0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

外殼的構(gòu)造和配置如何影響功率MOSFET器件內(nèi)部的工作溫度

汽車(chē)電子工程知識(shí)體系 ? 來(lái)源:汽車(chē)電子硬件設(shè)計(jì) ? 作者:汽車(chē)電子硬件設(shè)計(jì) ? 2020-11-17 14:32 ? 次閱讀

5.1介紹

在前一章中考慮了不同的PCB和器件配置對(duì)熱行為的影響。通過(guò)對(duì)多種情況的分析和比較,可以得出許多關(guān)于提供LFPAK MOSFETs散熱片冷卻的最佳方式的結(jié)論。

在第4章中考慮的所有PCB配置都有一個(gè)共同點(diǎn)——它們都在20℃的環(huán)境溫度下的自由空氣中。方案中沒(méi)有包括外殼。然而,在大多數(shù)實(shí)際應(yīng)用中,我們可能不會(huì)有沒(méi)有PCB外殼。為了保護(hù)PCB不受環(huán)境因素的影響,再加上可能考慮到電磁兼容性(EMC),幾乎可以肯定的是,PCB將被安裝在某種形式的外殼內(nèi)。不可避免地,外殼會(huì)干擾PCB周?chē)諝獾淖杂闪鲃?dòng),因此也會(huì)對(duì)系統(tǒng)的熱性能產(chǎn)生影響。

在這一章中,我們將仔細(xì)觀察一個(gè)外殼的構(gòu)造和配置如何影響功率MOSFET器件內(nèi)部的工作溫度。將要考查的因素包括:

?外殼材料和外殼表面處理

?上殼,下殼和周?chē)膬?nèi)部間距PCB

?PCB的底部冷卻(即PCB的底部表面與外殼的內(nèi)部表面接觸)

?MOSFET器件的頂部冷卻(器件頂部與外殼的內(nèi)部表面接觸)

?封裝在封裝內(nèi)部的作用,即PCB周?chē)臍庀恫糠只蛲耆环庋b化合物填充

?靠近艙壁的“模塊”

為了使可能的變量數(shù)目合理化,我們將只考慮一種PCB配置,取自第4章。附件加上

PCB將在以后被稱為“模塊”。

與第四章一樣,本章的熱設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)是利用熱模擬軟件進(jìn)行的。這些模擬使用了MOSFET 模型,這些模型已經(jīng)根據(jù)經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行了驗(yàn)證,并且已知能夠精確地模擬真實(shí)器件的熱表現(xiàn)。

用于進(jìn)行設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)分析的熱模擬軟件是Mentor graphic(Flomerics)“FloTHERM”軟件包。設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)中使用的器件模型可以從Nexperia的網(wǎng)站上免費(fèi)下載。

5.2模塊模型

5.2.1PCB特點(diǎn)

為了盡量減少可能變量的數(shù)量,我們將只考慮一個(gè)PCB配置,取自4.5.4節(jié)。PCB如圖1所示。

圖1:PCB模型

PCB的主要特點(diǎn)是:

?整體PCB尺寸80mmx120mm,厚度1.6mm標(biāo)準(zhǔn)

?FR4 PCB材料

?1盎司/35μm銅層厚度

?頂層銅-每個(gè)器件15mmx15mm的面積,連接到器件Tab(如圖)底部銅-每個(gè)器件也15mmx15mm的面積,通過(guò)散熱過(guò)孔連接到頂層銅

?內(nèi)部層-平均50%的面積覆蓋

?散熱過(guò)孔-在每個(gè)器件下,5×4散熱過(guò)孔的圖案為0.8mm內(nèi)徑器件間距d=25mm

?每臺(tái)器件的功耗為0.5W

第四章指出單個(gè)Mosfet的位置對(duì)他們的運(yùn)行溫度的影響很小,影響只有大約±1℃。

5.2.2外殼特點(diǎn)

在本章的整個(gè)過(guò)程中,將會(huì)有一些不同的外殼特征。但是,一些通用的特性將始終保持不變:

?外殼是完全密封的,沒(méi)有孔或縫。

?外殼的壁厚為2mm,與外殼材料無(wú)關(guān)。

?外殼能夠通過(guò)對(duì)流、傳導(dǎo)和輻射機(jī)制向外界環(huán)境散失熱能。

在本設(shè)計(jì)指南中可能會(huì)考慮到幾種不同的外殼材料。為了將變量的數(shù)量保持在可控的水平,同時(shí)還提供了對(duì)典型材料的有用的現(xiàn)實(shí)分析,我們將把重點(diǎn)限制在以下三個(gè)變量上,如表1所示。表1概述了外殼材料及其性能

表面輻射適用于外殼的內(nèi)外表面。

圖2顯示了一個(gè)示例模塊。注意,外殼的頂部和一側(cè)都是透明的,這樣可以看到PCB的位置。

圖2所示一個(gè)模塊

5.2.3軸命名約定

在本章中,我們將考慮在三個(gè)空間方向上移動(dòng)或調(diào)整物體尺寸的影響。因此,我們需要一個(gè)引用這些方向的約定,如圖2中的箭頭所示。

例如,當(dāng)我們?cè)赑CB (x方向)的短邊增加PCB和外殼之間的間隙時(shí),這將被稱為“x-gap”。同樣,PCB上面和下面的間隙將被稱為“y-gap”,等等。

5.2.4周?chē)沫h(huán)境

該模塊位于具有以下特征的環(huán)境中:

?在20℃的環(huán)境溫度下,該模塊被自由空氣包圍

?沒(méi)有應(yīng)用的氣流,盡管該模塊能夠通過(guò)外部表面的自然對(duì)流過(guò)程產(chǎn)生氣流

?通過(guò)對(duì)流、傳導(dǎo)和輻射過(guò)程,環(huán)境可以自由地與模塊交換熱能

5.2.5潛在的熱路徑

有許多可能的路徑,熱量可以通過(guò)PCB傳播。這些路徑利用了傳導(dǎo)、對(duì)流和輻射的三種傳熱機(jī)制,如圖3所示。

圖3:潛在的熱路徑

責(zé)任編輯:lq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • pcb
    pcb
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4308

    文章

    22862

    瀏覽量

    394911
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    142

    文章

    7006

    瀏覽量

    212260
  • 散熱片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    98

    瀏覽量

    16848

原文標(biāo)題:PCB外殼對(duì)PCB熱設(shè)計(jì)的影響因素

文章出處:【微信號(hào):QCDZYJ,微信公眾號(hào):汽車(chē)電子工程知識(shí)體系】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    鋅銀電池工作溫度_鋅銀電池結(jié)構(gòu)

    鋅銀電池的工作溫度范圍相對(duì)較廣,但其性能受工作環(huán)境溫度的影響較大。以下是對(duì)鋅銀電池工作溫度的詳細(xì)分析:
    的頭像 發(fā)表于 10-03 14:55 ?134次閱讀

    AMC1200的工作溫度是多少?

    關(guān)于 隔離放大器AMC1200 通用型 的工作溫度, 在datasheet 中可以看到的是 -40 - 125 . 但是所有的參數(shù)測(cè)試都是在 -40 - 105 情況下所測(cè)得。 能否幫忙確認(rèn)下,AMC1200 的確切 工作溫度為多少? 謝謝!
    發(fā)表于 09-12 06:32

    貼片電容MLCC的額定工作溫度是多少?

    貼片電容MLCC(多層陶瓷貼片電容)的額定工作溫度并不是一個(gè)固定的值,因?yàn)樗艿蕉喾N因素的影響,包括電容器的類型、材料、封裝形式以及具體的應(yīng)用場(chǎng)景等。以下是對(duì)貼片電容MLCC額定工作溫度的一些概述
    的頭像 發(fā)表于 09-11 16:07 ?191次閱讀

    MOSFET器件參數(shù):TJ、TA、TC到底講啥

    在本文中,我將分享關(guān)于MOSFET中幾個(gè)關(guān)鍵溫度參數(shù)的計(jì)算方法:TJ(結(jié)溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。 1.
    的頭像 發(fā)表于 08-15 17:00 ?2098次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>器件</b>參數(shù):TJ、TA、TC到底講啥

