo)體貼片機(jī)系列，能以表面貼裝速度實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體封裝的精準(zhǔn)技術(shù)。FuzionSC貼片機(jī)之所以能精確高組裝HBM內(nèi)存，皆因配備以下神器：
2020-09-04 09:28:132005 
三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計(jì)算能力，使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:461856 韓國(guó)SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142068 點(diǎn)擊藍(lán)字關(guān)注我們 從高性能計(jì)算到人工智能訓(xùn)練、游戲和汽車應(yīng)用，對(duì)帶寬的需求正在推動(dòng)下一代高帶寬內(nèi)存的發(fā)展。 HBM3將帶來2X的帶寬和容量，除此之外還有其他一些好處。雖然它曾經(jīng)被認(rèn)為是一種
2021-11-01 14:30:506602 
在FPGA上對(duì)傳統(tǒng)內(nèi)存進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試。先前的工作[20]，[22]，[23]，[47]試圖通過使用高級(jí)語言（例如OpenCL）在FPGA上對(duì)傳統(tǒng)存儲(chǔ)器（例如DDR3）進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試。相反，我們?cè)谧钕冗M(jìn)的FPGA上對(duì)HBM進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試。
2022-12-19 16:29:461267 憑借Rambus GDDR6 PHY所實(shí)現(xiàn)的新一級(jí)性能，設(shè)計(jì)人員可以為帶寬要求極為苛刻的工作負(fù)載提供所需的帶寬。和我們領(lǐng)先的HBM3內(nèi)存接口一樣，這項(xiàng)最新成就表明了我們不斷致力于開發(fā)最先進(jìn)的內(nèi)存性能，以滿足生成式AI等先進(jìn)計(jì)算應(yīng)用的需求。
2023-05-17 14:22:36574 HBM技術(shù)之下，DRAM芯片從2D轉(zhuǎn)變?yōu)?D，可以在很小的物理空間里實(shí)現(xiàn)高容量、高帶寬、低延時(shí)與低功耗，因而HBM被業(yè)界視為新一代內(nèi)存解決方案。
2023-06-30 16:31:33644 
據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，隨著人工智能（AI)服務(wù)器需求的激增，高帶寬內(nèi)存(HBM)的價(jià)格開始上漲。
2023-07-07 12:23:41395 近日，HBM成為芯片行業(yè)的火熱話題。據(jù)TrendForce預(yù)測(cè)，2023年高帶寬內(nèi)存（HBM）比特量預(yù)計(jì)將達(dá)到2.9億GB，同比增長(zhǎng)約60%，2024年預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增長(zhǎng)30%。
2023-07-11 18:25:08724 
SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請(qǐng)求。英偉達(dá)首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會(huì)在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39712 
在隨后大約1小時(shí)20分鐘的演講中，黃仁勛宣布全球首發(fā)HBM3e內(nèi)存——推出下一代GH200 Grace Hopper超級(jí)芯片。黃仁勛將它稱作“加速計(jì)算和生成式AI時(shí)代的處理器”。
2023-08-09 14:48:00517 
NVIDIA官方宣布了新一代GH200 Grace Hopper超級(jí)芯片平臺(tái)，全球首發(fā)采用HBM3e高帶寬內(nèi)存，可滿足世界上最復(fù)雜的生成式AI負(fù)載需求。
2023-08-10 09:37:12931 
2023年8月8日，NVIDIA創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛在計(jì)算機(jī)圖形年會(huì)SIGGRAPH上發(fā)布了HBM3e內(nèi)存新一代GH200 Grace Hopper超級(jí)芯片。這款芯片被黃仁勛稱為“加速計(jì)算和生成式AI時(shí)代的處理器”，旨在用于任何大型語言模型，以降低推理成本。
2023-08-11 16:29:17793 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e?！皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e，鞏固在針對(duì)ai的存儲(chǔ)器市場(chǎng)上的獨(dú)一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:49585 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場(chǎng)無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41552 HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展，它有著當(dāng)前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對(duì)AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07575 與此同時(shí)，SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中，無需修改其設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:13480 ，skjmnft同時(shí)已經(jīng)向英偉達(dá)等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局，每個(gè)堆棧為24 GB，采用1β 技術(shù)生產(chǎn)，具備出色的性能。Multiable萬達(dá)寶ERP具備數(shù)字化管理各個(gè)業(yè)務(wù)板塊,提升
2023-10-10 10:25:46428 基于英偉達(dá)的“Hopper”架構(gòu)的H200也是該公司第一款使用HBM3e內(nèi)存的芯片，這種內(nèi)存速度更快，容量更大，因此更適合大語言模型。英偉達(dá)稱：借助HBM3e，H200以每秒4.8TB的速度提供141GB的內(nèi)存，與A100相比，容量幾乎是其兩倍，帶寬增加了2.4倍。
2023-11-15 11:17:31379 Rambus產(chǎn)品營(yíng)銷高級(jí)總監(jiān) Frank Ferro 在
Rambus 設(shè)計(jì)展會(huì)上發(fā)表演講時(shí)表示：“
HBM 的優(yōu)點(diǎn)在于，可以在可變的范圍內(nèi)獲得所有這些帶寬，并且表示獲得了非常好的功耗?！?/div>
2023-11-15 15:50:19283 
NVIDIA H200的一大特點(diǎn)就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來自SK海力士)，單顆容量就多達(dá)141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了一點(diǎn)點(diǎn))，同時(shí)帶寬多達(dá)4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:13405 
由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測(cè)，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購(gòu)買分配權(quán)重值，還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-27 15:03:57457 
HBM4 預(yù)計(jì)將于 2026 年推出，具有針對(duì)英偉達(dá)和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強(qiáng)規(guī)格和性能。在更高速度的推動(dòng)下，HBM4 將標(biāo)志著其最底部邏輯芯片（基礎(chǔ)芯片）首次使用 12 納米工藝晶圓，由代工廠提供。
2023-11-28 09:45:13215 
目前，AI服務(wù)器對(duì)HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求量越來越大，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">HBM大大縮短了走線距離，從而大幅提升了AI處理器運(yùn)算速度。HBM經(jīng)歷了幾代產(chǎn)品，包括HBM、HBM2、HBM2e和HMB3，最新的HBM3e剛出樣品。
