我國(guó)首個(gè)5G微基站射頻芯片YD9601流片成功 測(cè)試顯示搭載這組芯片的設(shè)備抗衰減能力提升了10dB左右

3月4日消息，隨著5G通信的逐步推進(jìn)，較高的頻率引發(fā)的技術(shù)新熱點(diǎn)也引起關(guān)注，商用樓宇和家庭室內(nèi)的信號(hào)補(bǔ)盲問(wèn)題就是其中之一。近日，我國(guó)首個(gè)5G微基站射頻芯片YD9601，在南京宇都通訊科技有限公司經(jīng)過(guò)自主研發(fā)流片成功，目前正在進(jìn)行封裝測(cè)試。

據(jù)了解，5G基站分為宏基站和微基站兩種。宏基站主要用于室外覆蓋，5G微基站主要用于室內(nèi)，發(fā)射功率較?。ㄒ话?00毫瓦以內(nèi)），廣泛用于機(jī)場(chǎng)高鐵等候區(qū)域、商業(yè)場(chǎng)所、商業(yè)樓宇、學(xué)校醫(yī)院、園區(qū)工廠和社區(qū)家庭等場(chǎng)景。

5G微基站可以以較低成本有效解決室內(nèi)覆蓋區(qū)域的容量（如機(jī)場(chǎng)、高鐵和商業(yè)場(chǎng)等熱點(diǎn)區(qū)域）和覆蓋問(wèn)題（如商業(yè)樓宇和家庭）。

據(jù)報(bào)道，***、美國(guó)麻省理工學(xué)院博士王俊峰表示，5G微基站射頻芯片項(xiàng)目是我們自主研發(fā)的有線射頻寬帶芯片組的拓展。

此前在推出5G微基站射頻芯片之前，宇都通訊通過(guò)研發(fā)有線射頻寬帶HiNOC2.0芯片，擁有了長(zhǎng)期的射頻芯片技術(shù)積累。

據(jù)悉，HiNOC2.0是我國(guó)下一代有線射頻寬帶廣電接入標(biāo)準(zhǔn)，南京宇都HiNOC2.0射頻/基帶芯片組可實(shí)現(xiàn)600兆每秒的下行速率，完全可與國(guó)際巨頭的同類產(chǎn)品對(duì)標(biāo)。

在中國(guó)廣播科學(xué)研究院進(jìn)行的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試中，搭載這組芯片的設(shè)備在85dB的線路衰耗下仍可接入，相比對(duì)標(biāo)的國(guó)際巨頭同類產(chǎn)品，抗衰減能力提升了10dB左右，這使其更能適應(yīng)國(guó)內(nèi)復(fù)雜、惡劣的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境。

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