兆易創(chuàng)新公布自研內(nèi)存進展：首發(fā)4Gb DDR3、明年上半年問世

2019年國內(nèi)的合肥長鑫推出了國產(chǎn)DDR4內(nèi)存，結(jié)束了國內(nèi)沒有DRAM芯片自產(chǎn)的日子，此后也有其他公司準備進軍內(nèi)存市場，比如兆易創(chuàng)新。該公司日前透露了其內(nèi)存計劃，2021年上半年將推出4Gb DDR3內(nèi)存。

兆易創(chuàng)新在電話會議中透露，自研DRAM現(xiàn)在還在按照原計劃進行，目前研發(fā)進度跟預期基本一樣，預期明年上半年會有產(chǎn)品出來。

兆易創(chuàng)新表示，自研第一個產(chǎn)品會是DDR3， 4Gb，面向利基市場。

2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存？別急，雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東西了，DDR5都要上市了，但DDR3還不會被淘汰，而且兆易創(chuàng)新主要是用于利基市場，也就是消費電子產(chǎn)品，對內(nèi)存的性能、容量等要求不高。

考慮到兆易創(chuàng)新的主力產(chǎn)品，比如NOR閃存、MCU主控等等都是面向嵌入式、消費電子等市場的，其首款內(nèi)存主打這一市場也不讓人意外。

即便是DDR3內(nèi)存，對任何沒有內(nèi)存研發(fā)、設計經(jīng)驗的公司來說，技術門檻還是很高的，兆易創(chuàng)新選擇看似落后但比較穩(wěn)妥的研發(fā)路線也沒什么可說的。

去年底，兆易創(chuàng)新宣布募資33.2億元研發(fā)內(nèi)存，這點錢并不算多，所以研發(fā)DDR3內(nèi)存情有可原。

他們還公布了內(nèi)存研發(fā)的路線圖，如下所示：

·2020年，兆易創(chuàng)新將啟動首款DRAM芯片產(chǎn)品定義，包括市場定位、產(chǎn)品規(guī)格及芯片設計工藝。

·2020年，兆易創(chuàng)新將定義首款芯片的生產(chǎn)職稱，并將經(jīng)過驗證后的設計開展流片試樣，反復修改直至通過系統(tǒng)驗證。

·2021年，對首款芯片試樣進行封裝測試，并送交系統(tǒng)芯片商進行功能認證，并最終通過客戶驗證。

·2021年，首款芯片通過驗證之后進行小批量生產(chǎn)，測試成功后進行大批量生產(chǎn)。

·2022-2025年，進行新系列芯片研發(fā)及量產(chǎn)。

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