0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

高級(jí)封裝技術(shù):創(chuàng)建接近單片互連性能的封裝上互連

電子設(shè)計(jì) ? 來源:EDN ? 作者:RAVI MAHAJAN ? 2021-04-01 15:06 ? 次閱讀

在過去的幾年中,已經(jīng)發(fā)布了許多涉及用于半導(dǎo)體器件的高級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)的公告。這些架構(gòu)為產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員提供了極大的靈活性,使其能夠異構(gòu)集成在封裝上不同硅工藝上優(yōu)化的不同IP,從而顯著提高性能。

對(duì)高級(jí)封裝的最近興趣是由對(duì)增加封裝上帶寬的需求,對(duì)來自多個(gè)代工廠的各種IP進(jìn)行集成的需求以及對(duì)提高產(chǎn)量彈性的需求所驅(qū)動(dòng)的。有機(jī)封裝是出色的異構(gòu)集成主流平臺(tái),可在緊湊的外形尺寸中實(shí)現(xiàn)空間轉(zhuǎn)換,并在物理上實(shí)現(xiàn)了封裝上的互連(電源效率高,帶寬高)(圖1)。

圖1英特爾Agilex FPGA提供了一個(gè)封裝上異構(gòu)集成的示例。資料來源:英特爾

先進(jìn)封裝的目標(biāo)之一是開發(fā)越來越密集的橫向和縱向互連,以使用這些互連創(chuàng)建的管芯到管芯鏈接具有最小的功率損耗和延遲,同時(shí)又能確保信號(hào)完整性。本質(zhì)上,重點(diǎn)是創(chuàng)建接近單片互連性能的封裝上互連,并且在封裝上創(chuàng)建的復(fù)合設(shè)備的行為就像一個(gè)虛擬的單片實(shí)體。

2D和3D架構(gòu)

封裝上互連以及具有這些互連的更廣泛的封裝體系結(jié)構(gòu)可以在封裝的xy平面中分為2D和3D(圖2)。

o4YBAGBlbtOAHJC-AAI86ePDHDc645.png

圖22D和3D架構(gòu)的互連術(shù)語。資料來源:電子封裝協(xié)會(huì),IEEE

2D架構(gòu)定義為兩個(gè)或更多有源硅器件并排放置在封裝上并在封裝上互連的架構(gòu)。如果互連是“增強(qiáng)型的”(互連密度比主流有機(jī)封裝更高,并且可以使用有機(jī)介質(zhì)完成),則該體系結(jié)構(gòu)還可以進(jìn)一步細(xì)分為2D有機(jī)(2DO)體系結(jié)構(gòu)。同樣,如果增強(qiáng)型體系結(jié)構(gòu)使用無機(jī)介質(zhì)(硅,玻璃或陶瓷中介層或橋接器),則該體系結(jié)構(gòu)進(jìn)一步細(xì)分為2DS體系結(jié)構(gòu)。

3D架構(gòu)被定義為兩個(gè)或更多有源硅器件在沒有封裝代理的情況下堆疊并互連的架構(gòu)。在此定義中,短語“在沒有封裝代理的情況下互連”僅表示有源硅片之間的互連不通過封裝,因此它們的設(shè)計(jì)和性能不直接取決于封裝體系結(jié)構(gòu)。

互連密度

物理互連密度可以通過兩個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)來捕獲(圖3)。線密度表示從芯片邊緣向外逃逸的導(dǎo)線數(shù)量,以進(jìn)行側(cè)向的芯片到芯片互連,而面密度表示用于形成垂直連接的凸塊數(shù)量。

o4YBAGBlbumAd_sMAALpdn-1pj4903.png

圖3可以通過這兩個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)來捕獲線性和區(qū)域互連密度。資料來源:英特爾

