SiT5356：SiTime Stratum 3高精密±0.1ppm溫補晶振TCXO

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為了加速SiTime MEMS硅晶振產(chǎn)品的應(yīng)用普及，讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優(yōu)勢，SiTime公司聯(lián)合本土半導(dǎo)體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心，為用戶提供免費樣品申請，小批量試產(chǎn)、現(xiàn)貨應(yīng)急、特價申請、技術(shù)支持等便捷服務(wù)，更多信息請訪問www.sitimechina.com，客戶服務(wù)熱線400-888-2483。

SiT5356是SiTime推出的一款1-60MHZ輸出的超高精度、抗沖擊、芯片級、可編程的溫度補償型振蕩器，可提供0.1 ppb/g 振動免疫力，不會產(chǎn)生頻率擾動或微跳變。廣泛應(yīng)用于小型基站、IEEE1588、光傳送 - SONET / SDH，OTN、同步以太網(wǎng)及光學(xué)設(shè)備。

SiT5356具有超高的穩(wěn)定性（±0.1 ppm至±0.25 ppm），出色的動態(tài)性能和豐富的功能。將會讓小型基站、微波回傳、同步以太網(wǎng)及光學(xué)設(shè)備的動態(tài)性能提升30 倍，動態(tài)穩(wěn)定性提升 10 倍達 1 ppb/℃，可取代 IEEE 1588 應(yīng)用中價格昂貴的恒溫槽控制石英晶振（OCXO）；抗振性增加 20 倍，確保系統(tǒng)持續(xù)運行；10/40/100G 以太網(wǎng)的可靠性提升30 倍；可運行于-40℃至 +105℃溫度范圍，特別適合無風(fēng)扇戶外設(shè)備。在高溫、熱震蕩、振動以及不可預(yù)期的氣流下持續(xù)運行。

SiT5356選型參數(shù)

振蕩器類型：TCXO

頻率：1 - 60MHz任意頻率，可精確到小數(shù)點后6位

頻率穩(wěn)定性：±0.1ppm、±0.2ppm、±0.25ppm

相位抖動（rms）：0.31ps

輸出類型：LVCMOS、Clipped sinewave（削峰正弦波）

工作溫度：-20℃ ~ ＋70℃、-40℃ ~ +80℃、-40℃ ~ ＋105℃

牽引范圍：±6.25ppm、±10ppm、±12.5ppm、±25ppm、±50ppm、±80ppm、±100ppm、±125ppm、±150ppm、±200ppm、±400ppm、±600ppm、±800ppm、±1600ppm、±3200ppm

電源電壓：2.5V、2.8V、3.0V、3.3V

封裝尺寸：5.0mm x 3.2mm

SiT5356特點

在氣流、快速溫度和斜坡作用下，具有優(yōu)異的動態(tài)穩(wěn)定性

±100ppb的頻率穩(wěn)定性

3e-11 ADEV 在 10 秒平均時間

±15 ppb/°C 頻率斜率 (ΔF/ΔT)，10°C/min 斜坡

確保惡劣環(huán)境中電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的系統(tǒng)級服務(wù)質(zhì)量

振動下的相位噪聲提高 20 倍

最大限度地減少高振動環(huán)境中的呼叫和/或鏈路中斷

沒有活動下降或微跳

無需進行昂貴的篩選或老化測試

0.2 ps/mV 電源噪聲抑制 (PSNR)

通過消除用于 TCXO 的專用 LDO 來減少 BOM

LVCMOS 或削波正弦波輸出

優(yōu)化以實現(xiàn) EMI 和抖動之間的最佳平衡

1 至 60 MHz 之間的任何頻率

2.25 至 3.63 V

±6.25 至 ±3200 ppm 的牽引范圍

自定義 TCXO 規(guī)格以獲得最佳系統(tǒng)性能

通過 I2C 進行數(shù)字頻率調(diào)諧

消除電路板噪聲引起的頻移

10 億小時 MTBF

終身保修

減少由于時鐘組件引起的維修成本和現(xiàn)場故障

SiT5356應(yīng)用

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