0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

關(guān)于EUV機臺的性能分析和應用介紹

lC49_半導體 ? 來源:djl ? 2019-09-04 16:56 ? 次閱讀

三星有意一口氣買下10臺單價為1.76億美元的EUV。三星如果真的這樣做,那就會提升其在7nm等先進工藝上的領(lǐng)先優(yōu)勢。這一方面是由于EUV設(shè)備是未來集成電路發(fā)展的關(guān)鍵,另一方面則在于三星如果真能買下10臺,那么臺積電、Intel和格芯等廠商則會面臨幾乎未來一年內(nèi)無EUV設(shè)備可買的風險。

因為根據(jù)EUV設(shè)備唯一供應商——荷蘭ASML的消息顯示,他們每年大概能生產(chǎn)12臺EUV設(shè)備??紤]到三星之前已經(jīng)快對手一步購入了一些EUV設(shè)備,使得韓媒做出了這樣的猜測。但三星的計劃真的得逞嗎?

關(guān)于EUV機臺的性能分析和應用介紹

巨頭們的EUV布局,未來勝負的關(guān)鍵

在摩爾定律的指導下,經(jīng)歷數(shù)十年發(fā)展的集成電路開始面臨瓶頸:工藝制程進入10nm之后,過往的可見光光刻技術(shù)似乎不能應對如此小的溝通,因此業(yè)界將目光投向了EUV(極紫外光)光刻。

利用這種波長為13.4nm的光源打造的EUV光刻設(shè)備能夠在晶圓上刻上先進工藝所需的電路。于是包括臺積電、三星、Intel和格芯在內(nèi)的幾大先進晶圓代工廠都將目光投向了這個設(shè)備,并說出了他們在EUV光刻機上的布局和規(guī)劃:

首先在臺積電方面,雖然臺積電他們透露已經(jīng)在7nm研發(fā)上使用了7nm工藝,并實現(xiàn)了EUV掃描機、光罩和印刷的集成。但根據(jù)臺積電聯(lián)席CEO 劉德銀在2016年的某會議上的演講透露,臺積電方面認為EUV光刻工藝直到2020年才能有效量產(chǎn)。按照臺積電的路線圖,也就就是說,臺積電會在5nm上采用EUV工藝取代現(xiàn)在的傳統(tǒng)光刻。已達到在新工藝上提高密度,簡化工藝并降低成本的目的。

來到三星這邊似乎則更為激進。在之前的報道中我們看到,三星計劃在7nm制程中采用EUV光刻。在ASML與今年7月的半導體設(shè)備站上宣布突破了250瓦EUV光源的瓶頸后(光源功率(source power)──也就是傳送到掃描機以實現(xiàn)晶圓曝光的EUV光子(photon)數(shù)量之量測值──直接等同于生產(chǎn)力,芯片制造商一直以來都堅持250瓦的光源功率是達成每小時125片晶圓(WPH)生產(chǎn)量的必要條件,即production-ready。),三星宣布將會在2018年推出使用EUV等先進制造技術(shù)的7nm新工藝。

來到Intel方面,作為制造巨頭,英特爾在先進制程方面的引進相當克制。在早前的制程大會上,在問到EUV的布局上面,英特爾方面表示,從他們方面看來,EUV光刻的產(chǎn)能和配套服務(wù),目前還不能符合量產(chǎn)需求,因此他們會保持對新設(shè)備的關(guān)注,在適合的時候會進行公布。

來到格芯方面,在今年六月份,格芯公布了他們的7nm進度,根據(jù)他們的Roadmap,他們將會在2018年進入7nm,但是這時候用的是DUV技術(shù),根據(jù)他們的布局,會在2019年引入EUV技術(shù)。

三星真能壟斷EUV光刻機?

BusinessKorea的報道顯示,ASML從2000年開始就投入了EUV光刻的研究。在研發(fā)早期,三星和Intel就對ASML提供了極大的支持。

在2012年8月,三星宣布加入了ASML的客戶聯(lián)合投資計劃。根據(jù)協(xié)議規(guī)定,三星承諾在未來五年內(nèi)(從2012年算起),向ASML的次時代微影技術(shù)投入2.76億歐元,占整個項目13.8億歐元籌款目標的15%。與此同時三星向ASML投資了5.03億歐元,取得ASML約3%股權(quán)。

但到了2016年,三星宣布出售價值約6.06億歐元的ASML股權(quán),這占了當時ASML整體股權(quán)的1.45%。也就是說三星手上的ASML股權(quán)大約剩下1.55%。

英特爾方面也加入了三星的客戶聯(lián)合投資計劃,根據(jù)當時的報道,Intel參與ASML的計劃分為兩期,第一期目標為Intel投資5.53億歐元(6.8億美元)協(xié)助ASML開發(fā)18英寸晶圓制造工具,同時Intel將以17億歐元(21億美元)的代價收購ASML公司大約10%的盤前交易已發(fā)行股票。

第二期目標還要等ASML股東批準,它包括額外的2.76億歐元(3.4億美元)的有關(guān)EUV技術(shù)的R&D研發(fā)資金,以及價值8.38億歐元(10億美元)的5%盤后交易已發(fā)行股票。屆時Intel將持有ASML 15%股份,整個產(chǎn)權(quán)交易價值約為25億歐元(31億美元)。

