中芯國(guó)際14nm能夠發(fā)揮7nm工藝存疑

我們要不要過分夸大中芯國(guó)際呢，14nm能夠發(fā)揮7nm工藝的水平？如果說14nm高于12nm，筆者是相信的，畢竟當(dāng)年的iphone 6s的兩個(gè)處理器是混用的。但是，iphone 6s雖然有高通的版本，但是和三星一比，確實(shí)14nm的功耗更低，續(xù)航更強(qiáng)。

那么，臺(tái)積電目前什么情況呢？

◆ 在2019年，中芯在第四季度14納米工藝已經(jīng)量產(chǎn)，并帶來了768萬美元的營(yíng)收。

◆ 組成中芯國(guó)際的N+1工藝和現(xiàn)有的14納米工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

確實(shí)，在不斷更新技術(shù)的同時(shí)，雖然中芯在努力，可是目前的國(guó)際社會(huì)中，相對(duì)比較薄弱，我們知道的是，高通已經(jīng)發(fā)布X60基帶，基于5nm工藝。

所以，中芯的技術(shù)，還是偏落后的。本來答應(yīng)中芯的AMSL的7nm EUV光刻機(jī)，也因?yàn)榇蠡鸲七t了，確實(shí)我們也能夠感受到這種無奈，因?yàn)楦鞣N限制，中芯國(guó)際的光刻技術(shù)頻頻受阻。

而14nm即使怎么優(yōu)化，都很難達(dá)到7nm工藝的優(yōu)勢(shì)，特別是7nm EUV。雖然，臺(tái)積電用DUV做到了7nm，可是只有EUV才能更好的控制成本，也為以后的發(fā)展做準(zhǔn)備。

中芯雖然很努力，但是想彎道超車，估計(jì)有點(diǎn)懸了。