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硬創(chuàng)早報:三星全球首秀3nm!電壓只需0.23V

電子工程師 ? 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金 ? 作者:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金 ? 2021-03-23 10:36 ? 次閱讀

【巴西:華為不會成為該國政府使用的5G網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商】據(jù)外媒報道,巴西通信部長法比奧·法里亞在國會5G工作組公開聽證會上表示,華為將不會被列入政府將使用的5G和私人通信網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商之列。當(dāng)議員們詢問華為是否可能被禁止參與某些特定項目時,法里亞表示,華為不符合巴西電信公司Anatel最近提出的競標(biāo)要求。不過,法里亞表示,巴西政府不會阻止任何國家或組織在巴西開展業(yè)務(wù),但可以為自己的網(wǎng)絡(luò)定義標(biāo)準(zhǔn),比如要求供應(yīng)商遵守與巴西上市公司相兼容的公司治理規(guī)則。

產(chǎn)業(yè)要聞

三星全球首秀3nm!電壓只需0.23V

IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會上,三星(確切地說是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工藝制造的芯片,是一顆256Gb(32GB)容量的SRAM存儲芯片,這也是新工藝落地傳統(tǒng)的第一步。

在三星路線圖上,14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工藝節(jié)點,其他則是升級改善型,包括11/8/6/5/4nm等等。

三星將在3nm工藝上第一次應(yīng)用GAAFET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)技術(shù),再次實現(xiàn)了晶體管結(jié)構(gòu)的突破,比現(xiàn)在的FinFET立體晶體管又是一大飛躍。

GAAFET技術(shù)又分為兩種類型,一是常規(guī)GAAFET,使用納米線(nanowire)作為晶體管的鰭(fin),二是MBCFET(多橋通道場效應(yīng)晶體管),使用的鰭更厚更寬一些,稱之為納米片(nanosheet)。

三星的第一顆3nm SRAM芯片用的就是MBCFET,容量256Gb,面積56平方毫米,最令三星驕傲的就是超低功耗,寫入電流只需要區(qū)區(qū)0.23V,這要感謝MBCFET的多種省電技術(shù)。

按照三星的說法,3GAE工藝相比于其7LPP,可將晶體管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。

或許,這可以讓三星更好地控制芯片功耗、發(fā)熱,避免再出現(xiàn)所謂的“翻車”。

三星3nm預(yù)計明年投入量產(chǎn),但尚未公布任何客戶。

臺積電方面,3nm繼續(xù)使用FinFET技術(shù),號稱相比于5nm晶體管密度增加70%,性能可提升11%,或者功耗可降低27%,預(yù)計今年晚些時候投入試產(chǎn),明年量產(chǎn),客戶包括除了蘋果、AMD、NVIDIA、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等,甚至據(jù)說Intel也會用。

芯片短缺蔓延至手機市場:驍龍888短缺 三星中低端機型生產(chǎn)受阻

據(jù)國外媒體報道,自2020年下半年以來,芯片短缺問題就成為半導(dǎo)體行業(yè)的主旋律。如今,芯片短缺問題日益嚴(yán)重,包括汽車、手機、游戲機、PC在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)相繼受到影響。

據(jù)悉,高通是HTC、索尼、諾基亞、LG、三星等公司的芯片供應(yīng)商。而在國內(nèi),華為、中興、聯(lián)想、小米、海信、海爾等大多也都采用高通的驍龍處理器。如今,高通也出現(xiàn)了芯片短缺問題。

在過去幾個月,高通芯片的需求飆升。然而,高通又難以滿足高于預(yù)期的需求,部分原因是其芯片中使用的一些子部件出現(xiàn)短缺。

一位來自三星供應(yīng)商的知情人士表示,高通芯片短缺對三星中低端機型的生產(chǎn)構(gòu)成了沖擊。而來自另一家三星供應(yīng)商的知情人士也表示,高通的最新旗艦芯片驍龍888也出現(xiàn)短缺,但他并未透露這是否會影響三星高端手機的生產(chǎn)。

此前,小米和Realme都承認(rèn)芯片組市場存在巨大短缺。在2月24日晚間,小米中國區(qū)總裁、Redmi品牌副總裁兼總經(jīng)理盧偉冰曾在微博上表示:“今年芯片太缺了,不是缺,而是極缺?!?/p>

此外,Realme相關(guān)負(fù)責(zé)人也表示:“高通主芯片、小料都缺貨,其中包括電源類和射頻類的器件。”

手機供應(yīng)鏈人士曾透露,高通全系列物料的交付期限已延長至30周以上,其中CSR藍(lán)牙音頻芯片的交付周期已達33周以上。

資本市場動態(tài)

一級市場

半導(dǎo)體及AIOT領(lǐng)域一級市場融資事件整理如下:

a0e835ac-8932-11eb-8b86-12bb97331649.png

二級市場

科創(chuàng)板及創(chuàng)業(yè)板半導(dǎo)體及AIOT相關(guān)公司上市狀態(tài)更新如下:

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-END-

責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:硬創(chuàng)早報:三星全球首秀3nm 電壓只需0.23V;芯片短缺蔓延至手機市場;巴西稱華為不會成為該國政府使用的5G網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商

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