光刻技術(shù)是迄今所能達(dá)到的最高精度的加工技術(shù)

集成電路的飛速發(fā)展有賴于相關(guān)的制造工藝—光刻技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)是迄今所能達(dá)到的最高精度的加工技術(shù)。

集成電路產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代信息社會(huì)的基石。集成電路的發(fā)明使電子產(chǎn)品成本大幅度降低，尺寸奇跡般減小。以計(jì)算機(jī)為例，1946年誕生的世界第一臺(tái)數(shù)字計(jì)算機(jī)重30噸，占地約140平方米。而集成電路將晶體管、電阻、電容等電子元件連接在小塊的硅片上，可使計(jì)算機(jī)體積更小，功耗更低，速度更快。自1958年世界上第一塊平面集成電路問(wèn)世，在短短五十多年間，半導(dǎo)體及微電子技術(shù)突飛猛進(jìn)的發(fā)展，帶動(dòng)了現(xiàn)代信息技術(shù)的騰飛。集成電路的發(fā)展與其制造工藝─——光刻技術(shù)的進(jìn)步密不可分。

光刻技術(shù)的發(fā)展史

光刻技術(shù)是利用光化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法將掩模板上的圖案?jìng)鬟f到晶圓的工藝技術(shù)。光刻的原理起源于印刷技術(shù)中的照相制版，是在一個(gè)平面上加工形成微圖形。光刻技術(shù)按曝光光源主要分為光學(xué)光刻和粒子束光刻（常見(jiàn)的粒子束光刻主要有X射線、電子束和離子束光刻等）。其中光學(xué)光刻是目前最主要的光刻技術(shù)，在今后幾年內(nèi)其主流地位仍然不可動(dòng)搖。

光刻技術(shù)的進(jìn)步使得器件的特征尺寸不斷減小，芯片的集成度和性能不斷提高。在摩爾定律的引領(lǐng)下，光學(xué)光刻技術(shù)經(jīng)歷了接觸/接近、等倍投影、縮小步進(jìn)投影、步進(jìn)掃描投影等曝光方式的變革。曝光光源的波長(zhǎng)由436納米（G線），365納米（Ⅰ線），，發(fā)展到248納米（KrF），再到193納米（ ArF）。技術(shù)節(jié)點(diǎn)從1978年的1.5微米、1微米、0.5微米、90納米、45納米，一直到目前的22納米。集成電路的發(fā)展始終隨著光學(xué)光刻技術(shù)的不斷創(chuàng)新向前推進(jìn)。

光刻機(jī)（也稱光刻系統(tǒng)）是光刻技術(shù)的關(guān)鍵裝備，其構(gòu)成主要包括光刻光源、均勻照明系統(tǒng)、投影物鏡系統(tǒng)、機(jī)械及控制系統(tǒng)（包括工件臺(tái)、掩膜臺(tái)、硅片傳輸系統(tǒng)等）。其中光刻光源是光刻機(jī)的核心部分。隨著集成電路器件尺寸的不斷縮小，芯片集成度和運(yùn)算速度的不斷提高，對(duì)光刻技術(shù)曝光分辨率也提出更高的要求。光學(xué)分辨率是指能在晶圓上成像的最小特征尺寸。對(duì)于光學(xué)投影光刻系統(tǒng)而言，其分辨率由瑞利公式?jīng)Q定：R= k1λ/NA式中，k1為工藝因子，對(duì)于單次曝光k1為0.25，λ為光波長(zhǎng)，NA為投影物鏡的光學(xué)數(shù)值孔徑。

由此可知，改進(jìn)光學(xué)分辨率的方法有三條途徑：一是降低k1值;二是提高數(shù)值孔徑NA;三是降低波長(zhǎng)。在這些途徑中，增大數(shù)值孔徑和縮短曝光波長(zhǎng)是通過(guò)改變曝光設(shè)備實(shí)現(xiàn)的，而k1因子的降低則是通過(guò)工藝技術(shù)的改進(jìn)去實(shí)現(xiàn)的，如投影曝光系統(tǒng)各階段采用的分辨率增強(qiáng)技術(shù)主要包括偏振光照明、相移掩模板、離軸照明等。