圖4和圖5描述了不同包裝技術(shù)的線性和平面密度的包絡(luò)線。如兩個(gè)圖所示,使用不同的互連體系結(jié)構(gòu),可以實(shí)現(xiàn)廣泛的互連密度。通常,使用硅后端布線的技術(shù)具有最高的布線密度,因?yàn)樗鼈兲峁┝烁?xì),間距更緊密的布線(圖4)。

o4YBAGBlbwCAHaRmAAHBIAmQwQQ783.png

圖4該圖顯示了不同高級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)的線性互連密度包絡(luò)。資料來源:英特爾

這些技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)并行,寬且緩慢的芯片到芯片鏈接,并且需要特別注意鏈接設(shè)計(jì),以解決布線密度增加帶來的信號(hào)完整性問題。隨著凸點(diǎn)間距的縮小,平面的凸點(diǎn)密度與凸點(diǎn)間距的平方的倒數(shù)成正比(圖5)。

o4YBAGBlbw6AHO1zAAJu2s41jXU838.png

圖5該圖顯示了面積互連密度與凸塊間距和架構(gòu)的關(guān)系。資料來源:英特爾

如今,大多數(shù)面積的芯片到芯片和芯片到封裝的互連都使用焊料來形成接頭。隨著凸點(diǎn)間距的縮小,從焊料到使用Cu-Cu互連(約20-25μm)將有過渡,以實(shí)現(xiàn)持續(xù)的互連密度縮放。因此,工業(yè)上的重點(diǎn)是增加Cu-Cu互連的技術(shù)范圍。

互連密度縮放的一個(gè)常見的根本原因是需要增加封裝上裸片到裸片鏈路的帶寬。帶寬縮放速率可用于定義互連縮放路線圖。根據(jù)《異構(gòu)集成路線圖2019年版》,互連技術(shù)擴(kuò)展路線圖可實(shí)現(xiàn)鏈路帶寬的世代加倍。

圖6顯示了用于異構(gòu)集成的高級(jí)包裝體系結(jié)構(gòu)的一些示例。

圖6一些先進(jìn)的軟件包體系結(jié)構(gòu)在所有三個(gè)維度上提供了更多的分區(qū)機(jī)會(huì)和規(guī)模擴(kuò)展。資料來源:英特爾

軟件包與系統(tǒng)設(shè)計(jì)師之間的協(xié)作

隨著高級(jí)包裝技術(shù)的發(fā)展,它們將通過異構(gòu)集成提供更高的包裝性能,從而使性能越來越高的系統(tǒng)成為可能。通過加強(qiáng)包裝和系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員之間的協(xié)作伙伴關(guān)系,可以更好地實(shí)現(xiàn)此系統(tǒng)性能。

下面列出了一些合作伙伴關(guān)系將如何幫助最大化系統(tǒng)性能的示例:

系統(tǒng)板的功能,材料和設(shè)計(jì)必須不斷發(fā)展以支持更高的速度和更高的帶寬信令。封裝和系統(tǒng)協(xié)同設(shè)計(jì)方法可創(chuàng)建功耗最大化,成本優(yōu)化的系統(tǒng)鏈接,從而最大程度地提高帶寬,從而有助于最大化系統(tǒng)性能。

可以預(yù)見,除了電氣鏈路之外,將來還將需要光子學(xué)和無線鏈路以最大程度地?cái)U(kuò)大覆蓋范圍和帶寬。開發(fā)和擴(kuò)散這些不同的信令技術(shù)將需要協(xié)作以實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化的模塊化可擴(kuò)展性。

將需要專注于開發(fā)有效的系統(tǒng)電源傳輸網(wǎng)絡(luò)。

符合系統(tǒng)尺寸和可靠性要求的整體系統(tǒng)冷卻方法將確保系統(tǒng)冷卻能力不會(huì)限制系統(tǒng)性能。

模塊化和可伸縮性將需要在系統(tǒng)級(jí)別使用的各種連接器技術(shù)中構(gòu)建。

總之,當(dāng)今有許多先進(jìn)的包裝技術(shù)可用來提高包裝上異構(gòu)集成IP的性能。這些技術(shù)著重于擴(kuò)展互連密度,以幫助擴(kuò)展封裝上芯片對(duì)芯片鏈接之間的帶寬并提高性能。軟件包與系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員之間的緊密合作,以優(yōu)化軟件包系統(tǒng)集成,將有助于最大化系統(tǒng)性能。

