Kioxia(鎧俠)和西部數(shù)據(jù)宣布,雙方合作開發(fā)了第六代162層3D閃存技術(shù)。這是兩家企業(yè)建立20年合作關(guān)系的又一里程碑,也是兩家公司迄今密度最高、最先進(jìn)的3D NAND技術(shù)。
Kioxia首席技術(shù)官M(fèi)asaki Momodomi表示:
“通過我們長達(dá)20年可靠的合作關(guān)系,Kioxia和西部數(shù)據(jù)成功地在制造和研發(fā)方面創(chuàng)造了無與倫比的能力??偟膩碚f,我們生產(chǎn)世界上30%以上的閃存,并提供了令人信服的價(jià)格以及出色的容量,性能和可靠性。我們每個(gè)人都在個(gè)人電子產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心的一些列以數(shù)據(jù)為中心應(yīng)用中,以及由5G網(wǎng)絡(luò)、人工智能和自主系統(tǒng)促成的新興應(yīng)用中提供這一價(jià)值主張?!?/p>
這款第六代3D閃存采用了超越傳統(tǒng)的先進(jìn)架構(gòu),與第五代技術(shù)相比,橫向單元陣列密度提高了10%。這種橫向擴(kuò)展的進(jìn)步,結(jié)合162層堆疊式垂直存儲(chǔ)器,與112層堆疊技術(shù)相比,可將芯片尺寸縮小40%,從而優(yōu)化了成本。Kioxia和西部數(shù)據(jù)的團(tuán)隊(duì)還采用了陣列CMOS電路布局和四路同時(shí)操作,與上一代產(chǎn)品相比,這兩種技術(shù)的應(yīng)用使性能提高了近2.4倍,讀取延遲上提高了10%。I/O性能也提高了66%,從而使下一代接口能夠支持更快的傳輸速率,滿足不斷增長的性能需求。
總體而言,與上一代產(chǎn)品相比,新的3D NAND降低了每單位的成本,并使每個(gè)晶圓的存儲(chǔ)數(shù)量增加了70%。Kioxia和西部數(shù)據(jù)繼續(xù)推動(dòng)創(chuàng)新,以確保不斷擴(kuò)大規(guī)模,滿足客戶及其多樣化應(yīng)用的需求。
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