聯(lián)電第4季產(chǎn)能利用率逾9成 并看好明年RF SOI的8英寸營(yíng)收占比將達(dá)雙位數(shù)

晶圓代工廠聯(lián)電第4季受惠客戶需求回溫，產(chǎn)能利用率逾9成，法人估營(yíng)收將季增1成，明年首季雖然適逢淡季，但受惠產(chǎn)能利用率持續(xù)提升，營(yíng)收可望持平第4季，并看好明年RF SOI的8英寸營(yíng)收占比將達(dá)雙位數(shù)，整體8英寸晶圓代工產(chǎn)能利用率將持續(xù)拉升。

聯(lián)電第4季營(yíng)收成長(zhǎng)主要?jiǎng)幽?，除本季完成收?gòu)的日本三重富士通半導(dǎo)體12英寸晶圓廠外，通訊與電腦市場(chǎng)領(lǐng)域新品布建及庫(kù)存回補(bǔ)需求，也是動(dòng)能之一，在5G手機(jī)射頻芯片、OLED驅(qū)動(dòng)芯片，及用于電腦周邊和固態(tài)硬盤的電源管理芯片需求推升下，帶動(dòng)出貨量成長(zhǎng)。

聯(lián)電估，第4季晶圓出貨量成長(zhǎng)10%，ASP則將持平，預(yù)估毛利率約14-16%，法人估第4季營(yíng)收將季增約1成。而明年第1季受惠產(chǎn)能利用率持續(xù)拉升，加上28納米及高毛利率的40納米制程需求提升，預(yù)估第1季營(yíng)收將持平第4季，毛利率可望回升至16.9%。

5G時(shí)代來(lái)臨，而sub-6GHz 5G將與LTE共存，使RF零組件復(fù)雜度增加，法人看好，由于RF SOI（絕緣層上覆硅）特殊制程，在開(kāi)關(guān)與調(diào)諧器整合上具備優(yōu)勢(shì)，可望帶動(dòng)RF SOI需求持續(xù)加溫。

聯(lián)電目前RF SOI在8英寸晶圓的營(yíng)收占比約7-9%，法人預(yù)期，明年將進(jìn)一步提升至10-15%，加上PMIC業(yè)務(wù)動(dòng)能增溫，看好明年聯(lián)電8英寸業(yè)務(wù)將穩(wěn)健成長(zhǎng)，產(chǎn)能利用率也將持續(xù)拉升。

聯(lián)電共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰日前也表示，目前8英寸產(chǎn)能利用率大多在9成以上至滿載狀態(tài)，5G需求今年下半年起加溫，看好明年將有爆發(fā)性動(dòng)能。
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