新型玻璃芯片幫助克服光纖低損耗耦合的困難

集成光學(xué)元件制造商Optoscribe Ltd基于其專有的高速激光寫入技術(shù)，推出最新款單片玻璃芯片OptoCplrLT，克服光纖與硅光子學(xué)光柵耦合器進(jìn)行低損耗耦合的挑戰(zhàn)，以實(shí)現(xiàn)大批量自動(dòng)化組裝，并幫助降低成本。

據(jù)了解，該高速激光寫入技術(shù)的特點(diǎn)是在玻璃中形成獨(dú)特的低損耗光轉(zhuǎn)彎鏡，可將光引導(dǎo)到SiPh光柵耦合器或從SiPh光柵耦合器發(fā)出，避免了對(duì)耐彎曲光纖解決方案的需求。

這些解決方案通常是昂貴和具有挑戰(zhàn)性的，并且在尺寸和外形上有一些顯著的限制。為了幫助解決占地面積的挑戰(zhàn)，OptoCplrLT具有高度小于1.5mm的低剖面接口，可實(shí)現(xiàn)緊湊的接口布局，從而減輕封裝限制。同時(shí)，還兼容行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的材料和工藝，例如玻璃芯片的熱膨脹系數(shù)與硅芯片相匹配，有助于最大限度地提高性能。

Optoscribe的高速激光誘導(dǎo)選擇性蝕刻工藝為陣列的圖案化提供了完全的3D靈活性，并能在玻璃中創(chuàng)建高精度、可控的微結(jié)構(gòu)。這是一種新穎的兩階段玻璃微結(jié)構(gòu)化工藝，它使用聚焦的超短脈沖激光誘導(dǎo)次表面材料圖案化，并定位到激光束的焦點(diǎn)。通過(guò)快速掃描玻璃內(nèi)的三維形狀，創(chuàng)建了提高蝕刻速度的區(qū)域，這樣在將基材暴露于濕化學(xué)蝕刻時(shí)，照射的區(qū)域會(huì)優(yōu)先蝕刻。

激光誘導(dǎo)的選擇性蝕刻與硅圖案的主要區(qū)別在于它的適應(yīng)性，這是一個(gè)快速發(fā)展行業(yè)的關(guān)鍵因素。例如，由于硅圖案化依賴于現(xiàn)有的MEMS技術(shù)和制造設(shè)施，用于制造2D陣列的工具只能生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)的硅片厚度，通常是650微米厚。鑒于二維陣列需要幾毫米的厚度，以提供機(jī)械剛性和完整性來(lái)保持光纖的位置，三個(gè)硅圖案化的二維陣列通常被堆疊和粘合在一起以產(chǎn)生所需的厚度。

這不僅產(chǎn)生了額外的不必要的加工步驟和成本，而且還引入了一個(gè)潛在的新的堆疊錯(cuò)位誤差。相比之下，激光誘導(dǎo)的選擇性蝕刻可以在實(shí)質(zhì)上更厚的玻璃基板上進(jìn)行，如2mm。

審核編輯：符乾江