2019年三星晶圓代工論壇將如期于9月4日在東京舉行 將展示自家先進(jìn)制程技術(shù)

盡管日韓貿(mào)易沖突持續(xù)延燒，但三星電子原定9月在日本東京的晶圓代工論壇依然將如期舉行。屆時(shí)三星將展示自家先進(jìn)制程技術(shù)，并提供用于生產(chǎn)3納米以下芯片、名為“環(huán)繞閘極”（GAA）技術(shù)的制程套件。三星稱在GAA技術(shù)領(lǐng)先全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電一年，更超前英特爾（Intel）兩到三年。

韓國媒體BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，三星28日宣布，2019年“三星晶圓代工論壇”（SFF）將如期于9月4日在東京舉行，且已于26日在網(wǎng)站上開始受理報(bào)名。在日韓貿(mào)易緊張不斷升高之際，業(yè)界正懷疑這場論壇能否如期在東京舉行，三星這項(xiàng)決定消弭了外界的疑慮。

產(chǎn)業(yè)專家分析，三星想要傳達(dá)的訊息是，盡管面臨日本的“斷貨”威脅，三星電子旗下的晶圓代工事業(yè)不受中斷。

報(bào)導(dǎo)指出，三星將展示自家納米制程技術(shù)，并提供名為“環(huán)繞閘極”（GAA）技術(shù)的制程套件。GAA技術(shù)將用于3納米、甚至更精密的制程技術(shù)。

日本在4日加強(qiáng)管制三項(xiàng)重要半導(dǎo)體原料的出口，其中，日制光刻膠為極紫外光（EUV）微影技術(shù)的關(guān)鍵材料，讓三星的晶圓代工部門首當(dāng)其沖，也削弱與臺(tái)積電在7納米芯片的競逐能力。

EUV制程是三星欲在2030年于全球存儲(chǔ)器、無晶圓廠及晶圓代工業(yè)務(wù)穩(wěn)坐龍頭寶座的關(guān)鍵。在EUV制程與臺(tái)積電旗鼓相當(dāng)?shù)娜请娮樱祚R加鞭量產(chǎn)7納米芯片，希望能借此提前進(jìn)度超車臺(tái)積電。但日本本周非常有可能把韓國踢出“白色名單”，三星的高科技原料進(jìn)口預(yù)料將更加受限。

三星預(yù)定未來幾個(gè)月完成位于華城的第一條EUV芯片產(chǎn)線，并計(jì)劃之后在京畿道平澤建設(shè)另一條EUV產(chǎn)線。如今，三星一名高端主管指出，“考量到當(dāng)前情況，我們必須考慮投資新EUV產(chǎn)線的時(shí)機(jī)”。

三星電子自5月開始陸續(xù)在美國、上海及首爾舉辦晶圓代工論壇，待9月論壇落幕后，下一場將論壇于10月在德國慕尼黑登場。