比亞迪半導(dǎo)體或于明年自建SiC產(chǎn)線

據(jù)媒體今日?qǐng)?bào)道，比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀日前表示，比亞迪車規(guī)級(jí)的IGBT已經(jīng)走到5代，碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代，第4代正在開(kāi)發(fā)當(dāng)中。目前在規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線，預(yù)計(jì)到明年有自己的產(chǎn)線。

據(jù)了解，比亞迪半導(dǎo)體以IGBT和SiC為核心，擁有IDM功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，包括芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝測(cè)試以及整車應(yīng)用。目前，比亞迪已研發(fā)出SiC MOSFET。比亞迪旗艦車型漢EV四驅(qū)版正是國(guó)內(nèi)首款批量搭載Sic MOSFET組件的車型。按照比亞迪公布的計(jì)劃，預(yù)計(jì)到 2023 年，其旗下電動(dòng)車將實(shí)現(xiàn)碳化硅功率半導(dǎo)體對(duì) IGBT的全面替代，整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10％。

比亞迪半導(dǎo)體宣布自建SiC產(chǎn)線或許與其SiC產(chǎn)能不足有關(guān)。9月17日，比亞迪半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體產(chǎn)品中心芯片研發(fā)總監(jiān)吳海平在接受專訪時(shí)回應(yīng)稱，目前，SiC的產(chǎn)能仍在爬坡，而漢EV后驅(qū)版的預(yù)定量非常多，遠(yuǎn)超企業(yè)預(yù)期，因此造成供貨趕不上需求的問(wèn)題。但他也表示，從第四季度開(kāi)始，SiC產(chǎn)能將能持續(xù)滿足漢EV四驅(qū)版的銷售需求?！?/p>

比亞迪半導(dǎo)體之外，近期，國(guó)內(nèi)其他半導(dǎo)體龍頭布局SiC的消息不斷。

此前12月17日，斯達(dá)半導(dǎo)公告擬計(jì)劃總投資2.29億元，投資建設(shè)年產(chǎn)8萬(wàn)顆車規(guī)級(jí)全SIC功率模組生產(chǎn)線和研發(fā)測(cè)試中心；同月，三安集成宣布已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺(tái)的打造。

另外，應(yīng)用端，電動(dòng)車龍頭公司也已經(jīng)走在了前列。特斯拉此前在Model3率先采用以24個(gè)SIC-MOSFET為功率模塊的逆變器。

資料顯示，目前SiC最大的應(yīng)用市場(chǎng)在新能源汽車的功率控制單元（PCU）、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等。而根據(jù)Omdia預(yù)計(jì)，2020年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約為431億美元，至2024年將突破500億美元。

安信證券12月21日發(fā)布研報(bào)稱，新能源汽車及光伏加速普及，SiC迎來(lái)大發(fā)展機(jī)遇，SiC基功率器件有望取代Si基，超400億美元市場(chǎng)待開(kāi)拓。中泰證券也在12月17日發(fā)布研報(bào)，預(yù)計(jì)2021年汽車領(lǐng)域SIC有望進(jìn)入放量元年。

具體到投資機(jī)會(huì)，中泰證券表示，產(chǎn)業(yè)鏈以歐美日為主，國(guó)產(chǎn)替代空間較大。國(guó)企業(yè)在襯底、外延和器件方面均有所布局，但是體量均較小。國(guó)內(nèi)SIC襯底材料廠商中，已上市公司包括：露笑科技、天科合達(dá)，器件商斯達(dá)半導(dǎo)、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技等。

安信證券則稱，國(guó)內(nèi)基本已實(shí)現(xiàn)SiC襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、生產(chǎn)設(shè)備等全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋，設(shè)備、材料廠商具備先發(fā)優(yōu)勢(shì)，有望率先受益。該機(jī)構(gòu)重點(diǎn)推薦晶盛機(jī)電、建議關(guān)注華峰測(cè)控、天通股份。
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