本應(yīng)用筆記介紹了由于米勒電容器引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng),以及如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應(yīng)。在操作IGBT時(shí)面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器(單電源驅(qū)動(dòng)器)中,這種影響是明顯的。
介紹
使用IGBT時(shí),面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器(單電源驅(qū)動(dòng)器)中,這種影響是明顯的。由于這種柵極-集電極耦合,在IGBT關(guān)斷期間產(chǎn)生的高dV / dt瞬變會(huì)引起寄生導(dǎo)通(門極電壓尖峰),這有潛在的危險(xiǎn)(圖1)。
通過米勒電容器的寄生導(dǎo)通:
當(dāng)以半橋方式導(dǎo)通上部IGBT S1時(shí),下部IGBT S2兩端會(huì)發(fā)生電壓變化dVCE / dt。電流流過S1的寄生米勒電容器CCG,柵極電阻RGATE和內(nèi)部柵極電阻RDRIVER。圖1顯示了流過電容器的電流。該當(dāng)前值可以通過以下公式來近似:
該電流在柵極電阻兩端產(chǎn)生電壓降。如果該電壓超過IGBT柵極閾值電壓,則會(huì)發(fā)生寄生導(dǎo)通。應(yīng)該注意的是,IGBT芯片溫度升高會(huì)導(dǎo)致柵極閾值電壓略有降低。
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