RAVI MAHAJAN,英特爾研究員,是技術(shù)發(fā)展的組裝和測(cè)試未來技術(shù)的英特爾共同主任。
編輯:hfy

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    高密度互連,引爆后摩爾技術(shù)革命

    領(lǐng)域中正成為新的創(chuàng)新焦點(diǎn),引領(lǐng)著超集成高密度互連技術(shù)的飛躍。通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)高密度互連,將是推動(dòng)先進(jìn)封裝
    的頭像 發(fā)表于 10-18 17:57 ?108次閱讀
    高密度<b class='flag-5'>互連</b>,引爆后摩爾<b class='flag-5'>技術(shù)</b>革命

    TE推出AMPMODU互連系統(tǒng)產(chǎn)品特色是什么?-赫聯(lián)電子

    對(duì)細(xì)間距連接器的需求。它設(shè)計(jì)為兼具可靠性和經(jīng)濟(jì)性,可滿足各種封裝互連要求。種類繁多的元件和應(yīng)用可能性,加上小巧緊湊的占用面積,使其不僅幫助您節(jié)省空間,而且也能進(jìn)行高質(zhì)量的設(shè)計(jì)。這使 AMPMODU
    發(fā)表于 09-27 17:09

    探索通用互連解決方案的強(qiáng)大之處

    在雷迪埃,我們提供多樣化的通用互連解決方案,還可根據(jù)客戶需求設(shè)計(jì)定制化解決方案。雷迪埃的互連解決方案憑借可靠性、耐用性和出色的性能而被各行業(yè)客戶認(rèn)可。我們可以協(xié)助您優(yōu)化應(yīng)用的性能,強(qiáng)化
    的頭像 發(fā)表于 07-30 13:53 ?215次閱讀
    探索通用<b class='flag-5'>互連</b>解決方案的強(qiáng)大之處

    TE推出的AMPMODU互連系統(tǒng)產(chǎn)品特色-赫聯(lián)電子

    對(duì)細(xì)間距連接器的需求。它設(shè)計(jì)為兼具可靠性和經(jīng)濟(jì)性,可滿足各種封裝互連要求。種類繁多的元件和應(yīng)用可能性,加上小巧緊湊的占用面積,使其不僅幫助您節(jié)省空間,而且也能進(jìn)行高質(zhì)量的設(shè)計(jì)。這使 AMPMODU
    發(fā)表于 07-08 11:27

    互連,尚能飯否?

    共讀好書 隨著銅的有效性不斷降低,芯片制造商對(duì)新互連技術(shù)的關(guān)注度正在不斷提高,為未來節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)封裝性能提升和減少熱量的重大轉(zhuǎn)變奠定了基礎(chǔ)。 1997 年引入銅
    的頭像 發(fā)表于 07-02 08:40 ?273次閱讀
    銅<b class='flag-5'>互連</b>,尚能飯否?

    224G 系統(tǒng)需要多大的 ASIC 封裝尺寸?

    隨著電子設(shè)備越來越先進(jìn),集成電路封裝尺寸也變得越來越小,但這不僅僅是為了提高引腳密度。較高的引腳密度對(duì)于具有許多互連高級(jí)系統(tǒng)非常重要,但在更高級(jí)的網(wǎng)絡(luò)器件中,還有一個(gè)重要的原因是要為
    的頭像 發(fā)表于 05-25 08:13 ?425次閱讀
    224G 系統(tǒng)需要多大的 ASIC <b class='flag-5'>封裝</b>尺寸?

