英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁陶瓷

9月9-11日，英飛凌將隆重亮相PCIM Asia深圳展會(huì)，通過(guò)四大展示空間“工業(yè)與能源”、“電動(dòng)車輛”、“高能效智能家居”和“數(shù)字島”向來(lái)訪者展示了英飛凌在技術(shù)和產(chǎn)品上的成果，用全新的形式與業(yè)內(nèi)人士交流互動(dòng)產(chǎn)品和應(yīng)用技術(shù)。

借英飛凌碳化硅20周年之際，9月10日，我們?cè)谡箷?huì)會(huì)場(chǎng)，隆重舉辦第三屆碳化硅應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇，敬請(qǐng)蒞臨。

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置， EasyDUAL 1B版本的導(dǎo)通電阻(RDS(on))為11 mΩ，EasyDUAL 2B版本的導(dǎo)通電阻(RDS(on))為6mΩ。升級(jí)為高性能AIN后，該1200 V器件適合用于高功率密度應(yīng)用，包括太陽(yáng)能系統(tǒng)、不間斷電源、輔助逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、大功率DCDC變換器、高速電機(jī)和電動(dòng)汽車充電樁等。

EasyDUAL模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有優(yōu)良的柵極氧化層可靠性最新CoolSiC MOSFET技術(shù)。由于DCB材料的熱導(dǎo)率更高，結(jié)到散熱器的熱阻(RthJH)最多可以降低40%。在CoolSiC Easy模塊中，該新型AIN陶瓷可幫助提高輸出功率或降低結(jié)溫，進(jìn)而可以延長(zhǎng)系統(tǒng)壽命。

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EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70現(xiàn)在即可訂購(gòu)。點(diǎn)擊文末“閱讀原文”，了解更多產(chǎn)品信息

英飛凌設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、制造并銷售各種半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。其業(yè)務(wù)重點(diǎn)包括汽車電子、工業(yè)電子、射頻應(yīng)用、移動(dòng)終端和基于硬件的安全解決方案等。

英飛凌將業(yè)務(wù)成功與社會(huì)責(zé)任結(jié)合在一起，致力于讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。半導(dǎo)體雖幾乎看不到，但它已經(jīng)成為了我們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠帧２徽撛陔娏ιa(chǎn)、傳輸還是利用等方面，英飛凌芯片始終發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，它們?cè)诒Ｗo(hù)數(shù)據(jù)通信，提高道路交通安全性，降低車輛的二氧化碳排放等領(lǐng)域同樣功不可沒(méi)。

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