降低曝光光源的波長(zhǎng)是光刻技術(shù)和設(shè)備的一個(gè)重要發(fā)展趨勢(shì)。半個(gè)世紀(jì)以來(lái)隨著光刻技術(shù)的發(fā)展，特征尺寸隨之減小。在196O年代，半導(dǎo)體芯片制造商主要使用可見(jiàn)光作為光源。到了1980年代，光刻主要應(yīng)用高壓放電汞燈產(chǎn)生的436納米（G線）和365納米（I線）作為光源。汞燈普遍應(yīng)用于步進(jìn)曝光機(jī)，從而實(shí)現(xiàn)0.35微米的特征尺寸。放電汞燈輻射250納米紫外光的應(yīng)用，首次實(shí)現(xiàn)了降低光刻光源波長(zhǎng)的需求，但隨著集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)向納米級(jí)發(fā)展，光刻機(jī)光源也很快從近紫外波段的汞燈光源發(fā)展到深紫外波段的準(zhǔn)分子激光。應(yīng)用的主要光源從KrF準(zhǔn)分子激光器248納米激光，ArF準(zhǔn)分子激光器193納米激光到F2準(zhǔn)分子激光器157納米激光。當(dāng)光源波長(zhǎng)發(fā)展到157納米，由于光刻膠和掩膜材料的局限，圖形對(duì)比度低等因素，使得157納米光刻技術(shù)的發(fā)展受到很大限制。

但研究人員發(fā)現(xiàn)可以作為浸沒(méi)液的水對(duì)193納米光波幾乎完全透明，充人浸沒(méi)液后，193納米光源等效波長(zhǎng)小于 157納米，同時(shí)投影透鏡數(shù)值孔徑也有很大的提高。另外193納米光刻機(jī)技術(shù)相對(duì)成熟，開(kāi)發(fā)者需要重點(diǎn)解決的是浸沒(méi)技術(shù)相關(guān)的問(wèn)題，因而采用浸沒(méi)技術(shù)的193納米光源取代157納米光源繼續(xù)成為研究的熱點(diǎn)。到了2003年，采用193納米波長(zhǎng)的130納米工藝已 大規(guī)模量產(chǎn)，如當(dāng)時(shí)的奔騰4芯片。

隨著雙重圖形曝光技術(shù)的發(fā)展，以英特爾（Intel）為代表的芯片制造商已經(jīng)宣布正式放棄157納米的光刻技術(shù)，從90納米工藝一直到未來(lái)的45納米工藝都依賴于193納米光刻技術(shù)。而隨著浸沒(méi)式光刻技術(shù)和分辨率增強(qiáng)技術(shù)的發(fā)展，光刻精度和性能不斷提高。2006年國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司（IBM）的科學(xué)家宣布，他們采用193納米干涉浸沒(méi)光刻裝置NEMO，制作出29.9納米的線條，打破了32納米這一光學(xué)光刻極限的預(yù)言。采用浸沒(méi)技術(shù)的ArF準(zhǔn)分子激光，目前光刻節(jié)點(diǎn)已經(jīng)達(dá)到22納米，未來(lái)有可能進(jìn)一步達(dá)到16納米節(jié)點(diǎn)。通過(guò)不斷創(chuàng)新的光刻技術(shù)，摩爾定律仍然得到了保持。

由于可選的光刻曝光光源是有限的，且每更換一種曝光波長(zhǎng)，光刻機(jī)掩模圖樣和光刻膠的材料，投影物鏡等系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和材料都需更新，因而開(kāi)發(fā)一個(gè)新波長(zhǎng)的光刻機(jī)需要高昂的人力和物力成本，需要多個(gè)國(guó)家和公司的通力合作方能成功。相對(duì)于157納米光刻技術(shù)，193納米浸沒(méi)式光刻技術(shù)不需要研發(fā)新的掩模、透鏡和光刻膠材料，193納米漫沒(méi)式光刻機(jī)甚至可以保留現(xiàn)有193納米干式光刻機(jī)的大部分組件，僅需改進(jìn)設(shè)計(jì)部分分系統(tǒng)即可。世界上三大光刻機(jī)生產(chǎn)商阿斯麥（ASML）、尼康（Nikon）和佳能（Canon）公司的第一代193納米浸沒(méi)式樣機(jī)都是在原有193納米干式光刻機(jī)的基礎(chǔ)上改進(jìn)研制而成的，大大降低了研發(fā)成本和風(fēng)險(xiǎn)。

