SK Hynix宣布HBM2E標(biāo)準(zhǔn)存儲器已投入量產(chǎn)

幾個月前，SK Hynix成為第二家發(fā)布基于HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的存儲的公司，就此加入存儲市場競爭行列?，F(xiàn)在，公司宣布它們改進的高速高密度存儲已投入量產(chǎn)，能提供高達3.6Gbps/pin的傳輸速率及高達16GB/stack的容量。

HBM2E對HBM2標(biāo)準(zhǔn)型進行了一些更新來提升性能，作為中代產(chǎn)品，能提供更高的時鐘速度，更高的密度（12層，最高可達24GB）。三星是第一個將16GB/satck Flashbolt內(nèi)存搭載在HBM2E上的內(nèi)存供應(yīng)商，能達到3.2Gbps的速度（超標(biāo)能達到4.2Gbps）。這反而使得三星成為英偉達最近推出的A100加速器的主要合作伙伴，該加速器主要用的是三星的Flashbolt內(nèi)存。

SK Hynix近日的聲明意味著HBM2E生態(tài)系統(tǒng)的其他部分正在成型，芯片制造商很快就能擁有第二個快速存儲器供應(yīng)商。根據(jù)SK Hynix去年的首次聲明，他們新的HBM2E內(nèi)存是8-Hi，16GB堆棧，容量是他們早期HBM2E內(nèi)存的兩倍。同時，該內(nèi)存的時鐘頻率能夠達到3.6Gbps/pin，這實際上比官方HBM2E規(guī)范的最高“僅僅”3.2Gbps/pin快。因此，就像三星的Flashbolt內(nèi)存一樣，對于擁有HBM2E內(nèi)存控制器的芯片制造商來說，3.6Gbps的數(shù)據(jù)速率基本上是一種超出規(guī)格的可選模式。

在這樣的最高速度下，單個1024pin的堆棧總共有460GB/s的內(nèi)存帶寬這可以和現(xiàn)在大多數(shù)顯卡相媲美（甚至超過）。對于使用多個堆棧的更高級的設(shè)備（例如服務(wù)器GPU），這意味著一個6棧的結(jié)構(gòu)能達到2.76TB/s的內(nèi)存帶寬。

雖然SK Hynix現(xiàn)在沒有公布任何客戶，但公司期望這新內(nèi)存能用于包括深度學(xué)習(xí)加速器和高性能計算的下一代AI（人工智能）。即使英偉達并不是唯一使用HBM2的供應(yīng)商，英偉達A100最終也會在新內(nèi)存直接使用。SK Hynix和AMD的產(chǎn)品線有些接近，后者將在明年推出一些新的服務(wù)器GPU，用于超級計算機和其他HPC系統(tǒng)。所以，無論如何，HBM2E的時代正在迅速崛起，因為越來越多的高端處理器需要引進并使用更快的內(nèi)存。

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