存儲(chǔ)器的分類(lèi)
1RAM
Random-Access-Memory,隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器,可讀可寫(xiě),分為SRAM和DRAM,即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,理解上靜動(dòng)態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新,通常DRAM需要刷新,否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好,而成本較高,通常將SRAM作為cache使用。
2PSRAM
Pseudo static random access memory,偽SRAM偽隨機(jī)存儲(chǔ)器,內(nèi)部和DRAM相似,接口和SRAM相似,具有自刷新功能,不需要外部刷新。而其成本介于SRAM與DRAM之間。
3單雙端口RAM
單端口RAM同一時(shí)刻,只能滿足讀或?qū)懩骋粍?dòng)作,而雙端口RAM存在兩套獨(dú)立的地址、數(shù)據(jù)、讀寫(xiě)控制等,可以同時(shí)進(jìn)行兩個(gè)操作,當(dāng)然為避免沖突,存在一定的仲裁控制,成本也更高。偽雙口RAM是只有兩訪問(wèn)接口,單一個(gè)端口只讀,另一個(gè)端口只能寫(xiě)。
4ROM
Read-Only-Memory,只讀存儲(chǔ)器,通常使用時(shí)一次寫(xiě)好,使用時(shí)只能進(jìn)行讀操作,而不能進(jìn)行寫(xiě)操作。
5CACHE
高速緩沖存儲(chǔ)器,由于存儲(chǔ)器DDR/DRAM等相對(duì)于處理器訪問(wèn)速度較慢,增加的一級(jí)緩沖存儲(chǔ)空間,當(dāng)需要處理器需要訪問(wèn)內(nèi)存某一塊區(qū)域時(shí),先緩存cache中,處理器訪問(wèn)cache速度較快;但同時(shí)也需要增加處理DDR和CACHE中數(shù)據(jù)同步、替換等問(wèn)題。
6TCM
Tightly-Coupled-Memory 緊密耦合(鏈接)的存儲(chǔ)器,是指和處理器鏈接緊密,基本可以看做和CACHE同一等級(jí)連接的存儲(chǔ)空間(印象中ARM結(jié)構(gòu)上和L2 CACHE同一層次),其存儲(chǔ)空間的內(nèi)容不會(huì)像CACHE處理一樣經(jīng)常替換。
7EEPROM
Electrically Erasable Programmable read only memory電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器,掉電非易失的存儲(chǔ)芯片,在特殊高電壓模式下可以插寫(xiě),普通模式下只讀ROM。
8FLASH
閃存,和EEPROM一樣可擦除可重寫(xiě),差別EEPROM總是按字節(jié)操作,F(xiàn)LASH可以按照字節(jié)塊擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash,Nor-flash可以按照字節(jié)讀取,而NandFlash只能按塊讀取,兩者同樣可以按照字節(jié)塊擦除。Nor-Flash需要支持隨機(jī)讀取的地址、數(shù)據(jù)線,成本比Nand-Flash高,而其可擦寫(xiě)次數(shù)低于NAND FLASH,一般嵌入系統(tǒng)中剛boot需要初始化的代碼需要放置在Nor-Flash中。
對(duì)于FLASH的讀取總線可以有I2C、SPI串行型,也可以采用并行Parallel;同樣Flash可以和處理器集成在一起或是通過(guò)總線外部訪問(wèn)。
9FRAM
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它能在非常低的電能需求下快速地存儲(chǔ),在消費(fèi)者的小型設(shè)備中得到廣泛地應(yīng)用;FRAM的特點(diǎn)是速度快,讀寫(xiě)功耗極低并可以像非易失性存儲(chǔ)器一樣使用,因受鐵電晶體的固有缺點(diǎn)訪問(wèn)次數(shù)是有限的,超出限度,將不再具有非易失性,但仍可象普通RAM一樣使用。
10eMMC
embedded multi media card,集成了NAND FLASH和控制部分的集成電路,提供像SD、TF(trans-flash)卡一樣的使用接口。
11硬盤(pán)
傳統(tǒng)硬盤(pán)采用磁材料作為存儲(chǔ)介質(zhì),固態(tài)硬盤(pán)使用FLASH,訪問(wèn)速度性能較好。
編輯:lyn
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存儲(chǔ)器
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原文標(biāo)題:ST熱銷(xiāo)新品 M95M04 4MB串行EEPROM存儲(chǔ)器
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