2023-11-28 09:49:10481 
由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測(cè)，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購(gòu)買分配權(quán)重值，還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-29 14:13:30376 
? 中國(guó)北京，2023年12月7日—— 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和IP核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布Rambus HBM3內(nèi)存控制器IP
2023-12-07 11:01:13124 
作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 內(nèi)存控制器 IP 現(xiàn)在可提供高達(dá) 9.6
2023-12-07 14:16:06342 大模型時(shí)代AI芯片必備HBM內(nèi)存已是業(yè)內(nèi)共識(shí)，存儲(chǔ)帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關(guān)健指標(biāo)，甚至某些場(chǎng)合超越算力，是最關(guān)鍵的性能指標(biāo)，而汽車行業(yè)也開始出現(xiàn)HBM內(nèi)存。
2023-12-12 10:38:11255 
數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加，HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場(chǎng)景。最近，內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:48941 
美光已明確表示，預(yù)期明年將進(jìn)占市場(chǎng)份額約5%，排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度，且計(jì)劃于2023年最后階段為英偉達(dá)提供測(cè)試。
2023-12-26 14:39:31165 英偉達(dá)（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司訂購(gòu)大量HBM3E內(nèi)存，為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場(chǎng)將新一輪競(jìng)爭(zhēng)。
2023-12-29 16:32:50613 據(jù)最新傳聞，英偉達(dá)正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級(jí)芯片，這也進(jìn)一步說明了對(duì)于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04276 1月2日消息，韓媒報(bào)道，NVIDIA已經(jīng)向SK海力士、鎂光，交付了700億至1萬億韓元（約合5.4億至7.7億美元）的預(yù)付款，業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)了這筆款項(xiàng)在10.8億美元到15.4億美元之間。
2024-01-02 16:31:12223 美國(guó)IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場(chǎng)迅速成長(zhǎng)。預(yù)計(jì)至2024年，HBM供應(yīng)緊缺問題將愈發(fā)嚴(yán)重。對(duì)此，三星計(jì)劃于2023年末和2024年初供應(yīng)第四代HBM產(chǎn)品HBM3，并計(jì)劃啟動(dòng)第五代HBM產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:02412 ABSTRACT摘要Nvidia表示，H200TensorCoreGPU具有更大的內(nèi)存容量和帶寬，可加快生成AI和HPC工作負(fù)載的速度。NvidiaH200是首款提供HBM3e的GPU，HBM3e
2024-01-17 08:25:26287 
值得一提的是，半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)周期通常共九個(gè)階段，而 SK 海力士已經(jīng)成功走過了各個(gè)環(huán)節(jié)，正在進(jìn)行最后的產(chǎn)量提升階段。這代表著現(xiàn)有的HBM3E產(chǎn)能均可滿足從此刻起NVIDIA的需求。
2024-02-20 15:53:45222 在嚴(yán)格的9個(gè)開發(fā)階段后，當(dāng)前流程全部完成，步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項(xiàng)目完結(jié)正是達(dá)產(chǎn)升能的標(biāo)志，這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達(dá)交付的條件。SK海力士計(jì)劃3月獲取英偉達(dá)對(duì)終品質(zhì)量的認(rèn)可，同步啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:05282 在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲(chǔ)器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長(zhǎng)達(dá)半年的性能評(píng)估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，并計(jì)劃在下個(gè)月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:08645 近日，全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發(fā)，并且已經(jīng)通過了英偉
2024-02-25 11:22:21403 目前，只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個(gè)平臺(tái)可以達(dá)到10TB/s的帶寬，單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率，內(nèi)存容量高達(dá)141GB。
2024-02-25 11:22:42135 美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達(dá)納（Sumit Sadana）稱，公司已實(shí)現(xiàn)HBM3E的市場(chǎng)首發(fā)和卓越性能，同時(shí)能耗具有顯著優(yōu)勢(shì)，使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占先機(jī)。他還強(qiáng)調(diào)，美光擁有業(yè)界頂尖的HBM3E及HBM4路線圖，DRAM與NAND技術(shù)相結(jié)合
2024-02-27 09:38:42127 美光指出，專為AI、超級(jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)的HBM3E預(yù)計(jì)2024年初量產(chǎn)，有望于2024會(huì)計(jì)年度創(chuàng)造數(shù)億美元的營(yíng)收。Mehrotra對(duì)分析師表示，“2024年1~12月，美光HBM預(yù)估全數(shù)售罄”。
2024-02-27 10:25:15154 “隨著AI行業(yè)對(duì)大容量HBM的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運(yùn)而生，”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個(gè)存儲(chǔ)方案是我們?cè)谌巳斯ぶ悄軙r(shí)代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示。”
2024-02-27 10:36:25232 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00269 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:21390 據(jù)手機(jī)資訊網(wǎng)站IT之家了解，MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊，并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)。另外，該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入，不僅與主要的存儲(chǔ)器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系，同時(shí)也與如臺(tái)積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:05188 美國(guó)記憶體制造巨頭美光（Micron）于26日宣布，其最新的高頻寬記憶體HBM3E已正式量產(chǎn)。此項(xiàng)技術(shù)將被用于今年第2季度的英偉達(dá)（NVIDIA）H200 Tensor Core GPU，標(biāo)志著