用于光刻的193納米準(zhǔn)分子激光光源

高端光刻機(jī)具有高數(shù)值孔徑、高吞吐量、高臨界尺寸控制性能和低運(yùn)行成本等特點(diǎn)，這些特點(diǎn)要求光刻光源具有相應(yīng)的激光性能。優(yōu)質(zhì)光刻光源要求窄激光譜寬、高波長(zhǎng)和能量穩(wěn)定性、高平均功率和激光重頻。目前193納米的ArF準(zhǔn)分子激光采用浸沒(méi)技術(shù)，可以達(dá)到22納米的光刻節(jié)點(diǎn)，并向16納米節(jié)點(diǎn)延伸。成為高端光刻機(jī)的主流光源。

準(zhǔn)分子激光器是紫外波段最強(qiáng)大的激光光源，是一種輻射幾十納秒脈寬的紫外放電氣體激光器。準(zhǔn)分子是激發(fā)態(tài)結(jié)合而基態(tài)離解的受激二聚體，其特點(diǎn)是基態(tài)不穩(wěn)定，一般在振動(dòng)弛豫時(shí)間內(nèi)便分解為自由的粒子，而其激發(fā)態(tài)以結(jié)合的形式出現(xiàn)并相對(duì)穩(wěn)定，以輻射的形式衰減，因而準(zhǔn)分子激光具有高增益的特點(diǎn)。

準(zhǔn)分子激光已經(jīng)在國(guó)外有比較成熟的商用產(chǎn)品，美國(guó)的西盟（Cymer）和相干（Coherent）公司，日本的Gigaphoton公司是光刻用準(zhǔn)分子激光的主要供應(yīng)商，目前預(yù)電離放電泵浦準(zhǔn)分子激光可以實(shí)現(xiàn)高重頻、高功率、窄線寬的激光輸出?；?ArF準(zhǔn)分子激光器，ASML、Nikon、Canon USA等公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出商用的光刻系統(tǒng)。自1972年美國(guó)勞倫斯·利弗莫爾（LawrenceLivermore）國(guó)家實(shí)驗(yàn)室發(fā)現(xiàn)波長(zhǎng)為170納米的Xe2準(zhǔn)分子激光以來(lái)，已經(jīng)相繼獲得17種準(zhǔn)分子激光振蕩，其光譜覆蓋126～675納米之間的多個(gè)波長(zhǎng)。

單個(gè)準(zhǔn)分子激光腔作為光刻光源難以實(shí)現(xiàn)窄譜線和高穩(wěn)定、高能量脈沖的輸出。一方面要求同一臺(tái)激光器同時(shí)工作在窄線寬和高輸出能量的極限條件下，另一方面高脈沖能量下紫外光學(xué)元件的退化會(huì)造成窄線寬工作的壽命下降。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)雙腔結(jié)構(gòu)是一個(gè)很好的解決方案。其中一個(gè)放電腔產(chǎn)生 窄線寬但低能量的種子脈沖光源，另一個(gè)放電腔實(shí)現(xiàn)對(duì)種子光源的功率放大。典型的雙腔結(jié)構(gòu)有主振蕩功率放大腔（master oscillator power amplifier，MOPA）與種子光注入鎖定系統(tǒng)（injection locking system，ILS）。MoPA結(jié)構(gòu)中，線寬壓窄光學(xué)元件工作在較低的重復(fù)頻率，因降低了光致熱效應(yīng)而延長(zhǎng)光學(xué)元件的壽命。其次，主振蕩器內(nèi)僅要求產(chǎn)生較低能量的脈沖，更易于獲得極窄線寬光譜，并有助于延長(zhǎng)元件壽命。以 Cymer 公司的xLA、xLR系列為代表，種子光注入鎖定系統(tǒng)的特點(diǎn)是種子光在放大腔往返多次放大，其主要優(yōu)點(diǎn)是性能穩(wěn)定和運(yùn)行成本低。以ILS技術(shù)為代表的有Gigaphoton公司于2004年開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)的GT40A系列ArF浸沒(méi)光刻機(jī)。