    無壓封裝的力量:納米銀技術(shù)引領(lǐng)未來電子

    隨著科技的飛速發(fā)展,電子設(shè)備的性能和功能日益強(qiáng)大,對(duì)封裝技術(shù)的要求也越來越高。納米銀無壓封裝互連技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:12 ?658次閱讀
    無壓<b class='flag-5'>封裝</b>的力量:納米銀<b class='flag-5'>技術(shù)</b>引領(lǐng)未來電子

    日月光推出先進(jìn)封裝平臺(tái)新技術(shù):微間距芯粒互連技術(shù)

     這項(xiàng)技術(shù)采用新型金屬疊層于微凸塊之上,達(dá)成20μm(2*10-5米)芯片與晶圓之間的極致間距,較從前方案減少了一半。此舉大幅度增強(qiáng)了硅-硅互連能力,對(duì)其它開發(fā)過程大有裨益。
    的頭像 發(fā)表于 03-22 13:59 ?614次閱讀

    一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

    和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
    發(fā)表于 03-07 14:28 ?1111次閱讀
    一文解析SiC功率器件<b class='flag-5'>互連</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    如何創(chuàng)建重疊的封裝文件

    創(chuàng)建重疊的封裝文件是一種常用的軟件設(shè)計(jì)模式,它允許程序員使用多層次的連接和封裝來保護(hù)數(shù)據(jù)和功能。下面介紹如何創(chuàng)建重疊的封裝文件。 重疊的
    的頭像 發(fā)表于 01-07 16:51 ?484次閱讀

    高密度互連印刷電路板:如何實(shí)現(xiàn)高密度互連 HDI

    高密度互連印刷電路板:如何實(shí)現(xiàn)高密度互連 HDI
    的頭像 發(fā)表于 12-05 16:42 ?658次閱讀
    高密度<b class='flag-5'>互連</b>印刷電路板:如何實(shí)現(xiàn)高密度<b class='flag-5'>互連</b> HDI

    互連在先進(jìn)封裝中的重要性

    互連技術(shù)封裝的關(guān)鍵和必要部分。芯片通過封裝互連,以接收功率、交換信號(hào)并最終進(jìn)行操作。由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的速度、密度和功能隨
    發(fā)表于 11-23 15:13 ?510次閱讀
    <b class='flag-5'>互連</b>在先進(jìn)<b class='flag-5'>封裝</b>中的重要性

    降低PCB互連設(shè)計(jì)RF效應(yīng)小技巧分享

    電路板系統(tǒng)的互連包括:芯片到電路板、PCB板內(nèi)互連以及PCB與外部器件之間的三類互連。在RF設(shè)計(jì)中,互連點(diǎn)處的電磁特性是工程設(shè)計(jì)面臨的主要問題之一,本文介紹上述三類
    發(fā)表于 11-16 17:38 ?245次閱讀
    降低PCB<b class='flag-5'>互連</b>設(shè)計(jì)RF效應(yīng)小技巧分享

    三星2024年將推出先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT

    三星計(jì)劃在2024年先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology,三星高級(jí)互連
    的頭像 發(fā)表于 11-15 11:09 ?1460次閱讀

    封裝技術(shù)是如何發(fā)展的?封裝互連技術(shù)對(duì)晶體管的影響

    摩爾定律到底是什么,封裝技術(shù)和摩爾定律到底有什么關(guān)系?1965年起初,戈登·摩爾表示集成電路上可容納的元器件數(shù)量約18個(gè)月便會(huì)增加一倍,后在1975年將這一定律修改為單位面積芯片上的晶體管數(shù)量每?jī)赡昴軐?shí)現(xiàn)翻番。
    發(fā)表于 11-03 16:07 ?413次閱讀
    <b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>是如何發(fā)展的?<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>互連</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>對(duì)晶體管的影響