0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Tabbed routing主要適用于DDR4的數(shù)據(jù)信號走線

電子設(shè)計 ? 來源:電子設(shè)計 ? 作者:電子設(shè)計 ? 2020-12-24 16:22 ? 次閱讀

關(guān)注高速先生的Layout攻城獅們最近普遍感到焦慮,都在默默祈禱客戶不要看到高速先生最近一期的B站視頻——Tabbed Routing,因為大家都很清楚客戶看到之后的需求。

為了文章的完整性,我們還是從頭捋一捋。Tabbed routing是指將特定形狀和尺寸的銅皮,按照一定的規(guī)則添加到走線上的一種布線處理方法。該方法是由Intel公司于2015年提出,主要適用于DDR4的數(shù)據(jù)信號走線。

密集恐懼癥患者可能會問,原本清清爽爽的走線,為什么非要整出一身“雞皮疙瘩”呢?大家都知道,BGA器件或其它管腳密集區(qū)域的布線空間有限,寸土寸金,為了能順利出線,減小線寬并縮小間距是常規(guī)操作,比如常用的neck模式走線,這樣一來,線是拉出來了,阻抗卻被卡了脖子,一路飄高,此外,隨著走線間距的減小,串?dāng)_也隨之增加。于是,Tabbed routing應(yīng)運而生。

Tabbed routing設(shè)計可以增加兩根線之間的互容而保持其互感幾乎不變,而增加的容性可以有效降低走線的阻抗,減小表層線的遠(yuǎn)端串?dāng)_。換言之,Tabbed routing一方面可以改善走線因線寬減小而造成的阻抗不連續(xù),另一方面還能減小表層走線的遠(yuǎn)端串?dāng)_。

聽高速先生這么一分析,是否覺得原本犬牙交錯的Tab設(shè)計瞬間變得凹凸有致了呢?至于是阻抗控制的福音,還是遠(yuǎn)端串?dāng)_的克星?Tabbed routing是否有效?不要看廣告,高速先生帶你看測試報告。

為了研究Tabbed routing對通道性能的影響,高速先生曾專門設(shè)計過相關(guān)的測試板,測試結(jié)果也可以從一定程度上說明問題。先來看看帶狀線的情況,DUT(Device Under Test)設(shè)計如下,通過比較測試過孔密集區(qū)域的內(nèi)層弧形走線添加Tab前后的參數(shù)差異,來檢驗Tabbed routing的效果。

阻抗測試的結(jié)果顯示,Tabbed routing對于neck走線偏高的阻抗有一定的拉低作用,可以改善阻抗的連續(xù)性。

再來看看萬能的S參數(shù),添加Tab的通道由于阻抗的優(yōu)化,反射減小,回波損耗整體也有所改善,不過,在我們所關(guān)注的頻段內(nèi),串?dāng)_卻沒有明顯的變化。

仍然是過孔區(qū)域的neck模式走線,繼續(xù)比較表層線Tabbed routing設(shè)計與普通走線的區(qū)別。

從阻抗測試的結(jié)果可以看出,tab對于阻抗連續(xù)性的改善作用依然在線。

相比于添加Tab前后內(nèi)層走線串?dāng)_的基本不變,Tabbed routing表層走線遠(yuǎn)端串?dāng)_的降低肉眼可見。

不過凡事有利就有弊,Tabbed routing雖然對于走線的阻抗和串?dāng)_有一定的改善,但是由于添加tab后走線的容性增加,導(dǎo)致信號的延時也會隨之增加。這也解釋了為什么對于同一等長組的走線,需要保證tab數(shù)量的一致。

需要注意的是,tab加在不同區(qū)域的走線上有著不一樣的效果,加在走線的單側(cè)還是雙側(cè),最后的結(jié)果也不相同。因此,在實際設(shè)計中,要根據(jù)具體的層疊,走線等因素來確定tab的尺寸、間距,必要的時候,還要通過仿真確認(rèn)。

審核編輯:符乾江

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 阻抗
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    934

    瀏覽量

    45764
  • TAB
    TAB
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    15

    瀏覽量

    11531
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    FPGA DDR4讀寫實驗

    SDRAM),是一種高速動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,它屬于 SDRAM 家族的存儲器產(chǎn)品,提供了相較于 DDR3 SDRAM 更高的運行性能與更低的電壓,并被廣泛的應(yīng)用于計算機(jī)的運行緩存。1 DDR4 介紹
    發(fā)表于 09-13 20:18

    DDR4時序參數(shù)介紹

    DDR4(Double Data Rate 4)時序參數(shù)是描述DDR4內(nèi)存模塊在執(zhí)行讀寫操作時所需時間的一組關(guān)鍵參數(shù),它們直接影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。以下是對DDR4時序參數(shù)的詳細(xì)解
    的頭像 發(fā)表于 09-04 14:18 ?909次閱讀

