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比亞迪半導體SiC功率模塊斬獲2021年度“全球電子成就獎”

比亞迪半導體 ? 來源:比亞迪半導體 ? 作者:比亞迪半導體 ? 2021-12-03 11:12 ? 次閱讀

11月3日,由全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團ASPENCORE主辦的2021全球 CEO 峰會暨全球電子成就獎(WEAA)頒獎典禮在深如期舉辦。比亞迪半導體三相全橋碳化硅功率模塊榮膺2021全球電子成就獎之“年度功率半導體/驅(qū)動器”!

芯生態(tài) 比亞迪車規(guī)級半導體整體解決方案

2021全球CEO峰會聚焦新工業(yè)戰(zhàn)略,國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖共享行業(yè)前瞻。比亞迪半導體股份有限公司總經(jīng)理陳剛發(fā)表主題為《芯生態(tài)·新發(fā)展 比亞迪車規(guī)級半導體整體解決方案》的精彩演講。

在談及如何助力實現(xiàn)車規(guī)級半導體產(chǎn)業(yè)全面快速發(fā)展時,他表示:“比亞迪半導體不斷加強科技創(chuàng)新能力,重視基礎(chǔ)科學研究和工藝創(chuàng)新,上下游產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同合作實現(xiàn)產(chǎn)品性能最優(yōu)比,以車規(guī)級半導體為核心持續(xù)拓展下游應用場景。”

在芯生態(tài)模式下,陳剛先生深入闡述比亞迪車規(guī)級半導體整體解決方案,通過加快研發(fā)進度、縮短驗證周期、實現(xiàn)產(chǎn)品性能最優(yōu)化、提升產(chǎn)品可靠性、保障供應穩(wěn)定安全等各維度,以高效為核心重點提升功率半導體效率,降低功率損耗,使Si 和 SiC同步發(fā)展;

智能、集成為核心,重點提高關(guān)鍵芯片智能化程度,滿足車規(guī)級高控制能力需求,最終達到集成化方案和協(xié)同化應用的高度融合,使整車在定義智能化汽車當中實現(xiàn)所有的功能協(xié)同應用。

技術(shù)領(lǐng)航 碳化硅功率模塊榮獲“全球電子成就獎”

據(jù)悉,全球電子成就獎由 ASPENCORE 全球資深產(chǎn)業(yè)分析師組成的評審委員會以及來自亞、美、歐洲的網(wǎng)站用戶群共同評選,旨在表彰對推動全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻的企業(yè)及管理者,充分體現(xiàn)了其在業(yè)界的極高地位與深遠影響力。

經(jīng)過歷時3個月的激烈角逐,多維度綜合評定,比亞迪半導體三相全橋碳化硅功率模塊在眾多知名強勁產(chǎn)品中脫穎而出,以硬核實力斬獲2021全球電子成就獎之“年度功率半導體/驅(qū)動器”。

比亞迪半導體碳化硅功率模塊因其創(chuàng)新技術(shù)、優(yōu)異性能及搭載在應用端上出眾的表現(xiàn),已獲得業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注與認可,為國內(nèi)首款批量裝車的碳化硅模塊。其采用納米銀燒結(jié)工藝代替?zhèn)鹘y(tǒng)焊料焊接工藝,相比傳統(tǒng)焊接產(chǎn)品,可靠性提升5倍以上,連接層導熱率提升達10倍;采用氮化硅AMB陶瓷覆銅基板,可靠性提升10倍,且增加覆銅厚度來增加橫向散熱能力;采用超聲波焊接工藝連接絕緣基板金屬塊與外部電極,減小模塊雜散電感,并增強過流及散熱能力。

SiC MOSFET,作為新能源汽車下一代功率半導體核心器件,其超低的開關(guān)及導通損耗、超高的工作結(jié)溫等特性,在實現(xiàn)系統(tǒng)高效率和高頻化方面起到了決定性作用。