譜線寬度技術(shù)

由放電腔發(fā)出的原始光譜寬度達(dá)幾百皮米，這樣寬的光譜帶寬無(wú)法滿足光刻等應(yīng)用的要求。以目前主流的光刻光源ArF準(zhǔn)分子激光器為例，需要把自由振蕩的500皮米左右的寬帶光譜壓窄至亞皮米量級(jí)。光譜帶寬是影響成像能力和特征尺寸的重要因素。由于光學(xué)材料在深紫外波長(zhǎng)區(qū)的限制，ArF光刻系統(tǒng)的投影棱鏡將不可避免地產(chǎn)生色差現(xiàn)象。亞皮米的光譜線展寬所產(chǎn)生的影響也不可忽略，然而，可以通過(guò)壓窄光源光譜線寬來(lái)減小色差效應(yīng)。為了實(shí)現(xiàn)90納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路光刻，必須使激光脈沖的線寬達(dá)到亞皮米的量級(jí)。其次，采用浸沒(méi)式光刻增加數(shù)值孔徑的同時(shí)，需要更窄的譜寬相匹配。第三，窄線寬可降低光源對(duì)臨界尺寸的靈敏度，從而改善由于光源不穩(wěn)定造成的光刻圖樣的不均勻。第四，較低的k，要求較窄的光譜線寬相匹配。因此，為了減小光刻的特征尺寸，提高拉曼散射效率和熒光光譜分析精度，有必要對(duì)較寬的自然光譜進(jìn)行線寬壓窄。

光刻光源一般采用多棱鏡擴(kuò)束器和大尺寸光柵組合的線寬壓窄方案閃。棱鏡擴(kuò)束器用于分離波長(zhǎng)并保持較小的發(fā)散角，通常使用2~4塊棱鏡可以實(shí)現(xiàn)20~40倍的光學(xué)擴(kuò)束。棱鏡材料為紫外波段高透過(guò)率的融石英或氟化鈣，在棱鏡的激光人射和出射面通常都鍍有增透膜層。擴(kuò)束后的光斑投射到大尺寸光柵上，棱鏡組與光柵的光路組成利特羅（Littrow）結(jié)構(gòu)。綜合考慮棱鏡的擴(kuò)束率、透過(guò)率和棱鏡增透的要求，棱鏡的人射角通常設(shè)在68~71度之間。大尺寸光柵通常為中階梯光柵，其較大的閃耀角有利于光譜的高階色散和線寬壓縮。擴(kuò)束后的光束也可以先入射到高反平面鏡再反射到光柵上，轉(zhuǎn)動(dòng)高反鏡可改變?nèi)肷涞焦鈻诺慕嵌?，從而?shí)現(xiàn)激光中心波長(zhǎng)的調(diào)諧和穩(wěn)定控制。

為避免大氣中氧原子對(duì)紫外激光強(qiáng)烈吸收造成的能量損耗，同時(shí)隔絕外界對(duì)光學(xué)元件的污染，通常把棱鏡擴(kuò)束器、反射鏡和大尺寸光柵等光學(xué)元件裝配在一個(gè)封閉的腔體內(nèi)。在光刻光源中這樣的腔體被稱為線寬壓窄模塊。在光刻機(jī)工作時(shí)，線寬壓窄模塊內(nèi)一般通有特定流量的高純氮?dú)饣蚝狻?/p>

激光的光譜寬度除了用峰值的半高全寬（FwHM）表示，同時(shí)要可以顯示光譜能量95%的積分寬度（E95）。E95指標(biāo)的大小及穩(wěn)定性是光刻機(jī)的重要參數(shù)之一，它影響曝光系統(tǒng)成像能力和臨界尺寸（cD）控制。Cymer和Gigaphoton最新機(jī)型的E95都小于O.35皮米。

光譜穩(wěn)定技術(shù)

