由于受到全球疫情影響,臺積電宣布原本4月29日在美國舉行的技術論壇延期,這次論壇本來是要公布臺積電3nm技術的。
臺積電去年宣布投資200億美元推進3nm工藝,目前已經在前期的建廠準備中,預計2022年量產,比之前預告的2023年量產要提前一年。
在3nm節(jié)點上,三星已經搶先一步,去年就宣布了3nm GAE工藝,將在3nm節(jié)點放棄FinFET晶體管,轉向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝,比7nm工藝,3nm GAE工藝號稱可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。
臺積電的3nm很可能沒三星這么激進,之前的消息稱3nm節(jié)點會繼續(xù)用FinFET工藝,在第二代3nm或者2nm節(jié)點才會升級到GAA晶體管技術。
原本3nm工藝的秘密會在4月29日的臺積電美國技術論壇上揭秘,不過現在要推遲到8月24日了,在圣克拉拉舉行技術論壇,8月25日則會緊接著舉行開放創(chuàng)新平臺論壇。
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