(文章來源:網(wǎng)絡(luò)整理)
集成電路顧名思義就是把很多電路集成在一起,晶圓越大,特征尺寸越小,不僅能集成更多更復(fù)雜的電路,而且可以降低功耗,加快響應(yīng)速度。
目前最先進(jìn)的集成電路工藝是12英寸晶圓上制造的5~7納米的鰭式晶體管(FinFET,F(xiàn)in Field-effect transistor)集成電路,手機(jī)電腦很多用到了它們。那么,鰭式場效應(yīng)晶體管到底長什么樣子的,它跟我們常見的平面型場效應(yīng)晶體管集成電路有什么區(qū)別呢?下面我們做一點(diǎn)簡單介紹。所謂的鰭式場效應(yīng)晶體管,最初是加州大學(xué)伯克利分校胡正明教授1999年發(fā)明的,是一種立體的場效應(yīng)管。 當(dāng)晶體管的尺寸小于25納米以下,傳統(tǒng)的平面場效應(yīng)管的尺寸已經(jīng)無法縮小。FinFET的主要思想是將場效應(yīng)管立體化。它與傳統(tǒng)平面型工藝的對比示意圖如下。
在平面工藝中,硅片是平整的,柵極(G)和源極(S)漏極(D)基本處于一個(gè)平面。但鰭式工藝的晶圓,要首先做出很多整齊劃一同一方向的“魚鰭”一樣的溝槽來,晶圓是坑洼不平的。
如果從鰭片方向剖開,晶體管的結(jié)構(gòu)似乎與平面工藝結(jié)構(gòu)差不多,如上圖中間兩個(gè)圖所示。但是側(cè)面看,就會(huì)發(fā)現(xiàn)鰭式晶體管電路都在鰭片上,如圖中箭頭方向看去,就看會(huì)發(fā)現(xiàn)鰭式晶體管相當(dāng)于把平面晶體管折疊起來放置,因此可以節(jié)約空間。平面工藝柵如紅色區(qū)域所示,寬度長度都很好標(biāo)志。而鰭式工藝的柵是彎曲覆蓋在鰭上的,柵對下面的溝道處于半包圍狀態(tài),寬度計(jì)算要考慮三個(gè)方向。不過由于柵包圍溝道更多,可以降低漏電流及提高柵控制的靈敏度。
當(dāng)然,鰭式晶體管也不是沒有缺點(diǎn)。它的結(jié)構(gòu)都集中在很薄的鰭片上,因此導(dǎo)通大電流及導(dǎo)熱能力會(huì)有所下降。下圖是我們用電腦模擬的一個(gè)鰭式結(jié)構(gòu)示意圖。
司空見慣的魚鰭形狀被用到最先進(jìn)的集成電路上了,看來科技與生活密不可分。
(責(zé)任編輯:fqj)
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