由華人科學(xué)家胡正明教授發(fā)明的FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)預(yù)計在5nm節(jié)點之后走向終結(jié),三星的方案是GAAFET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)。
三星日前簡要介紹了GAAFET中核心技術(shù)MCBFET(多橋溝道場效應(yīng)晶體管),基于它打造的3nm芯片,相較于7nm FinFET,可以減少50%的能耗,增加30%的性能。
按照三星的說法,他們預(yù)計3nm晶體管的硅間距縮減45%之多。
據(jù)悉,MCBFET允許晶體管向上堆疊、并且自定義寬度,以適應(yīng)低功耗或者高性能產(chǎn)品的不同要求。
另外,三星規(guī)劃3nm量產(chǎn)的時間是2022年,這和上周的報道契合。推遲的原因主要是,EUV光刻機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備在物流上的延遲。
至于臺積電的3nm,據(jù)說第一代還是FinFET,總投資高達(dá)500億美元,風(fēng)險試產(chǎn)也推遲到了今年10月。
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