2024-02-28 14:17:10173 除了GPU，另一個(gè)受益匪淺的市場(chǎng)就是HBM了。HBM是一種高性能的內(nèi)存技術(shù)，能夠提供比傳統(tǒng)DRAM更高的帶寬和更低的延遲，這使得其在需要大量數(shù)據(jù)傳輸和處理的人工智能應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。
2024-02-29 09:43:05118 AI服務(wù)器出貨量增長(zhǎng)催化HBM需求爆發(fā)，且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加，經(jīng)測(cè)算，預(yù)期25年市場(chǎng)規(guī)模約150億美元，增速超過50%。
2024-03-01 11:02:53272 
其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存，并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:51569 
2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬
2024-03-04 18:51:41765 
美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，近日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。這一重要的里程碑式進(jìn)展再次證明了美光在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。
2024-03-05 09:16:28396 近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及影像產(chǎn)品制造商美光公司宣布，已開始大規(guī)模生產(chǎn)用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進(jìn)展不僅標(biāo)志著美光在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破，也預(yù)示著人工智能領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀鼮閺?qiáng)勁的計(jì)算能力支持。
2024-03-08 10:02:07157 三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實(shí)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:42195 三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。
2024-03-08 10:10:51179 這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對(duì)于存儲(chǔ)器領(lǐng)域HBM產(chǎn)品間競(jìng)爭(zhēng)壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場(chǎng)奪得先機(jī)，并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運(yùn)用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:501433 同日，SK海力士宣布啟動(dòng) HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個(gè)月。據(jù)稱，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項(xiàng)數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時(shí)內(nèi)處理多達(dá)約 33，800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:44311 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn)，將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21309 據(jù)悉，HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技術(shù)。至于GDDR7，有望在RTX 50系列顯卡中得到應(yīng)用。
2024-03-20 10:25:59150 HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53379 提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購(gòu)買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力，稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測(cè)試，未來可能增加采購(gòu)量。
2024-03-20 16:17:24390 英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系，計(jì)劃從后者采購(gòu)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時(shí)，三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士，后者已率先實(shí)現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:04338 據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲(chǔ)容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:1194 據(jù)最新消息透露，英偉達(dá)即將從今年9月開始大規(guī)模采購(gòu)12層HBM3E內(nèi)存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的震動(dòng)。
2024-03-26 10:59:06146 來源：集成電路前沿，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 3月25日消息，據(jù)報(bào)道，由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問題，英偉達(dá)所需的12層HBM3E內(nèi)存，將由三星獨(dú)家供貨，SK海力士出局！ 據(jù)了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:08131 據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對(duì)英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09107 12層HBM3e將每個(gè)堆?？捎玫目値捥岣叩襟@人的1,280GB/s，這比單個(gè)堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:0991 
HBM3自2022年1月誕生，便憑借其獨(dú)特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計(jì)算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性，更在技術(shù)上取得了顯著的突破。它采用了高達(dá)1024位的數(shù)據(jù)路徑，并以驚人的6.4 Gb/s的速率運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)819 Gb/s的帶寬，為高性能計(jì)算提供了強(qiáng)大的支持。
2024-03-30 14:34:101600 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）據(jù)報(bào)道，繼英偉達(dá)之后，全球多個(gè)科技巨頭都在競(jìng)購(gòu)SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E。半導(dǎo)體行業(yè)知情人士稱，各大科技巨頭都已經(jīng)在向SK海力士請(qǐng)求獲取HBM3E樣本，包括
2023-07-06 09:06:312165 
和B100兩款芯片。來源：英偉達(dá)官網(wǎng) ? 首款搭載HBM3e 的GPU ，推理速度幾乎是H100 的兩倍 ? 與A100和H100相比，H200最
2023-11-15 01:15:002296 
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