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FinFET是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管

lhl545545 ? 來源:IEEE電氣電子工程師學(xué)會 ? 作者:IEEE電氣電子工程師 ? 2020-06-16 14:34 ? 次閱讀

近日,IEEE Life Fellow(IEEE終身會士)Chenming Hu教授榮獲今年的 IEEE 榮譽獎?wù)?,以表彰他?a target="_blank">半導(dǎo)體模型開發(fā)和應(yīng)用方面做出的杰出貢獻,特別是發(fā)明了使摩爾定律得以延續(xù)數(shù)十年的 3D 結(jié)構(gòu)器件(FinFETs)。

IEEE獎勵委員會(AB)管理的職責(zé)是管理由IEEE頒發(fā)的最高獎?wù)?,獎勵,認(rèn)可的活動。通過獎勵計劃,IEEE表彰其會員在IEEE領(lǐng)域內(nèi)所做的推動社會福利的貢獻。通過這種方法,提高組織,會員和行業(yè)的形象和威信。近一個世紀(jì)以來,IEEE獎勵計劃影響的技術(shù),社會和工程的發(fā)展。提名一名同事也成為IEEE最負(fù)盛名的榮譽之一。IEEE獎牌,獎項及榮譽由一些世界領(lǐng)先的企業(yè),基金會和個人贊助,以支持IEEE感興趣的領(lǐng)域。

IEEE獎勵計劃分為三種類型:IEEE Medals(獎?wù)拢?Technical Field Awards(技術(shù)領(lǐng)域獎勵), Recognitions (認(rèn)可)。其中,IEEE獎?wù)率亲罡邔哟?,而IEEE Medal of Honor(榮譽勛章)又是獎?wù)轮械淖罡邩s譽,IEEE獎?wù)掳匾鴱V泛的IEEE領(lǐng)域。

Chenming Hu在晶體管模型和新型晶體管結(jié)構(gòu)方面的開創(chuàng)性成就,使半導(dǎo)體器件的規(guī)模不斷擴大,從而能夠生產(chǎn)更小、更強大、成本更高的半導(dǎo)體器件。

FinFET 是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管,F(xiàn)inFET 命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長,F(xiàn)inFET 閘長已可小于 25 納米,未來預(yù)期可以進一步縮小至 9 納米,約是人類頭發(fā)寬度的 1 萬分之 1。由于在這種導(dǎo)體技術(shù)上的突破,未來芯片設(shè)計人員可望能夠?qū)⒊売嬎銠C設(shè)計成只有指甲般大小。

Chenming Hu是IEEE的終身會士,2014年美國國家技術(shù)與創(chuàng)新獎?wù)芦@得者,是美國加州大學(xué)伯克利分校電氣工程與計算機科學(xué)系的TSMC杰出退休教授。
責(zé)任編輯:pj

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