三極管的輸入/輸出特性曲線

1、 輸入特性曲線

在三極管共發(fā)射極聯(lián)接的狀況下，當(dāng)集電極與發(fā)射極之間的電壓UCE 堅(jiān)持紛歧樣的定值時(shí)，uBE和iB之間的一簇聯(lián)絡(luò)曲線，稱(chēng)為共射極輸入特性曲線。一般狀況下，當(dāng)UCE≥1V時(shí)，集電結(jié)就處于反向偏置，此刻再增大UCE對(duì)iB的影響很小，也即UCE＞1V往后的輸入特性與UCE＝1V的一條特性曲線重合，所以，半導(dǎo)體器材手冊(cè)中一般只給出一條UCE≥1V時(shí)的輸入特性曲線，如圖所示。輸入特性曲線的數(shù)學(xué)表達(dá)式為：iB＝f（uBE）| UCE = 常數(shù)

三極管的輸入特性曲線與二極管的伏安特性曲線很類(lèi)似，也存在一段死區(qū)，硅管的死區(qū)電壓約為0.5V，鍺管的死區(qū)電壓約為0.2V。導(dǎo)通后，硅管的UBE約為0.7V，鍺管的UBE約為0.3V。

2、輸出特性曲線

輸出特性是指以基極電流IB為常數(shù)，輸出電壓uCE和輸出電流iC之間的聯(lián)絡(luò)，即：iC＝f（uCE）|IB =常數(shù)。關(guān)于紛歧樣的IB，所得到的輸出特性曲線也紛歧樣，所以，三極管的輸出特性曲線是一簇曲線。依據(jù)三極管的作業(yè)狀況紛歧樣，能夠?qū)⑤敵鎏匦苑譃槿齻€(gè)區(qū)域，如圖所示。

硅管的管壓降為0.7V；鍺管的管壓降為0.3V。

（1）截止區(qū)：指IB=0的那條特性曲線以下的區(qū)域。在此區(qū)域里，三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于反向偏置狀況，三極管失掉了拓寬效果，集電極只需纖細(xì)的穿透電流ICEO。

（2）飽滿區(qū)：指紫色區(qū)域。在此區(qū)域內(nèi)，對(duì)應(yīng)紛歧樣IB值的輸出特性曲線族簡(jiǎn)直重合在一同。也便是說(shuō)，UCE較小時(shí)，IC盡管添加，但I(xiàn)C添加不大，即IB失掉了對(duì)IC的操控才調(diào)。這種狀況，稱(chēng)為三極管的飽滿。飽滿時(shí)，三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于正向偏置狀況。三極管集電極與發(fā)射極間的電壓稱(chēng)為集－射飽滿壓降，用UCES標(biāo)明。UCES很小，一般中小功率硅管UCES＜0.5V。

紫色區(qū)域右邊沿線稱(chēng)為臨界飽滿線，在此曲線上的每一點(diǎn)應(yīng)有|UCE| = |UBE|。它是各特性曲線急劇拐彎點(diǎn)的連線。在臨界飽滿狀況下的三極管，其集電極電流稱(chēng)為臨界集電極電流，用Ics標(biāo)明；其基極電流稱(chēng)為臨界基極電流，用IBS標(biāo)明。這時(shí)ICS＝βIBS 的聯(lián)絡(luò)依然樹(shù)立。

（3）拓寬區(qū)：在截止區(qū)以上，介于飽滿區(qū)與擊穿區(qū)之間的區(qū)域?yàn)橥貙拝^(qū)。在此區(qū)域內(nèi)，特性曲線近似于一簇平行等距的水平線，iC的改動(dòng)量與iB的變量根柢堅(jiān)持線性聯(lián)絡(luò)，即ΔiC=βΔiB，且ΔiC》》ΔiB ，便是說(shuō)在此區(qū)域內(nèi)，三極管具有電流拓寬效果。此外集電極電壓對(duì)集電極電流的操控效果也很弱，當(dāng)uCE＞1 V后，即便再添加uCE，iC簡(jiǎn)直不再添加，此刻，若IB不變，則三極管能夠當(dāng)作是一個(gè)恒流源。在拓寬區(qū)，三極管的發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電結(jié)處于反向偏置狀況。