2021年，功率半導體行業(yè)還能保持高景氣度嗎？

近期，各公司2020年業(yè)績預告陸續(xù)披露，“從業(yè)績預告來看，2020年，功率半導體行業(yè)產(chǎn)銷兩旺。

1月5日，揚杰科技披露2020年業(yè)績預告，公司預計2020年歸屬于上市公司股東的凈利潤為3.6億元至4.17億元，同比增長60%至85%。

對于業(yè)績增長主要原因，揚杰科技披露，一是受益于功率半導體國產(chǎn)替代加速和下游市場拉動；二是公司在立足現(xiàn)有市場、產(chǎn)品的同時，持續(xù)加大研發(fā)投入，全力推進高端功率MOSFET、IGBT等新產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，進一步優(yōu)化公司的產(chǎn)品結構，促進公司整體效益的提升；

據(jù)悉，2020年第二季度以來，功率半導體的景氣度持續(xù)提升，相關上市公司產(chǎn)能利用率不斷提高，全年業(yè)績可期。其中，代工廠華虹半導體在第三季度報告中披露，公司的三座8英寸廠在當季的產(chǎn)能利用率均超過100%。

2021年，功率半導體行業(yè)還能保持高景氣度嗎？

對此，多家業(yè)內公司持樂觀態(tài)度，“功率器件，特別是汽車功率半導體器件在2021年全年可能都將保持產(chǎn)能緊張的態(tài)勢?！甭?a href="http://srfitnesspt.com/tags/泰科/" target="_blank">泰科技在接受記者采訪時表示，目前，聞泰科技旗下安世半導體的產(chǎn)能利用率約95%，產(chǎn)品90%以上為車規(guī)級。新潔能認為，整個功率半導體市場供不應求，上半年景氣度無憂，下半年形勢依然樂觀。華潤微在近期接受機構調研時也表示，公司目前在手訂單飽滿，產(chǎn)能滿載，公司對全年行業(yè)景氣度持樂觀態(tài)度。

新能源汽車被視為功率半導體成長的最大驅動力

中國汽車工業(yè)協(xié)會副秘書長葉盛基預計2021年新能源汽車銷量增速將超過30%，一汽-大眾銷售有限責任公司執(zhí)行副總經(jīng)理、大眾品牌執(zhí)行總監(jiān)馬振山則看高至50%。依據(jù)新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，到2025年新能源車銷量要達到新車總銷量的20%。這意味著接下來5年，新能源汽車行業(yè)年復合增長率將達37%以上。

受益于新能源汽車發(fā)展，MOSFET、IGBT需求持續(xù)提升。有數(shù)據(jù)顯示，到2022 年，MOSFET在汽車應用領域的需求將超越計算機和數(shù)據(jù)存儲領域，占總體需求市場的22%。IGBT則是新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，成本占到新能源汽車整車成本的10%，占充電樁成本的20%。

“除了下游需求持續(xù)增長，國產(chǎn)替代是功率半導體廠商成長的另外一大驅動力?！币患曳至⑵骷径麻L在接受記者采訪時強調，受相關因素影響，國內功率器件廠商迎來了更多的下游應用機遇，產(chǎn)品數(shù)量、質量、市占率都在不斷提升。

多家公司擴產(chǎn)搶抓機遇

在下游需求增長、國產(chǎn)替代等多因素推動下，功率半導體產(chǎn)能持續(xù)緊張。聞泰科技，華潤微、士蘭微、斯達半導、揚杰科技等多家上市公司都在積極增加投資，擴大晶圓、封裝等產(chǎn)能。

華潤微在近期接受機構調研時表示，公司無錫8英寸線的募投技改項目已經(jīng)開始建設，預計2021年會釋放一部分產(chǎn)能；重慶8英寸線升級改造項目也將為2021年新增一部分產(chǎn)能。公司12英寸產(chǎn)線在2021年建設，預計在2022年可以貢獻產(chǎn)能。另外，華潤微IPO募資50億元，其中38億元用于封測基地（項目總投資42億元），爭取2021年一季度完成封測項目。

士蘭微在近期的公告中表示，公司在購買集華投資19.51%股權及士蘭集昕20.38%股權的同時，將通過定增募集配套資金不超過11.22億元，用于8英寸集成電路芯片生產(chǎn)線二期項目和償還銀行貸款。

斯達半導在2020年12月18日公告，公司開始投資建設年產(chǎn)8萬顆車規(guī)級全碳化硅功率模組生產(chǎn)線和研發(fā)測試中心，項目計劃總投資2.3億元。揚杰科技也在2020年6月披露，擬定增募資不超過15億元，用于智能終端用超薄微功率半導體芯片封測項目等。

技術路線發(fā)展與成本控制并行

功率半導體是電動汽車發(fā)展的關鍵技術，其中，功率半導體材料和成本方面的突破是進一步提升電動汽車的性能的關鍵。未來的功率器件技術突破是多方面的，例如從寬禁帶半導體材料方面著手，利用碳化硅或者氮化鎵的耐高溫、抗輻射優(yōu)點，降低導通損耗等?；蛘呤峭ㄟ^超結IGBT技術，提升器件的耐壓性能。又或者是利用硅基IGBT和碳化硅MOSFET的巧妙組合，達到新的性能水平。技術路線發(fā)展與成本控制并行，從業(yè)工程師人員對新一代功率器件及材料的關注度日益增高。

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