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露笑科技募資不超過10億元用于多個(gè)碳化硅項(xiàng)目 將加強(qiáng)公司在碳化硅方面的基礎(chǔ)研究以及新產(chǎn)品開發(fā)能力

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來源:全球半導(dǎo)體觀察 ? 作者:全球半導(dǎo)體觀察 ? 2020-04-13 10:36 ? 次閱讀

4月12日,露笑科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“露笑科技”)發(fā)布2020年度非公開發(fā)行股票預(yù)案。

公告顯示,露笑科技本次非公開發(fā)行采取向特定對(duì)象非公開發(fā)行股票的方式,在獲得中國(guó)證監(jiān)會(huì)核準(zhǔn)后由公司在中國(guó)證監(jiān)會(huì)規(guī)定的有效期內(nèi)選擇適當(dāng)時(shí)機(jī)向不超過35名特定對(duì)象發(fā)行。

按2019年12月31日股本測(cè)算,露笑科技本次非公開發(fā)行股份總數(shù)不超過453,200,530股(含453,200,530股),非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過100,000萬元,扣除發(fā)行費(fèi)用后將用于“新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”、“碳化硅研發(fā)中心項(xiàng)目”和“償還銀行貸款”項(xiàng)目。

露笑科技募資不超過10億元用于多個(gè)碳化硅項(xiàng)目 將加強(qiáng)公司在碳化硅方面的基礎(chǔ)研究以及新產(chǎn)品開發(fā)能力

Source:露笑科技

其中新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目總投資金額為69,456萬元,本次擬使用募集資金投入65,000萬元,該項(xiàng)目建設(shè)期24個(gè)月,擬生產(chǎn)碳化硅襯底片等產(chǎn)品,項(xiàng)目產(chǎn)品具有尺寸大、更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。

碳化硅研發(fā)中心項(xiàng)目總投資金額為5,010萬元人民幣,其中擬使用募集資金投入5,000萬元,由露笑科技股份有限公司的全資子公司浙江露笑碳硅晶體有限公司組織實(shí)施,本項(xiàng)目項(xiàng)目建設(shè)期為24個(gè)月。該項(xiàng)目主要建設(shè)內(nèi)容為研發(fā)場(chǎng)地改造及裝修工程、引進(jìn)行業(yè)內(nèi)高水平研發(fā)人才以及購(gòu)置與公司業(yè)務(wù)發(fā)展相適應(yīng)的研發(fā)設(shè)備及軟件。

露笑科技表示,新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目對(duì)于滿足國(guó)內(nèi)外快速增長(zhǎng)的4英寸、6英寸及以上尺寸級(jí)別的碳化硅襯底片市場(chǎng)需求,促進(jìn)襯底片質(zhì)量與成品率水平的提升將發(fā)揮較為重要作用用。而通過碳化硅研發(fā)中心的建設(shè),將加強(qiáng)公司在碳化硅方面的基礎(chǔ)研究以及新產(chǎn)品開發(fā)能力,有利于提高產(chǎn)品附加值,增強(qiáng)公司核心競(jìng)爭(zhēng)力。

據(jù)了解,碳化硅是一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。目前,碳化硅等第三代半導(dǎo)體是功率半導(dǎo)體的一個(gè)投資重點(diǎn)方向?!吨袊?guó)制造2025》中四次提到碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體,國(guó)家大基金也把碳化硅列為了重點(diǎn)投資方向之一。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度看,碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié),但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。

2019年11月26日,露笑科技股份有限公司與中科鋼研節(jié)能科技有限公司、國(guó)宏中宇科技發(fā)展有限公司開展碳化硅項(xiàng)目戰(zhàn)略合作,共同研發(fā)4英寸、6英寸、8英寸乃至更大尺寸級(jí)別的碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備,目前首批2臺(tái)套升華法碳化硅長(zhǎng)晶爐已經(jīng)完成設(shè)備性能驗(yàn)收交付使用,經(jīng)過優(yōu)化后的碳化硅長(zhǎng)晶爐設(shè)備將應(yīng)用于國(guó)宏中宇主導(dǎo)的碳化硅產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目中。

露笑科技表示,將繼續(xù)專注第三代半導(dǎo)體晶體產(chǎn)業(yè),拓展碳化硅在5G GaN-on-SiC HEMT、SiC SBD、SiCMOSFET、SiC IGBT元器件芯片方面的應(yīng)用,生產(chǎn)4-6英寸半絕緣片以及4H晶體N型導(dǎo)電碳化硅襯底片及其他產(chǎn)品制品。
責(zé)任編輯:wv

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