    如何降低變換器的工作溫度

    工作溫度不僅會(huì)降低變換器的效率,還可能加速元器件老化,縮短變換器的使用壽命,甚至引發(fā)故障。因此,采取有效措施降低變換器的工作溫度至關(guān)重要。以下將從多個(gè)方面詳細(xì)闡述如何降低變換器的工作溫度
    的頭像 發(fā)表于 08-14 17:23 ?306次閱讀

    功率mosfet應(yīng)工作于什么區(qū)

    功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,其工作原理與普通
    的頭像 發(fā)表于 07-11 15:12 ?1023次閱讀

    超級(jí)電容器的工作溫度65℃跟85℃的區(qū)別

    超級(jí)電容器通??梢栽谳^廣泛的工作溫度范圍內(nèi)正常運(yùn)行,一般的工作溫度范圍為-40°C至+85°C之間。這意味著超級(jí)電容器可以在較低溫冷凍環(huán)境下以及較高溫環(huán)境下都能正常工作,適用于各種不同的應(yīng)用場(chǎng)
    的頭像 發(fā)表于 06-30 08:16 ?1019次閱讀
    超級(jí)電容器的<b class='flag-5'>工作溫度</b>65℃跟85℃的區(qū)別

    工業(yè)控制器的工作溫度范圍是多少

    控制器的工作溫度范圍是一個(gè)非常重要的指標(biāo)。 本文將詳細(xì)介紹工業(yè)控制器的工作溫度范圍,包括不同類型工業(yè)控制器的工作溫度范圍、影響工作溫度范圍的因素、如何選擇合適的工業(yè)控制器以及如何保證工
    的頭像 發(fā)表于 06-16 14:44 ?1254次閱讀

    功率 MOSFET、其電氣特性定義

    (on)-V_GS 特性 (2SK3418)功率MOSFET的破壞機(jī)理及對(duì)策雪崩破壞模式ASO(安全操作區(qū))內(nèi)部二極管損壞由于寄生振蕩而損壞柵極浪涌、靜電破壞功率
    發(fā)表于 06-11 15:19

    聚徽觸控-工控一體機(jī)的可適應(yīng)的工作溫度

    工控一體機(jī)為了適應(yīng)各種復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境,通常具有較寬的工作溫度范圍。具體來(lái)說(shuō),工控一體機(jī)的工作溫度范圍因機(jī)型、品牌、配置以及特定的設(shè)計(jì)用途而有所不同。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 17:28 ?345次閱讀

    關(guān)于DC/DC電源模塊的工作溫度問(wèn)題

    關(guān)于DC/DC電源模塊的工作溫度問(wèn)題 BOSHIDA ?DC/DC電源模塊是一種將直流電源轉(zhuǎn)換為其他電壓或電流級(jí)別的設(shè)備。它通常由輸入端、輸出端、電感、開(kāi)關(guān)管等部件組成。工作溫度是影響電源模塊性能
    的頭像 發(fā)表于 03-07 10:52 ?683次閱讀
    關(guān)于DC/DC電源模塊的<b class='flag-5'>工作溫度</b>問(wèn)題

    如何定義光模塊的溫度?為什么工作溫度對(duì)光模塊很重要?

    如何定義光模塊的溫度?為什么工作溫度對(duì)光模塊很重要?光模塊的工作溫度會(huì)受到哪些因素的影響? 光模塊是用于光通信、數(shù)據(jù)通信以及醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域中的設(shè)備,其工作溫度是指光模塊在正常運(yùn)行過(guò)程中
    的頭像 發(fā)表于 12-27 10:56 ?1068次閱讀

    IC長(zhǎng)時(shí)間工作溫度多少合適?

    集成電路(IC)的長(zhǎng)時(shí)間工作溫度應(yīng)該控制在其額定工作溫度范圍內(nèi)。
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:23 ?1650次閱讀

    在儲(chǔ)存溫度工作器件是否會(huì)損壞?

    如果器件的最高工作溫度為85℃,器件的儲(chǔ)存溫度為125℃,請(qǐng)教此器件如果在通電狀態(tài)下,且溫度達(dá)到
    發(fā)表于 11-17 13:24

    功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

    MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管或MOS管,可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級(jí)的
    發(fā)表于 11-03 09:38 ?361次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>內(nèi)部</b>結(jié)構(gòu)和<b class='flag-5'>工作</b>原理