智原攜手聯(lián)電打造OLED 驅動晶片

ASIC廠智原26日宣布，旗下采用聯(lián)電28納米嵌入式高壓(eHV)制程的記憶體編譯器，因提供功耗、性能和面積優(yōu)勢，已獲多家行動裝置OLED驅動晶片大廠采用，多項專案已陸續(xù)設計定案(Tape out)。

智原指出，28eHV 基礎元件IP 組合，因具有動態(tài)節(jié)能、支援彈性客制功能，獲客戶青睞，尤其標準元件庫內建多位元正反器組(MBFF)，在設計時脈路徑上，可大幅減少動態(tài)功耗，適用行動裝置。

此外，為搭配不同長寬比的OLED 驅動晶片，28eHV SRAM 記憶體編譯器能因應客戶需求，彈性提供不同架構組合，加速產(chǎn)生所需文件、模型與電路設計。

智原營運長林世欽表示，由于高端智能型手機OLED 面板，需要大量記憶體緩沖區(qū)，實現(xiàn)色彩準確性，因此記憶體編譯器在OLED 驅動晶片中至關重要，客戶可借助智原、聯(lián)電的技術合作，使用與28 納米邏輯制程相同的設計規(guī)則，加速開發(fā)高解析OLED 面板相關晶片。

智原先前指出，由于客戶量產(chǎn)計劃從今年遞延至明年，加上制程往前推進至40、28 納米，將優(yōu)化產(chǎn)品組合，看好毛利率重返50%。

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