作為協(xié)議的一部分,Intel需要提前購買ASML的450mm晶圓及EUV開發(fā)、生產(chǎn)工具。

臺積電方面也同時參與。當時消息顯示,臺積電將以8.38億歐元購買ASML的5%股權(quán),并同意在下一代光刻技術(shù)如超紫外技術(shù)和450毫米光刻設(shè)備的研發(fā)上向ASML投資2.76億歐元。不過臺積電在2015年全部處理了ASML 股權(quán),獲利6.95 億美元。

至于格芯方面,從公開信息查找,似乎他們并沒有參與這個計劃。

如果光從股權(quán)上看,則是Intel、三星、臺積電三者按照從先到后,如果這些股份占有董事會的決策權(quán)的話,那么Intel在ASML中的話事權(quán)似乎更大,三星想一下子包攬所有的EUV設(shè)備,是否會獲得來自Intel等的阻撓,這未能盡知。

這些基于股權(quán)話事的說法是來自作者的猜測,不過按照常理,Intel和三星等投入到ASML的計劃和股份中,除了推動EUV的進展,共同受益外,在未來競購中處于領(lǐng)先地位,應該也是他們前赴后繼投入的一個重要原因。

當然,至于隱藏在后面的具體細則,作者未能得知,希望有知情者透露。

我們不妨從EUV之前的購買狀況來分析一下。

根據(jù)ASML的公開信息顯示, 2016年第四季度賣掉了6臺EUV光刻機,而根據(jù)分析師透露,當中的五臺都是賣給了臺積電。

三星方面無疑是最大買主,據(jù)相關(guān)消息透露,他們已經(jīng)購入了超過十臺的EUV設(shè)備,并將其裝設(shè)于韓國華城市的18號生產(chǎn)線(Line 18)全力搶占晶圓代工版圖。

至于英特爾方面,和他們的EUV規(guī)劃一樣,沒有消息透露他們買了多少臺設(shè)備,但在2015年,有消息泄露有美商一口氣買了好幾臺EUV光刻機。有人就猜測那是Intel。

至于格芯方面的具體布局依然是沒有消息源可尋。

正如開頭所說,ASML今年的EUV產(chǎn)能是12臺,全部銷售一空,但他們在明年會將產(chǎn)能提升到24臺。但根據(jù)ASML在7月發(fā)布的報告顯示,他們擠壓的EUV訂單已經(jīng)達到了21臺??紤]到現(xiàn)在晶圓廠的競爭情況,未來的競爭肯定會加劇的。

綜上所述,三星想一口氣買下所有的EUV光刻機,也許只是一個大膽的設(shè)想。不過考慮三星之前斥巨資壟斷了OLED生產(chǎn)關(guān)鍵設(shè)備供應商CanonTokki多年的產(chǎn)能,可以看出三星再次做出這種事也有很大可能。通過內(nèi)存瘋長掙得盤滿缽滿的韓國巨頭現(xiàn)在真可謂是財大氣粗,況且對ASML來說,Business is business,和誰不是做生意呢?

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 臺積電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    5577

    瀏覽量

    165876
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    4785

    瀏覽量

    127590
  • EUV
    EUV
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    601

    瀏覽量

    85920
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    ASM推出全新PE2O8碳化硅外延機臺

    全新推出的PE2O8碳化硅外延機臺是對行業(yè)領(lǐng)先的ASM單晶片碳化硅外延機臺產(chǎn)品組合(包含適用于6英寸晶圓的 PE1O6 和適用于8英寸晶圓的 PE1O8)的進一步增強。該機臺采用獨立雙腔設(shè)計,兼容6
    發(fā)表于 10-17 14:21 ?83次閱讀
    ASM推出全新PE2O8碳化硅外延<b class='flag-5'>機臺</b>

    ASM推出全新PE2O8碳化硅外延機臺

    全新推出的PE2O8碳化硅外延機臺是對行業(yè)領(lǐng)先的ASM單晶片碳化硅外延機臺產(chǎn)品組合(包含適用于6英寸晶圓的 PE1O6 和適用于8英寸晶圓的 PE1O8)的進一步增強。該機臺采用獨立雙腔設(shè)計,兼容6
    發(fā)表于 10-17 14:11 ?234次閱讀
    ASM推出全新PE2O8碳化硅外延<b class='flag-5'>機臺</b>

    日本大學研發(fā)出新極紫外(EUV)光刻技術(shù)

    近日,日本沖繩科學技術(shù)大學院大學(OIST)發(fā)布了一項重大研究報告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外(EUV)光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當前半導體制造業(yè)的標準界限,其設(shè)計的光刻設(shè)備能夠采用更小巧的EUV光源,并且功耗僅為傳統(tǒng)EUV
    的頭像 發(fā)表于 08-03 12:45 ?746次閱讀