高重頻脈沖的波長(zhǎng)抖動(dòng)和短時(shí)間內(nèi)波長(zhǎng)的漂移都會(huì)引起光譜的增寬。為減少光譜變化引起的曝光像差，光刻光源的波長(zhǎng)測(cè)量必須要實(shí)現(xiàn)較高的精度（相對(duì)波長(zhǎng)）和準(zhǔn)確度（絕對(duì)波長(zhǎng)）。相對(duì)波長(zhǎng)的測(cè)量可以通過(guò)一個(gè)或多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)具來(lái)實(shí)現(xiàn)。這是因?yàn)榧す馔ㄟ^(guò)標(biāo)準(zhǔn)具形成的干涉環(huán)條紋的寬度、間距與激光的波長(zhǎng)和線寬相關(guān)。另一方面，絕對(duì)波長(zhǎng)的確定（波長(zhǎng)校準(zhǔn)）則可以將測(cè)得的相對(duì)波長(zhǎng)與原子吸收線進(jìn)行比較來(lái)實(shí)現(xiàn)。穩(wěn)定的光譜帶寬對(duì)低節(jié)點(diǎn)光刻應(yīng)用尤為重要。由于投影鏡頭的色差，光譜帶寬的變化將導(dǎo)致散焦誤差，引起對(duì)比度損失和產(chǎn)生光學(xué)鄰近誤差。此外，激光腔工作氣體中氟氣的濃度也會(huì)影響激光的光譜寬度。在主振蕩-放大結(jié)構(gòu)中光譜寬度會(huì)隨兩腔體放電間隔時(shí)間呈近線性變化。利用這一特性，可以通過(guò)在線檢測(cè)激光光譜參數(shù)，采用閉環(huán)控制系統(tǒng)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)放電間隔時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)光譜進(jìn)行短期的穩(wěn)定控制。線寬壓窄模塊中，同樣利用實(shí)時(shí)檢測(cè)窄線寬激光的光譜，并動(dòng)態(tài)微調(diào)光柵的衍射角，以控制中心波長(zhǎng)和線寬的穩(wěn)定性。光束均勻性技術(shù)光刻機(jī)照明系統(tǒng)的作用是為整個(gè)掩模面提供高均勻性照明，通過(guò)控制曝光劑量和實(shí)現(xiàn)離軸照明模式以提高光刻系統(tǒng)分辨率，增大焦深。高分辨率投影光刻的照明系統(tǒng)對(duì)輸出光的波長(zhǎng)、均勻性、光強(qiáng)等都有很高的要求，其中照明的均勻性要求為1.5%~1%。照明系統(tǒng)的質(zhì)量直接影響到投影光刻的質(zhì)量，高均勻照明技術(shù)是照明系統(tǒng)的主要關(guān)鍵技術(shù)。在對(duì)照明均勻性要求不是很高的系統(tǒng)中，可以通過(guò)增加補(bǔ)償器來(lái)改善光照均勻度，補(bǔ)償器原理是通過(guò)控制通光表面各處的透過(guò)率來(lái)提高光能分布的均勻性。為了更進(jìn)一步提高輸出光能分布的均勻性，照明系統(tǒng)中通常都采用了光學(xué)均勻器（或稱光學(xué)積分器）。通常采用復(fù)眼透鏡或棒狀導(dǎo)光棒作為光學(xué)均勻器。提高均勻性的原理為將光束分割成許多細(xì)小的光束，使得每一子光束的均勻性比原有光柬的均勻性都有所提高，然后將所有的子光束在空間疊加，使各子光束的光能分布進(jìn)一步得到補(bǔ)償，從而較大地提高光能分布的均勻性。

