東芝新型XL-Flash技術(shù)下月送樣 預(yù)計將于2020年開始量產(chǎn)

東芝存儲器總部位于美國的子公司Toshiba Memory America，Inc.（TMA）今天宣布推出新的存儲器（SCM）解決方案：XL-FLASH 。

XL-FLASH是基于該公司創(chuàng)新的BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)，每單元1比特SLC，將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來低延遲和高性能的解決方案。樣品將于9月開始出貨，預(yù)計將于2020年開始量產(chǎn)。

圖片來源：東芝官網(wǎng)

介于DRAM和NAND Flash之間，XL-FLASH的速度快，延遲低，并且有更高的存儲容量。和傳統(tǒng)DRAM相比它的成本也更低。一開始XL-FLASH是被布局在SSD產(chǎn)品上，但之后也會應(yīng)用在DRAM的產(chǎn)品上，比如未來行業(yè)標準的非易失性雙列直插式內(nèi)存模塊(NVDIMMs)。

主要特點

128Gb Die（2Die（32GB）、4Die（64GB）、8Die（128GB）封裝） ；

4KB Page大小，高效的操作系統(tǒng)的讀寫 ；

16-plane更高效的并行架構(gòu) ；

快速的讀取頁面和編程時間，XL-Flash提供小于5微秒的低讀取延遲，比現(xiàn)有TLC快10倍。

東芝存儲器子公司TMA存儲業(yè)務(wù)部高級副總裁兼總經(jīng)理Scott Nelson表示，“借助XL-FLASH，我們?yōu)槌笠?guī)模制造商和企業(yè)服務(wù)器/存儲供應(yīng)商提供了一種更具成本效益，更低延遲的存儲解決方案，彌補了DRAM與NAND性能之間的差距?！?/p>