2020年Intel TOP3技術(shù)創(chuàng)新：10nm工藝位列第二

2020年還有不到2周就過完了，年底又是一個(gè)回顧總結(jié)的季節(jié)了，Intel公司在這一年中有什么技術(shù)創(chuàng)新呢？芯片業(yè)內(nèi)人士給點(diǎn)評(píng)了一下，10nm SuperFin工藝位列第二。推出這個(gè)評(píng)選的是推特用戶Witeken，他不僅經(jīng)常爆料AMD/Intel最新信息，也是芯片行業(yè)的專業(yè)人士，評(píng)選的主要是芯片技術(shù)層面的，很專業(yè)。

根據(jù)他的選擇，2020年Intel第一大技術(shù)創(chuàng)新是Lakefield處理器上的Foveros 3D堆棧，這是一種新的3D封裝技術(shù)，可以把不通工藝的IP核心封裝在一起，Lakefield的5核心就是1個(gè)大4小，分別使用了10nm、22nm工藝的。

第二個(gè)創(chuàng)新是Tiger Lake上首發(fā)的10nm SuperFin工藝，這也是今年Intel在CPU工藝上最重要的一次進(jìn)步，使用了全新的Super MIM器件，號(hào)稱實(shí)現(xiàn)了單節(jié)點(diǎn)內(nèi)最大的性能提升，超過15%。

雖然很多人看工藝數(shù)字都覺得Intel的10nm SF工藝不如臺(tái)積電7nm、5nm先進(jìn)，但是別忘了，Intel在半導(dǎo)體技術(shù)上的根底還在，10nm工藝的創(chuàng)新確實(shí)不少。

第三大創(chuàng)新就是硅基光電子，帶寬是PCIe 6.0的6倍，這也是Intel布局未來半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域，光電子技術(shù)也很領(lǐng)先，只是現(xiàn)在還沒大規(guī)模商業(yè)化。

其他還有3條新技術(shù)，分別涉及低溫工藝、A，MX指令集及Statix 10 NX FPGA芯片等，相比前面三條更加專業(yè)。

責(zé)任編輯：haq