在設(shè)計(jì)照明系統(tǒng)的光路時(shí)，首先應(yīng)進(jìn)行擴(kuò)束的準(zhǔn)直系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于準(zhǔn)分子激光的光束截面呈矩形，需要將準(zhǔn)分子激光原始的矩形光斑改變成正方形分布，需要一組柱面擴(kuò)束鏡進(jìn)行擴(kuò)束，然后由一組球面擴(kuò)束鏡擴(kuò)束為大小較為合適的正方形的光斑，再利用徵透鏡陣列器獲得好的照明均勻性M。這是因?yàn)槲⑼哥R陣列分割了能量分布不均勻的激光束，利用數(shù)學(xué)的積分原理可知，許多細(xì)光束疊加就得到了能量分布較為均勻的照明。最后微透鏡陣列組要與聚光鏡組配合才會(huì)得到較好的照明均勻性，通常采用柯勒照明（Kohler illumination）方式，微透鏡陣列組的前透鏡陣列被它后面的光學(xué)系統(tǒng)在掩模上成像時(shí)，其后透鏡陣列應(yīng)該被聚光鏡組在投影物鏡的入瞳處成像，這樣既保證了像面均勻性，又保證了與投影物鏡之間的匹配。同時(shí)為了使投影系統(tǒng)的入瞳與照明系統(tǒng)的出瞳相匹配，照明系統(tǒng)的出瞳要在無(wú)窮遠(yuǎn)處，此時(shí)掩模應(yīng)位于聚光鏡組的后焦面處。微透鏡陣列后組應(yīng)位于聚光鏡組的前焦面處，只有這樣才可以保證微透鏡陣列前組被它后面的光學(xué)系統(tǒng)成像在掩模上。另外，對(duì)于聚光鏡組，因?yàn)橐晥?chǎng)與孔徑角都相對(duì)較小，所以只用兩片球面透鏡像差就可以得到較好的校正。

對(duì)曝光系統(tǒng)光束能量利用率的問(wèn)題和通過(guò)投影系統(tǒng)后激光光束整體均勻性要求，都需要一些定量的評(píng)價(jià)指標(biāo)兇，如準(zhǔn)分子激光光束均勻性評(píng)價(jià)指標(biāo)主要有加工窗口、能量分?jǐn)?shù)、平頂因子等。

液體浸沒(méi)技術(shù)

根據(jù)瑞利公式，增大數(shù)值孔徑（numericalaperture，NA）是一個(gè)提高光刻精度的有效技術(shù)途徑s。漫沒(méi)式光刻技術(shù)的原理是在光刻機(jī)投影物鏡和晶圓上的光刻膠之間充滿高折射率的液體，從而使數(shù)值孔徑大于1。

對(duì)于193納米光刻而言，傳統(tǒng)的干式光刻機(jī)在投影物鏡和晶圓之間是空氣，其有效數(shù)值孔徑最大僅為0.93。而水在193納米處的折射率為1.44，并且具有較高的透過(guò)率。在曝光過(guò)程中，由于水中溶解的物質(zhì)有可能沉積到投影物鏡最后一個(gè)透鏡的下表面或者光刻膠上，引起成像缺陷，而水中溶解的氣體也有可能形成氣泡，使光線發(fā)生散射和折射。因此，目前業(yè)界普遍使用價(jià)格便宜、簡(jiǎn)單易得的去離子和去氣體的純水作為第一代浸沒(méi)式光刻機(jī)的浸沒(méi)液體。采用水作浸沒(méi)液體，可實(shí)現(xiàn)1.35數(shù)值孔徑，光刻節(jié)點(diǎn)達(dá)到了32納米。為了將浸 沒(méi)式光刻技術(shù)延伸到32納米甚至22納米節(jié)點(diǎn)，應(yīng)用折射率更高的液體取代水作為浸沒(méi)液體。許多公司正致力于第二代浸沒(méi)液體的研究，已經(jīng)找到多種折射率在1.65 左有的液體。在引人第二代浸沒(méi)液體后，尋找高折射率 （》1.65）的投影物鏡底部透鏡材料將成為進(jìn)一步提高數(shù)值孔徑的關(guān)鍵。

浸沒(méi)式光刻技術(shù)已經(jīng)展現(xiàn)出巨大的優(yōu)勢(shì)和發(fā)展?jié)摿Γ](méi)帶來(lái)的一系列難題也找到了相應(yīng)的對(duì)策。如液體溫度的控制，壓力的測(cè)量和控制，氣泡的消除，光刻膠 被液體浸沒(méi)產(chǎn)生的污染，光學(xué)系統(tǒng)的重新優(yōu)化。浸沒(méi)式光刻機(jī)將繼續(xù)朝著更大數(shù)值孔徑的方向發(fā)展。今后各公司將使用各種第二代浸沒(méi)液體和高折射率底部透鏡材料搭建實(shí)驗(yàn)平臺(tái)進(jìn)行曝光測(cè)試，分析曝光缺陷、線寬均勻性、液體的循環(huán)以及液體對(duì)成像質(zhì)量的影響，找到最佳的材料，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)更高數(shù)值孔徑的浸沒(méi)式光刻機(jī)，以應(yīng)對(duì)更小光刻線寬的挑戰(zhàn)。

