Flash存儲(chǔ)器的擦寫操作流程

ME32F030采用高可靠的嵌入式Flash技術(shù)，64K用戶區(qū)間，支持IAP/ISPFlash擦寫技術(shù)。MCUFlash采用32位數(shù)據(jù)總線讀寫，充分利用32位ARMCPU性能優(yōu)勢(shì)，同時(shí)它的512字節(jié)小扇區(qū)結(jié)構(gòu)，管理操作也更加靈活。Flash存儲(chǔ)器支持的操作如下：

讀操作：

ARMCPU可以通過讀指令直接從嵌入式Flash讀取數(shù)據(jù)，最高支持達(dá)30MHz的讀取速度。當(dāng)CPU時(shí)鐘超過Flash的最大讀取速度時(shí)，需要插入延遲時(shí)鐘，延遲時(shí)鐘由RDCYC寄存器控制。

FLASH擦寫操作：

Flash擦寫采用扇區(qū)擦除，字（WORD）寫入模式，并通過一寄存器組實(shí)現(xiàn)。擦寫地址必須是32位對(duì)齊。擦除扇區(qū)流程如下：

①、向地址寄存器寫入要操作的FLASH地址。

②、發(fā)FLASH扇區(qū)擦除指令0x04。

③、判斷FLASH是否處于忙狀態(tài)，不處于忙狀態(tài)則流程結(jié)束。

字（WORD）編程的流程如下：

①、向地址寄存器寫入要操作的FLASH地址。

②、向數(shù)據(jù)寄存器寫入要編程的數(shù)據(jù)。

③、發(fā)FLASH扇區(qū)擦除指令0x02。

④、判斷FLASH是否處于忙狀態(tài)，不處于忙狀態(tài)則流程結(jié)束。

這里要注意的是如果要編程數(shù)據(jù)，一定要先進(jìn)行擦除步驟，然后再向FLASH進(jìn)行編程操作。否則直接執(zhí)行編程流程是無效的。
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