曝三星已開(kāi)始量產(chǎn)6納米制程 將與臺(tái)積電展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)

在晶圓代工龍頭臺(tái)積電幾乎通吃市場(chǎng)7納米制程產(chǎn)品的情況下，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星在7納米制程上幾乎無(wú)特別的訂單斬獲。為了再進(jìn)一步與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，三星則開(kāi)始發(fā)展6納米制程產(chǎn)線與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，而且也在2019年12月開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。三星希望藉由6納米制程的量產(chǎn)，進(jìn)一步縮小與臺(tái)積電之間的差距。

根據(jù)韓國(guó)媒體《BusinessKorea》的報(bào)導(dǎo)指出，三星在發(fā)展出7納米制程之后的8個(gè)月內(nèi)就推出了6納米制程產(chǎn)品，顯示其在晶圓代工領(lǐng)域上的微縮時(shí)間開(kāi)始縮短。并且藉由2019年12月就開(kāi)始量產(chǎn)的6納米制程，期望能進(jìn)一步減少與臺(tái)積電之間的差距。

報(bào)導(dǎo)還引用三星合作伙伴的說(shuō)法指出，三星的6納米制程產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始交付給北美的大型客戶使用。而根據(jù)韓國(guó)市場(chǎng)人士的推測(cè)，此北美大型客戶極有可能為行動(dòng)處理器龍頭高通。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，三星是在2019年12月在韓國(guó)京畿道的華城廠區(qū)S3線內(nèi)開(kāi)始量產(chǎn)內(nèi)含EUV技術(shù)的6納米制程。而在此之前，三星在2019年4月就開(kāi)始向全球客戶提供7納米制程的產(chǎn)品。如今，再推出6納米產(chǎn)品的時(shí)間僅差距8個(gè)月，顯示其進(jìn)行制程微縮的時(shí)間正在縮短。而與7納米產(chǎn)品相比，6納米產(chǎn)品提供了芯片更小的尺寸，更低的能耗，以及更高的運(yùn)算效能。

事實(shí)上，雖然三星在2019年4月份就開(kāi)始對(duì)全球客戶進(jìn)行7納米制程產(chǎn)品的供應(yīng)，不過(guò)隨后的接單情況一直不盡理想。

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究中心（DRAMeXchange）的最新報(bào)告指出，2019年第4季，臺(tái)積電在全球晶圓代工市場(chǎng)的市占率為52.7%，與三星則僅有17.8%，雙方之間的差距不緊沒(méi)有縮小，而且還在擴(kuò)大之中。而這情況連過(guò)去與三星關(guān)系頗佳的高通，也都在2019年技術(shù)高峰會(huì)上所發(fā)表的7款產(chǎn)品，其中4款交由臺(tái)積電的7納米制程來(lái)生產(chǎn)，其他三星則拿下3項(xiàng)產(chǎn)品，這情況就可以察覺(jué)，臺(tái)積電的不斷成長(zhǎng)，對(duì)于三星的壓力有多巨大。

報(bào)導(dǎo)還表示，三星過(guò)去未能追趕上臺(tái)積電的主要原因是，是三星在14納米和10納米制程之后，開(kāi)發(fā)7納米制程的時(shí)間太晚。這使得臺(tái)積電透過(guò)其成熟的7納米制程，為蘋(píng)果獨(dú)家生產(chǎn)了A系列處理器。

而相較之下，三星在2014年首次將14納米FinFET制程商業(yè)化之后，但在7納米制程的開(kāi)發(fā)中卻失去了與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)的優(yōu)勢(shì)。目前，7納米產(chǎn)品在三星銷售中所占的比例很小。為了克服這個(gè)問(wèn)題，三星正在加緊研發(fā)，以縮短7納米以下先進(jìn)制程的開(kāi)發(fā)周期。

目前在大量生產(chǎn)6納米制程產(chǎn)品之后，三星計(jì)劃在2020年上半年推出5納米制程產(chǎn)品。此外，三星電子可能會(huì)在2020年上半年量產(chǎn)3納米制程產(chǎn)品。日前，三星已經(jīng)宣布完成以GAA技術(shù)為基礎(chǔ)的3納米制程的開(kāi)發(fā)工作，藉由GAA技術(shù)可以克服半導(dǎo)體制程微縮的瓶頸，進(jìn)一步朝下個(gè)節(jié)點(diǎn)前進(jìn)。
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