垂直DMOS功率MOSFET的電氣特性分析

在PSPICE?中實現(xiàn)了一個經驗子電路，并進行了介紹。它準確地描繪了垂直DMOS功率MOSFET的電氣特性，并首次描繪了熱響應。在測量和建模的響應（包括第一象限和第三象限MOSFET）和柵極電荷行為，體二極管效應，高電流和低電流下的擊穿電壓，柵極等效串聯(lián)電阻以及-55oC至175oC溫度的封裝電感之間，都表現(xiàn)出出色的一致性。如上所述，參數(shù)提取相對簡單。

電路仿真通常使用SPICE程序之一。但是，電源電路需要用于隨附設備庫中未包含的獨特設備的正確模型。已經進行了各種努力來模擬功率MOSFET，并取得了不同程度的成功。較成功的論文已使用子電路表示法。迄今為止，尚未提供熱模型。

這項工作的目標是首次提供能夠在所有功率MOSFET方案中提供準確仿真的熱子電路模型。此外，子電路應易于理解并為用戶所接受，并應證明參數(shù)提取的簡便性。

采用經驗性的子電路方法。它的開發(fā)目的是在通常由大多數(shù)功率電路應用（包括結溫）決定的整個工作范圍內，為功率MOSFET提供符合黑盒的標準。盡管設備的熱行為是驅動力，但仍要尊重物理和SPICE算法。

展開的子電路原理圖如圖1所示。

PSPICE模型子電路

SPICE有多種形式，每種都有其優(yōu)點和缺點。選擇PSPICE的原因如下。

1.提供了能夠對電源電路進行大量電路分析的評估版。

2. PROBE功能可提供出色的顯示效果。

3.編程的時間片默認值和DC收斂例程使其非常友好。

4. PSPICE的切換算法提供了從關閉到開啟的非常平滑的過渡。

其他形式的SPICE并未進行調查，但應與這項工作的講授相平行，以適合于開發(fā)類似的子電路。

編輯：hfy