十銓已開啟DDR5內(nèi)存模組的開發(fā)測試
繼早前展望了消費級 DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品線的規(guī)劃之后，十銓（TeamGroup）現(xiàn)已開啟 DDR5 內(nèi)存模組的工程樣品開發(fā)工作。該公司目前正與華碩、微星、技嘉、華擎等主板制造商合作，對 DDR5 工程樣品展開驗證（暫時只有單條 16GB @ 4800MHz 的規(guī)格），以確保實際效能可全面超越 DDR4 時代。
據(jù)悉，十銓透露的首批消費級 DDR5 內(nèi)存樣品的標稱工作電壓為 1.1v，較 DDR4 時代的 1.2v 進一步下調(diào)。與此同時，SK 海力士這邊也公布了自家 DDR5 存儲器的詳細規(guī)格。
驗證期間，十銓已將 DDR5 工程樣品送到了各大主板制造商的研發(fā)團隊手中，并期待著順利完成相關(guān)驗證工作。合作伙伴中包括了華碩、微星、技嘉、華擎等大廠。
值得一提的是，十銓還希望用戶無需手動調(diào)節(jié) BIOS 設(shè)置，即可無縫體驗到 DDR5 內(nèi)存模組的最佳性能（更快的速度 / 更低的延遲），但這顯然需要主板廠商的大力配合。
責(zé)編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
2902瀏覽量
73535 -
模組
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
1357瀏覽量
29940 -
DDR5
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
409瀏覽量
24035
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
DDR5內(nèi)存面臨漲價潮，存儲巨頭轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)
近日，存儲芯片市場傳來重大消息，SK海力士正式通知市場，其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價15%至20%，這一舉動無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價的根源在于，SK海力士、美光、三星等存儲芯片巨頭紛紛調(diào)整
Introspect DDR5/LPDDR5總線協(xié)議分析儀
DDR5 RDIMM及支持下一代MR-DIMM單體測試驗證系統(tǒng) (DDR5 MR-DIMM Module Test System), 支持的速率可高達17.4Gbps.
DDR5
發(fā)表于 08-06 12:03
DDR5內(nèi)存條上的時鐘走線
DDR5標準JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時代基本內(nèi)存條上時鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對而言比較細。不知道你開始使用
0706線下活動 I DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號專題設(shè)計技術(shù)交流活動
01活動主題DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號專題設(shè)計技術(shù)交流活動時間：2024年7月6日（本周六）10：00地點：深圳市南山區(qū)科技南十二路曙光大廈1002（深圳地鐵1號線，高新園地鐵站D出口200
南亞科技明年初試產(chǎn)DDR5內(nèi)存顆粒，四款1Bnm制程DRAM產(chǎn)品已投產(chǎn)
據(jù)悉，現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計劃下半年少量推出
DDR5測試技術(shù)更新漫談
工業(yè)類設(shè)備，從終端產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心，用于CPU進行數(shù)據(jù)處理運算的緩存。近20多年來，經(jīng)歷了從SDRAM發(fā)展到DDR RAM，又從DDR發(fā)展到目前的DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性
DDR5內(nèi)存接口芯片組如何利用DDR5 for DIMM的優(yōu)勢？
2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標準，標志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過渡。
DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？
DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們
DDR5內(nèi)存沖上8400MHz！DDR3L依然大行其道
硬件世界拉斯維加斯現(xiàn)場報道：CES 2024大展期間，雷克沙帶來了豐富的存儲方案，涵蓋SSD、內(nèi)存、存儲卡等，包括頂級的PCIe 5.0 SSD、DDR5高頻內(nèi)存。
lpddr5時序比ddr5慢多少
LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存，它們在時序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標準，但它們面向不同的應(yīng)用場景，并且在設(shè)計上有一些不同。 首先，讓我們來了解一下L
影馳HOF PRO DDR5 7000內(nèi)存詳細評測報告
在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測，這款內(nèi)存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、
發(fā)表于 01-02 14:37
?586次閱讀
DDR5接收機一致性表征和測試
如今，各行業(yè)正在加速向DDR5新紀元邁進，無論是PC、筆記本電腦還是人工智能，都對DDR5有強烈的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖，內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已
ddr5為什么能跑得那么穩(wěn)呢
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加，為進一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將
發(fā)表于 11-30 14:49
?293次閱讀
高效邊緣計算解決方案：研華工業(yè)內(nèi)存 SQRAM DDR5 5600 系列
? 研華推出 SQRAM DDR5 5600 系列工業(yè)內(nèi)存。該系列緊跟計算機內(nèi)存全新風(fēng)潮，支持DDR5， 數(shù)據(jù)傳輸速度高達5600MT/s 。SQRAM 5600 系列的速度快如閃電，
發(fā)表于 11-02 16:26
?698次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評論