    DDR4 SDRAM控制器的主要特點

    設(shè)計和功能對于提升系統(tǒng)性能、降低功耗以及增強數(shù)據(jù)可靠性起著至關(guān)重要的作用。以下是對DDR4 SDRAM控制器主要特點的詳細(xì)分析,旨在覆蓋其關(guān)鍵功能、性能提升、技術(shù)優(yōu)化以及應(yīng)用優(yōu)勢等方面。
    的頭像 發(fā)表于 09-04 12:55 ?339次閱讀

    什么是DDR4內(nèi)存的工作頻率

    DDR4內(nèi)存的工作頻率是指DDR4內(nèi)存條在運行時所能達(dá)到的速度,它是衡量DDR4內(nèi)存性能的一個重要指標(biāo)。DDR4內(nèi)存作為目前廣泛使用的內(nèi)存類型之一,其工作頻率經(jīng)歷了從最初的低頻率到當(dāng)前
    的頭像 發(fā)表于 09-04 12:45 ?725次閱讀

    DDR4主要參數(shù)

    DDR4(Double Data Rate 4)作為當(dāng)前主流的計算機(jī)內(nèi)存技術(shù),相較于其前身DDR3,在性能、功耗、容量等多個方面都有了顯著提升。
    的頭像 發(fā)表于 09-04 12:43 ?1179次閱讀

    DDR4接口引腳定義及功能

    DDR4(Double Data Rate 4)接口引腳的具體定義和功能是一個復(fù)雜且詳細(xì)的話題,涉及到電源、地、控制信號、時鐘信號、地址信號
    的頭像 發(fā)表于 09-04 12:39 ?2750次閱讀

    DDR4尋址原理詳解

    )的尋址原理是計算機(jī)內(nèi)存系統(tǒng)中至關(guān)重要的一個環(huán)節(jié),它決定了數(shù)據(jù)如何在內(nèi)存中被有效地存儲和訪問。DDR4的尋址原理復(fù)雜而高效,以下將詳細(xì)闡述其關(guān)鍵要素和工作流程。
    的頭像 發(fā)表于 09-04 12:38 ?339次閱讀

    DDR4時鐘頻率和速率的關(guān)系

    DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)的時鐘頻率和速率之間存在著緊密的關(guān)系,這種關(guān)系對于理解DDR4內(nèi)存的性能特性至關(guān)重要。以下將詳細(xì)探討DDR4時鐘頻率和速率之間的關(guān)系,
    的頭像 發(fā)表于 09-04 11:44 ?1207次閱讀

    DDR4的基本概念和特性

    DDR4,即第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory),是計算機(jī)內(nèi)存技術(shù)的一個重要
    的頭像 發(fā)表于 09-04 11:43 ?1020次閱讀

    DDR5內(nèi)存條上的時鐘

    DDR5標(biāo)準(zhǔn)JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時代基本內(nèi)存條上時鐘阻抗還是跟著芯片、主板的70-80歐姆。線寬相對而言比較細(xì)。不知道你開始使用DDR5沒有,你有關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 07-16 17:47 ?1520次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR</b>5內(nèi)存條上的時鐘<b class='flag-5'>走</b><b class='flag-5'>線</b>

    0706線下活動 I DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號專題設(shè)計技術(shù)交流活動

    01活動主題DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號專題設(shè)計技術(shù)交流活動時間:2024年7月6日(本周六)10:00地點:深圳市南山區(qū)科技南十二路曙光大廈1002(深圳地鐵1號,高新園地鐵
    的頭像 發(fā)表于 07-06 08:12 ?242次閱讀
    0706線下活動 I <b class='flag-5'>DDR4</b>/<b class='flag-5'>DDR</b>5內(nèi)存技術(shù)高速<b class='flag-5'>信號</b>專題設(shè)計技術(shù)交流活動

    FPGA DDR4讀寫實驗(1)

    SDRAM),是一種高速 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 ,它屬于 SDRAM 家族的存儲器產(chǎn)品,提供了相較于 DDR3 SDRAM 更高的運行性能與更低的電壓,并被廣泛的應(yīng)用于計算機(jī)的運行緩存。 1 DDR4 介紹
    發(fā)表于 07-03 13:43

    適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流
    發(fā)表于 03-13 13:53 ?1次下載
    <b class='flag-5'>適用于</b><b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR</b>3、<b class='flag-5'>DDR</b>3L和<b class='flag-5'>DDR4</b>且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流<b class='flag-5'>DDR</b>終端穩(wěn)壓器<b class='flag-5'>數(shù)據(jù)</b>表

    DDR4信號完整性測試要求

    DDR5已經(jīng)開始商用,但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比, 它的速度大幅提
    的頭像 發(fā)表于 01-08 09:18 ?1665次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR4</b><b class='flag-5'>信號</b>完整性測試要求

    DDR4DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?

    DDR4DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著
    的頭像 發(fā)表于 10-30 09:22 ?1w次閱讀