微芯模擬嵌入式SuperFlash技術(shù),提升邊緣AI推理能力

隨著人工智能（AI）處理從云端轉(zhuǎn)移至網(wǎng)絡(luò)邊緣，電池供電的深度嵌入式設(shè)備在執(zhí)行AI任務(wù)（如計(jì)算機(jī)視覺和語音識(shí)別）時(shí)正面臨挑戰(zhàn)。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）通過旗下子公司冠捷半導(dǎo)體（SST），推出可顯著降低功耗的模擬存儲(chǔ)器技術(shù)——memBrain?神經(jīng)形態(tài)存儲(chǔ)器解決方案，以有效應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。Microchip的模擬存儲(chǔ)器解決方案基于業(yè)界認(rèn)可的SuperFlash?技術(shù)，同時(shí)針對(duì)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的矢量矩陣乘法（VMM）執(zhí)行進(jìn)行優(yōu)化，通過模擬存儲(chǔ)計(jì)算方法改進(jìn)VMM的系統(tǒng)架構(gòu)實(shí)施，提高邊緣AI推理能力。

由于當(dāng)前的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型可能需要50M或更多的突觸（權(quán)重）來處理，因此為芯片外DRAM提供足夠的帶寬變得困難，成為神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算的瓶頸，同時(shí)導(dǎo)致整體計(jì)算功耗的提高。相比之下，memBrain解決方案將突觸權(quán)重存儲(chǔ)在片上浮動(dòng)?xùn)胖?，從而顯著改善系統(tǒng)時(shí)延。與傳統(tǒng)的基于數(shù)字DSP和SRAM/DRAM的方法相比，新產(chǎn)品的功耗降低了10到20倍，并顯著降低了整體物料清單（BOM）。

SST技術(shù)許可部副總裁Mark Reiten表示：“隨著汽車、工業(yè)和消費(fèi)類市場(chǎng)的技術(shù)供應(yīng)商繼續(xù)為神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實(shí)施VMM，我們的架構(gòu)可幫助提升這些前瞻性解決方案的功耗、成本和時(shí)延性能。Microchip將繼續(xù)為AI應(yīng)用提供高可靠性和多功能的SuperFlash存儲(chǔ)器解決方案?！?/p>

希望提高邊緣設(shè)備機(jī)器學(xué)習(xí)能力的公司已經(jīng)開始采用memBrain解決方案。由于能夠顯著降低功耗，memBrain模擬存儲(chǔ)器計(jì)算解決方案是所有AI應(yīng)用的理想選擇。Syntiant公司首席執(zhí)行官Kurt Busch表示：“Microchip的memBrain解決方案可為我們即將推出的模擬神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器提供超低功耗的存儲(chǔ)計(jì)算。我們?yōu)檫吘壴O(shè)備上的語音、圖像和其他傳感器模式中的不間斷應(yīng)用提供各種普適機(jī)器學(xué)習(xí)功能，與Microchip的合作為Syntiant帶來了許多關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)?！?/p>

SST將在2019年美國閃存峰會(huì)上展示本款模擬存儲(chǔ)器解決方案，同時(shí)在人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)專業(yè)論壇上展示Microchip的基于memBrain產(chǎn)品區(qū)塊陣列的閃存性能擴(kuò)展架構(gòu)。2019年美國閃存峰會(huì)將于2019年8月6日至8日在加利福尼亞州圣克拉拉市圣克拉拉會(huì)議中心舉行。

開發(fā)工具

SST為其memBrain解決方案和SuperFlash技術(shù)提供設(shè)計(jì)服務(wù)，并提供用于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型分析的軟件工具包。