作者來源:江濱武,洪宇晨,楊振寧,曹君,閆曉東,凡心劉,淇濱太陽,西嶺,郭晶&漢王
鐵電隧道結(jié)(FTJs)是一種兩端器件,中間為一層超薄鐵電層形成的隧穿勢壘,兩邊為非對稱導(dǎo)電層(通常為金屬或者半導(dǎo)體),其隧穿電阻(TER)可以通過改變鐵電層的極化方向從而改變勢壘的高度和寬度來調(diào)節(jié)。鐵電隧道結(jié)具有結(jié)構(gòu)簡單,低功耗,非易失性和無破壞讀出等特點(diǎn),被認(rèn)為是下一代高性能存儲器的重要發(fā)展方向。
當(dāng)前的鐵電隧道結(jié)都是基于兩類鐵電材料,鈣鈦礦型鐵電體(如BaTiO3和PbZr0.2Ti0.8O3)和氧化物型鐵電體(如HfO2和Hf0.5Zr0.5O2)。這兩類鐵電材料用于鐵電隧道結(jié)各有優(yōu)缺點(diǎn)?;阝}鈦礦型鐵電體的鐵電隧道結(jié),在采用金屬/鐵電體/半導(dǎo)體三明治結(jié)構(gòu)時能達(dá)到較高的隧穿電阻(約106),但是因?yàn)檫@種鐵電材料必須生長在特殊襯底上,其與傳統(tǒng)的硅工藝很難兼容,大大地影響了應(yīng)用前景?;谘趸镄丸F電體的鐵電隧道結(jié)具有硅工藝兼容性,但是因?yàn)椴牧媳旧淼男再|(zhì)和調(diào)控機(jī)理的限制,目前的隧穿電阻始終無法突破100,離實(shí)用化尚有較大的距離。另外,在這些鐵電隧道結(jié)中勢壘高度的調(diào)節(jié)是很有限的(約0.1eV),從而限制了其性能的提高。近些年來,隨著CuInP2S6(CIPS)和In2Se3等二維室溫鐵電體的發(fā)現(xiàn),鐵電隧道結(jié)有了另一個新的發(fā)展方向。 近日,南加州大學(xué)Han Wang團(tuán)隊(duì)(https://hanw.usc.edu/)在石墨烯/CIPS/Cr的二維范德華鐵電隧道結(jié)中實(shí)現(xiàn)了高達(dá)107的隧穿電阻,同時得益于單層石墨烯在狄拉克點(diǎn)附近很小的態(tài)密度,他們在這類范德華鐵電隧道結(jié)中觀測到了高達(dá)1 eV的勢壘高度調(diào)節(jié)。該鐵電隧道結(jié)同時兼顧了硅工藝兼容性和高隧穿電阻,有望成為未來商用的高性能鐵電存儲器。相關(guān)成果以“High tunnelling electroresistance in a ferroelectric van der Waals heterojunction via giant barrier height modulation”為題于2020年7月6日發(fā)表在Nature Electronics上。南加州大學(xué)Jiangbin Wu和Hung-Yu Chen為共同第一作者,Han Wang教授,佛羅里達(dá)大學(xué)Jing Guo教授和中科大Qibin Sun教授為該文章的共同通訊作者。該工作得到了波士頓大學(xué)Xi Ling教授和浙江理工大學(xué)Fanxin Liu教授的協(xié)助。
在實(shí)驗(yàn)中,研究人員首先將單層石墨烯和CIPS以及Cr制成垂直異質(zhì)結(jié)器件。CIPS的室溫鐵電性分別用壓電力顯微鏡和電容電壓響應(yīng)進(jìn)行了驗(yàn)證。通過不同方向的電壓脈沖,CIPS的極化方向能夠被翻轉(zhuǎn),從而獲得高達(dá)107的隧穿電阻(圖1)。器件的電流電壓特性能被基于非平衡格林函數(shù)的模擬很好的描述。如此高的隧穿電阻來源于石墨烯在狄拉克點(diǎn)附近很小的態(tài)密度以及范德華異質(zhì)結(jié)特有的界面性質(zhì)。當(dāng)CIPS中的鐵電極化方向朝向石墨烯時,石墨烯為n型摻雜,此時勢壘很低,隧穿結(jié)處于開的狀態(tài)。而當(dāng)CIPS中的鐵電極化方向朝向Cr時,石墨烯為p型摻雜,此時勢壘很高,隧穿結(jié)處于關(guān)的狀態(tài)。因?yàn)榈依它c(diǎn)附近很小的態(tài)密度,在鐵電極化翻轉(zhuǎn)的時候,石墨烯的費(fèi)米能級變化很大,也就是勢壘高度變化很大,導(dǎo)致了很大的隧穿電阻。通過拉曼光譜和開爾文力顯微鏡,研究人員探測到高達(dá)1 eV的勢壘高度差(圖2)。
圖1.(a)范德華鐵電隧道結(jié)的結(jié)構(gòu)示意圖。(b) 范德華鐵電隧道結(jié)切面的TEM和EELS圖像。(c) 范德華鐵電隧道的開關(guān)特性。(d) 范德華鐵電隧道結(jié)開和關(guān)狀態(tài)下的電流電壓特性。 為了驗(yàn)證石墨烯在這類范德華鐵電隧道結(jié)中的作用,研究人員還比較了石墨烯/CIPS/Cr鐵電隧道結(jié)和Au/CIPS/Cr鐵電隧道結(jié)中隧穿電阻的差別。在沒有采用石墨烯的Au/CIPS/Cr鐵電隧道結(jié)中隧穿電阻約為50,遠(yuǎn)低于范德華鐵電隧道結(jié)中的107。另外,隨著石墨烯厚度的增加,范德華鐵電隧道結(jié)的隧穿電阻也逐漸減小,充分體現(xiàn)了單層石墨烯用于隧穿勢壘高度調(diào)節(jié)的優(yōu)勢。他們還驗(yàn)證了這類范德華鐵電隧道結(jié)具有高速讀寫和高讀寫耐久性的特點(diǎn),以及其持久的數(shù)據(jù)保持能力,是下一代高性能非易失性存儲器的理想選擇。
圖2.(a)范德華鐵電隧道結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)示意圖。(b) 開爾文力顯微鏡探測到的范德華鐵電隧道結(jié)中石墨烯的費(fèi)米能級調(diào)節(jié)。
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石墨烯
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非易失性存儲器
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原文標(biāo)題:基于范德華鐵電隧道結(jié)的高開關(guān)比非易失存儲器
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