臺(tái)積電5納米晶圓代工制程量產(chǎn)將在第二季度就緒 與博通強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手并延伸了5納米價(jià)值鏈

晶圓代工龍頭臺(tái)積電3日宣布與全球IC設(shè)計(jì)龍頭博通（Broadcom）攜手合作強(qiáng)化CoWoS（基板上晶圓上芯片封裝）平臺(tái)，支援業(yè)界首創(chuàng)且最大的兩倍光罩尺寸（2X reticle size）中介層，面積約1，700平方毫米，將可支援臺(tái)積電即將量產(chǎn)的5納米先進(jìn)制程。

臺(tái)積電完成5納米晶圓代工到后段封裝測(cè)試的一條龍制程，并確保今年成為全球唯一量產(chǎn)5納米的半導(dǎo)體廠(chǎng)。

臺(tái)積電已準(zhǔn)備好第二季5納米晶圓代工制程進(jìn)入量產(chǎn)，蘋(píng)果及華為海思是主要兩大客戶(hù)，包括高通、博通、聯(lián)發(fā)科、超微等大客戶(hù)后續(xù)也將開(kāi)始展開(kāi)5納米芯片設(shè)計(jì)定案并導(dǎo)入量產(chǎn)。為了建立完整生產(chǎn)鏈，臺(tái)積電在先進(jìn)封裝技術(shù)上再突破，包括建立整合扇出型（InFO）及CoWoS等封測(cè)產(chǎn)能支援，系統(tǒng)整合芯片（SoIC）及晶圓堆棧晶圓（WoW）等3D IC封裝制程預(yù)期2021年之后進(jìn)入量產(chǎn)。

臺(tái)積電此次與博通合作的新世代CoWoS封裝技術(shù)，延伸了5納米價(jià)值鏈。

其中，新世代CoWoS中介層由兩張全幅光罩拼接構(gòu)成，能夠大幅提升運(yùn)算能力，藉由更多的系統(tǒng)單晶片（SoC）來(lái)支援先進(jìn)的高效能運(yùn)算系統(tǒng)，并且也準(zhǔn)備就緒以支援臺(tái)積電下一世代的5納米制程技術(shù)。

此項(xiàng)新世代CoWoS技術(shù)能夠容納多個(gè)邏輯系統(tǒng)單晶片、以及多達(dá)6個(gè)高頻寬存儲(chǔ)器（HBM）立方體，提供高達(dá)96GB的存儲(chǔ)器容量。此外，此技術(shù)提供每秒高達(dá)2.7兆位元的頻寬，相較于臺(tái)積電2016年推出的CoWoS解決方案，速度增快2.7倍。CoWoS解決方案具備支援更高存儲(chǔ)器容量與頻寬的優(yōu)勢(shì)，非常適用于存儲(chǔ)器密集型的處理工作，例如深度學(xué)習(xí)、5G網(wǎng)絡(luò)、具有節(jié)能效益的數(shù)據(jù)中心等。

在臺(tái)積電與博通合作的CoWoS平臺(tái)之中，博通定義了復(fù)雜的上層芯片、中介層、以及HBM結(jié)構(gòu)，臺(tái)積電則是開(kāi)發(fā)堅(jiān)實(shí)的生產(chǎn)制程來(lái)充分提升良率與效能，以滿(mǎn)足兩倍光罩尺寸中介層帶來(lái)的特有挑戰(zhàn)。透過(guò)數(shù)個(gè)世代以來(lái)開(kāi)發(fā)CoWoS平臺(tái)的經(jīng)驗(yàn)，臺(tái)積電創(chuàng)新開(kāi)發(fā)出獨(dú)特的光罩接合制程，能夠?qū)oWoS平臺(tái)擴(kuò)充超過(guò)單一光罩尺寸的整合面積，并將此強(qiáng)化的成果導(dǎo)入量產(chǎn)。

臺(tái)積電研究發(fā)展組織系統(tǒng)整合技術(shù)副總經(jīng)理余振華表示，自從CoWoS平臺(tái)于2012年問(wèn)世以來(lái)，臺(tái)積電在研發(fā)上的持續(xù)付出與努力，將CoWoS中介層的尺寸加倍，展現(xiàn)持續(xù)創(chuàng)新的成果。

臺(tái)積電與博通在CoWoS上的合作是一個(gè)絕佳的范例，透過(guò)與客戶(hù)緊密合作來(lái)提供更優(yōu)異的系統(tǒng)級(jí)高效能運(yùn)算表現(xiàn)。
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