新一代極紫外光刻光源

目前半導(dǎo)體公司已經(jīng)進(jìn)軍10納米工藝，但面臨的物理限制越來(lái)越高，半導(dǎo)體工藝提升需要全新的設(shè)備。極紫外（EUv）光刻機(jī)是特征尺寸突破10納米及之后的7納米、5納米。工藝的關(guān)鍵，而波長(zhǎng)13.5納米的極紫外光極可能成為下一代光刻光源。激光等離子體極紫外（LPP-EUv）光源由于具有較好的功率擴(kuò)展能力，目前被認(rèn)為是最有希望的高功率EUV光刻光源。

由于波長(zhǎng)為10～14納米的極紫外光在材料中被強(qiáng)烈吸收，其光學(xué)系統(tǒng)必須采用反射形式。LPP-EUv通常是采用高功率的coz激光束照射到液滴靶材（一般為 金屬Sn）上，產(chǎn)生等離子體并輻射出紫外線。再用反射式聚光系統(tǒng)收集EUV輻射并投射到母版上，母版反射的EUv輻射使掩模圖形再經(jīng)過(guò)一個(gè)反射的成像系統(tǒng)，縮小投影成像到涂有抗蝕劑的硅片上。限制EU v光源功率提升的個(gè)重要難題是去除聚光鏡上靶材殘留物，這些殘留中的Sn會(huì)導(dǎo)致鏡面的反射率降低。除了光源外，EUv的技術(shù)難題還包括掩膜、精密光學(xué)系統(tǒng)及元件的制造等。

在2016年國(guó)際光學(xué)工程學(xué)會(huì)（SPIE）的先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì)上，與會(huì)者認(rèn)為：雖然目前EUv技術(shù)已經(jīng)取得了巨大進(jìn)展，但仍不適合半導(dǎo)體大批量生產(chǎn)制造。荷蘭ASML公司和日本的Gigaphoton公司在EUv光源領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位，均已具有250瓦 EUv光源的研發(fā) 能力。其中ASML公司開(kāi)發(fā)了NXE:33xOB商業(yè)光刻光源，20i6年功率達(dá)到250瓦，每小時(shí)可量產(chǎn)125片 晶圓。而Gigaphoton公司在2016年7月展示了功率250瓦、效率4%的LPP-EUv原型樣機(jī)］。但EUv作為新--代半導(dǎo)體工藝突破的關(guān)鍵，進(jìn)展還是低于預(yù)期?，F(xiàn)在三星、臺(tái)灣積體電路制造公司（臺(tái)積電）和英特爾的說(shuō)法基本統(tǒng)一，預(yù)計(jì)2020年左右可實(shí)現(xiàn)5~7納米節(jié)點(diǎn)。EUv光刻機(jī)每臺(tái)價(jià)值1.1億美元，價(jià)格昂貴但仍然受到芯片制造廠商的青睞。三星和臺(tái)積電公司積極采購(gòu)EUV光刻機(jī)，以謀求在7~10納米節(jié)點(diǎn)采用EUV工藝來(lái)提高密度并降低成本。

光刻技術(shù)是促進(jìn)集成電路及相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。10年前一根512兆字節(jié)的內(nèi)存條價(jià)格為幾百元，目前同樣價(jià)格買到的內(nèi)存條可存儲(chǔ)16~32吉字節(jié)。今天一個(gè)中檔手機(jī)的計(jì)算性能，超過(guò)了10年前的個(gè)人微機(jī)，并以摩爾定律預(yù)計(jì)的速度在增長(zhǎng)。光刻技術(shù)的發(fā)展大大提高了芯片的計(jì)算速度和存儲(chǔ)量，也在改變著人們的生活。

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