一前言
屏蔽是解決電磁兼容問(wèn)題的關(guān)鍵技術(shù)。電磁屏蔽的方法就是以金屬或者磁性材料來(lái)隔離電磁干擾由一個(gè)區(qū)域向另一個(gè)區(qū)域感應(yīng)或輻射傳播。一般分為兩種類型:一種是靜電屏蔽,主要是防止靜電場(chǎng)和恒定磁場(chǎng)的影響。另一種是電磁屏蔽,用于防止交變電場(chǎng)、交變磁場(chǎng)、交變電磁場(chǎng)的影響。本篇主要學(xué)習(xí)電磁屏蔽。
二低頻磁屏蔽和高頻磁屏蔽
磁屏蔽是用來(lái)隔離磁場(chǎng)耦合的措施。低頻磁屏蔽比較困難,因?yàn)橛捎陬l率低,不利于吸收損耗,且由于是磁場(chǎng)源,波阻抗低,又不利于反射損耗。在這種情況下,僅僅談吸收損耗和反射損耗,有可能沒(méi)有很好的效果??梢詮牡痛抛柰方嵌热胧?,利用高磁導(dǎo)率材料人為形成磁力線通路,改變磁力線的方向或范圍。起到隔離作用以及改變?cè)春突芈返南鄬?duì)方向,使其盡量不要相互垂直(只有垂直于回路的磁通量分量才感應(yīng)電壓)。高磁導(dǎo)率對(duì)于低頻能提高吸收損耗,如鋼、鎳鐵合金、坡莫合金,但是隨著頻率的升高,這些材料的磁導(dǎo)率會(huì)降低,所以頻率較高時(shí),高導(dǎo)電率的銅或鋁會(huì)更加有效。在應(yīng)用的過(guò)程中,對(duì)于高磁導(dǎo)率材料,還需要考慮飽和問(wèn)題,特別是高場(chǎng)強(qiáng)中。
高頻磁屏蔽,一方面依賴吸收損耗,二是利用高電導(dǎo)率屏蔽體產(chǎn)生的渦流效應(yīng),渦流會(huì)在導(dǎo)體中產(chǎn)生熱量,導(dǎo)致能量損耗,這部分損耗實(shí)際就是對(duì)電磁場(chǎng)的衰減。交變磁場(chǎng)的頻率越高和導(dǎo)體的電阻率越小,損耗就越強(qiáng)。另外渦流本身也會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng),而且這個(gè)磁場(chǎng)的方向恒與干擾磁場(chǎng)的方向相反,對(duì)原磁場(chǎng)進(jìn)行一些抵消。
三關(guān)于“隨著頻率的升高,磁導(dǎo)率會(huì)降低”的思考
磁導(dǎo)率=B/H,一個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度,一個(gè)是磁場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng),跟頻率是相互獨(dú)立的,所以一開(kāi)始讀者對(duì)這個(gè)說(shuō)法產(chǎn)生了懷疑。經(jīng)過(guò)查資料,證實(shí)這個(gè)說(shuō)法是正確的。要說(shuō)明這個(gè)問(wèn)題,需要說(shuō)到:
四關(guān)于高磁導(dǎo)率材料在強(qiáng)磁場(chǎng)中的飽和問(wèn)題
磁飽和的含義:磁性材料的一種物理特性,指的是導(dǎo)磁材料由于物理結(jié)構(gòu)的限制,所通過(guò)的磁通量無(wú)法無(wú)限增大,從而保持在一定數(shù)量的狀態(tài)。當(dāng)飽和時(shí),導(dǎo)磁材料中的磁通無(wú)法再發(fā)生變化,也就喪失了屏蔽效能。
當(dāng)要屏蔽的磁場(chǎng)很強(qiáng)時(shí),使用高磁導(dǎo)率材料容易發(fā)生飽和,但使用低磁導(dǎo)率,吸收損耗又不夠。這時(shí)可以采用雙層屏蔽,如下圖。
第一層屏蔽具有低磁導(dǎo)率,不易飽和,第二層屏蔽具有高磁導(dǎo)率,容易飽和。第一層屏蔽先將磁場(chǎng)衰減到適當(dāng)強(qiáng)度,這樣第二層就不容易飽和。
為什么高磁導(dǎo)率更容易發(fā)生飽和?磁化曲線是用圖形來(lái)表示鐵磁材料在磁化過(guò)程中磁感強(qiáng)度B與磁場(chǎng)強(qiáng)度H之間關(guān)系的一種曲線,又叫B-H曲線。這種曲線可以通過(guò)實(shí)驗(yàn)方法測(cè)得。B與H之間存在著非線性關(guān)系。當(dāng)H逐漸增大時(shí),B也增加,但上升緩慢。當(dāng)H繼續(xù)增大時(shí),B急驟增加,幾乎成直線上升,當(dāng)H進(jìn)一步增大時(shí),B的增加又變得緩慢,達(dá)到飽和。即高磁導(dǎo)率材料B斜率更大,更容易發(fā)生飽和。
五結(jié)語(yǔ)
電磁屏蔽相比靜電屏蔽較為復(fù)雜抽象。低頻時(shí),高磁導(dǎo)率材料屏蔽效能高于高電導(dǎo)率材料。頻率較高時(shí),高電導(dǎo)率屏蔽效能更好,因此可以在高導(dǎo)磁率材料上面涂覆高電導(dǎo)率材料;磁屏蔽效能與材料的厚度、磁導(dǎo)率成正比,與其他尺寸成反比,如長(zhǎng)度的增加會(huì)增加磁阻;磁場(chǎng)很強(qiáng)時(shí),要注意磁飽和,可以采用多層屏蔽。
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原文標(biāo)題:最強(qiáng)學(xué)習(xí)筆記之屏蔽設(shè)計(jì) Ⅲ
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