兆易創(chuàng)新DRAM芯片最晚將于2025年量產(chǎn) 鞏固并提高公司的市場(chǎng)地位和綜合競(jìng)爭(zhēng)力

此前，兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行A股股票預(yù)案，公司擬向不超過10名特定投資者非公開發(fā)行股票不超過64，224，315股（含本數(shù)），募集資金總額（含發(fā)行費(fèi)用）不超過人民幣432，402.36萬元，用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。近日，兆易創(chuàng)新在此次非公開發(fā)行A股股票申請(qǐng)文件的反饋意見的回復(fù)中，透露了具體規(guī)劃。

表中可知，兆易創(chuàng)新DRAM芯片2021年完成客戶驗(yàn)證，最晚將于2025年量產(chǎn)。

兆易創(chuàng)新披露，公司Flash芯片的下游客戶與DRAM芯片的下游客戶重合度較高。

對(duì)首款芯片試樣片進(jìn)行封裝測(cè)試，后送至系統(tǒng)芯片商處進(jìn)行功能性認(rèn)證，認(rèn)證完畢后送至客戶進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證，包含功能測(cè)試、壓力測(cè)試、燒機(jī)驗(yàn)證等，通過所有驗(yàn)證后完成客戶驗(yàn)證，驗(yàn)證完成后進(jìn)行小批量產(chǎn)，實(shí)施時(shí)間預(yù)計(jì)在2021年。

另外，兆易創(chuàng)新表示，公司擬通過本項(xiàng)目，研發(fā)1Xnm級(jí)（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術(shù)，設(shè)計(jì)和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本項(xiàng)目的成功實(shí)施，有助于公司豐富自身產(chǎn)品線，有效整合產(chǎn)業(yè)資源，鞏固并提高公司的市場(chǎng)地位和綜合競(jìng)爭(zhēng)力。
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