結(jié)型場效應晶體管工作原理

結(jié)型場效應晶體管工作原理

結(jié)型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）：JFET是由p-n結(jié)柵極（G）與源極（S）和漏極（D）構(gòu)成的一種具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通過電壓改變溝道的導電性來實現(xiàn)對輸出電流的控制。

對于結(jié)型場效應晶體管（JFET），最常見到的是耗盡型JFET（D-JFET），即在0柵偏壓時就存在有溝道 的JFET；一般，不使用增強型JFET（E-JFET）——在0柵偏壓時不存在溝道 的JFET。這主要是由于長溝道E-JFET在使用時較難以產(chǎn)生出導電的溝道、從而導通性能不好的緣故。不過，由于高速、低功耗電路中應用的需要，有時也需要采用E-JFET。

JFET導電的溝道在體內(nèi)。耗盡型和增強型這兩種晶體管在工藝和結(jié)構(gòu)上的差別主要在于其溝道區(qū)的摻雜濃度和厚度。D-JFET的溝道的摻雜濃度較高、厚度較大，以致于柵pn結(jié)的內(nèi)建電壓不能把溝道完全耗盡；而E-JFET的溝道的摻雜濃度較低、厚度較小，則柵pn結(jié)的內(nèi)建電壓即可把溝道完全耗盡。

但是，對于短溝道E-JFET，情況則有所不同，因為這種晶體管的漏極電壓可以作用到源極附近，使得溝道中的勢壘降低，所以能夠形成導電溝道。這種E-JFET從本質(zhì)上來說也就是靜電感應晶體管。

在導電機理上與JFET相同的場效應晶體管就是Schottky柵極場效應晶體管（MESFET），這里只是用金屬-半導體接觸的Schottky結(jié)代替了p-n結(jié)作為柵極。

另外還有一種場效應晶體管，就是高電子遷移率晶體管（HEMT），這種器件在結(jié)構(gòu)上與MESFET類似，但是在工作機理上卻更接近于MOSFET。

此外，MOSFET的襯偏效應實際上也就是JFET的一種作用。

結(jié)型場效應晶體管工作特性

對于耗盡型的JFET，在平衡時（不加電壓）時，溝道電阻最?。浑妷篤ds和Vgs都可改變柵p-n結(jié)勢壘的寬度，并因此改變溝道的長度和厚度（柵極電壓使溝道厚度均勻變化，源漏電壓使溝道厚度不均勻變化），使溝道電阻變化，從而導致Ids變化，以實現(xiàn)對輸入信號的放大。

當Vds較低時，JFET的溝道呈現(xiàn)為電阻特性，是所謂電阻工作區(qū)，這時漏極電流基本上隨著電壓Vds的增大而線性上升，但漏極電流隨著柵極電壓Vgs的增大而平方式增大；進一步增大Vds時，溝道即首先在漏極一端被夾斷，則漏極電流達到最大而飽和（飽和電流搜大小決定于沒有被夾斷的溝道的電阻），這就是JFET的飽和放大區(qū)，這時JFET呈現(xiàn)為一個恒流源。

JFET的放大作用可用所謂跨導gm = δIds / δVgsS ］（Vds =常數(shù)） 來表示，要求跨導越大越好。