    加速科技ST2500EX測試機臺再獲封測廠超千萬訂單

    近日,加速科技自主研發(fā)的ST2500EX測試機臺再次斬獲測試廠超千萬訂單! ST2500EX測試機臺以其卓越的性能和可靠的穩(wěn)定性備受市場認可與青睞。作為加速科技的核心產(chǎn)品之一,性能成熟
    的頭像 發(fā)表于 07-23 09:48 ?225次閱讀
    加速科技ST2500EX測試<b class='flag-5'>機臺</b>再獲封測廠超千萬訂單

    臺積電A16制程采用EUV光刻機,2026年下半年量產(chǎn)

    據(jù)臺灣業(yè)內(nèi)人士透露,臺積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV光刻機,而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機進行生產(chǎn)。相較之下,英特爾和三星則計劃在此階段使用最新的High-NA EUV光刻機。
    的頭像 發(fā)表于 05-17 17:21 ?809次閱讀

    SAGE算法的性能分析

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SAGE算法的性能分析.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 02-28 10:38 ?0次下載

    安達發(fā)|APS生產(chǎn)排程的多機臺產(chǎn)線詳解

    在生產(chǎn)管理中,APS(高級計劃與排程)系統(tǒng)它可以幫助企業(yè)實現(xiàn)生產(chǎn)過程的優(yōu)化和效率提升。特別是在多機臺產(chǎn)線的生產(chǎn)環(huán)境中,APS系統(tǒng)的作用更加明顯。本文將詳細解析APS生產(chǎn)排程的多機臺產(chǎn)線,包括允許
    的頭像 發(fā)表于 02-21 16:07 ?375次閱讀
    安達發(fā)|APS生產(chǎn)排程的多<b class='flag-5'>機臺</b>產(chǎn)線詳解

    如何獲得高純度的EUV光源?EUVL光源濾波系統(tǒng)的主流技術(shù)方案分析

    目前,商用EUV光刻機采用激光等離子體型-極紫外(LPP-EUV)光源系統(tǒng),主要由驅(qū)動激光器、液滴錫靶、收集鏡組成。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 10:18 ?933次閱讀
    如何獲得高純度的<b class='flag-5'>EUV</b>光源?EUVL光源濾波系統(tǒng)的主流技術(shù)方案<b class='flag-5'>分析</b>

    ASML為什么能在EUV領(lǐng)域獲勝?

    在討論ASML以及為何復制其技術(shù)如此具有挑戰(zhàn)性時,分析通常集中在EUV機器的極端復雜性上,這歸因于競爭對手復制它的難度。
    發(fā)表于 01-17 10:46 ?309次閱讀
    ASML為什么能在<b class='flag-5'>EUV</b>領(lǐng)域獲勝?

    帶阻濾波器:原理、應用及性能分析

    帶阻濾波器:原理、應用及性能分析?|深圳比創(chuàng)達電子EMC
    的頭像 發(fā)表于 12-11 10:43 ?1186次閱讀
    帶阻濾波器:原理、應用及<b class='flag-5'>性能</b><b class='flag-5'>分析</b>?

    高數(shù)值孔徑 EUV技術(shù)路線圖

    高數(shù)值孔徑EUV 今年的大部分討論都集中在EUV的下一步發(fā)展以及高數(shù)值孔徑EUV的時間表和技術(shù)要求上。ASML戰(zhàn)略營銷高級總監(jiān)Michael Lercel表示,其目標是提高EUV的能源
    發(fā)表于 11-23 16:10 ?645次閱讀
    高數(shù)值孔徑 <b class='flag-5'>EUV</b>技術(shù)路線圖

    GPRS的性能分析及優(yōu)化

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GPRS的性能分析及優(yōu)化.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 11-17 16:31 ?0次下載
    GPRS的<b class='flag-5'>性能</b><b class='flag-5'>分析</b>及優(yōu)化

    如何使用perf性能分析工具

    放在一起,是內(nèi)核級的工具。perf是在Linux上做剖析分析的首選工具。 perf命令介紹 perf 工具提供了一組豐富的命令來收集和分析性能和跟蹤數(shù)據(jù)。perf支持的命令如下: us
    的頭像 發(fā)表于 11-08 15:36 ?1299次閱讀
    如何使用perf<b class='flag-5'>性能</b><b class='flag-5'>分析</b>工具

    什么是EUV光刻?EUV與DUV光刻的區(qū)別

    EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光,涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上,用于微芯片設(shè)計過程中的后續(xù)步驟。
    發(fā)表于 10-30 12:22 ?2446次閱讀

    關(guān)于相位鎖定環(huán)(PLL)頻率合成器的設(shè)計和分析

    本篇文章是關(guān)于相位鎖定環(huán)(PLL)頻率合成器的設(shè)計和分析,重點討論了相位噪聲和頻率噪聲的測量、建模和仿真方法。文章以設(shè)計一個假想的PLL頻率合成器為例,詳細介紹了設(shè)計過程和步驟。從規(guī)格選擇、電路配置
    的頭像 發(fā)表于 10-26 15:30 ?1502次閱讀
    <b class='flag-5'>關(guān)于</b>相位鎖定環(huán)(PLL)頻率合成器的設(shè)計和<b class='flag-5'>分析</b>