此次獲獎的比亞迪半導體碳化硅功率模塊,系一款三相全橋拓撲結(jié)構(gòu)的灌封全碳化硅功率模塊,主要應用于新能源汽車電機驅(qū)動控制器。它突破了高溫封裝材料、高壽命互連設計、高散熱設計及車規(guī)級驗證等技術(shù)難題,充分發(fā)揮了 SiC 功率器件的高效、高頻、耐高溫優(yōu)勢。

該碳化硅功率模塊于2020年搭載比亞迪明星車型“漢EV”上市,助力整車實現(xiàn)百公里加速3.9s,百公里能耗降低1度電,續(xù)航提升5%以上,大大提升SiC電控的綜合效率,使整車的動力性、經(jīng)濟性表現(xiàn)出色。

憑借多年的功率器件設計經(jīng)驗和集團汽車級應用平臺資源,比亞迪半導體率先進軍SiC功率器件研發(fā)領(lǐng)域。經(jīng)過不懈努力,其已成為國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應用SiC器件的半導體公司,牢牢掌握SiC研發(fā)的核心前沿技術(shù)。公司是全球首家、國內(nèi)唯一實現(xiàn) SiC 三相全橋模塊在新能源汽車電機驅(qū)動控制器中大批量裝車的功率半導體企業(yè)。

未來,比亞迪半導體將不斷優(yōu)化提升IGBT及SiC功率器件性能表現(xiàn),往高效率、高集成、高可靠性方向不斷發(fā)展。

新發(fā)展 集成化方案與協(xié)同化應用高度融合

半導體行業(yè)是極度依賴全球化的產(chǎn)業(yè),產(chǎn)業(yè)鏈分工明確,上下游的協(xié)同在半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中起著至關(guān)重要的作用。

歷經(jīng)17載,比亞迪半導體依靠自主研發(fā)掌握一系列核心技術(shù),在功率半導體、智能控制 IC、智能傳感器光電半導體等領(lǐng)域深入布局,憑借持續(xù)的研發(fā)投入、經(jīng)驗豐富的研發(fā)團隊和多年的技術(shù)積累及應用實踐,形成了豐富的產(chǎn)品線,并在車規(guī)級產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了重大技術(shù)突破。

IGBT、 SiC 器件、 MCU、 LED 光源、電流傳感器等車規(guī)級產(chǎn)品均已實現(xiàn)量產(chǎn)及裝車,擁有了大規(guī)模的應用數(shù)據(jù),在車規(guī)級半導體自主可控進程中掌握先發(fā)優(yōu)勢,具備為整車廠提供集成化解決方案和協(xié)同化應用平臺的能力。比亞迪半導體現(xiàn)已成長為國內(nèi)領(lǐng)先的車規(guī)級半導體整體方案供應商,產(chǎn)品已基本覆蓋新能源汽車核心應用領(lǐng)域,如電控系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、熱管理系統(tǒng)等。

惟創(chuàng)新者進,惟創(chuàng)新者強,惟創(chuàng)新者勝。比亞迪半導體獲此殊榮,離不開其對技術(shù)創(chuàng)新的不懈追求。面對汽車百年未有之大變局的機遇與挑戰(zhàn),比亞迪半導體將持續(xù)以創(chuàng)新的產(chǎn)品和強大技術(shù)實力,充分利用整車制造平臺優(yōu)勢,打破國產(chǎn)車規(guī)級半導體下游應用瓶頸,始終走在技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品應用的最前沿,提供領(lǐng)先的半導體產(chǎn)品及解決方案,實現(xiàn)集成化方案與協(xié)同化應用高度融合,持續(xù)向行業(yè)注入新的活力。

編輯:jq

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原文標題:創(chuàng)新引領(lǐng)未來,比亞迪半導體SiC功率模塊斬獲2021年度“全球電子成就獎”

文章出處:【微信號:BYD_Semiconductor,微信公眾號:比亞迪半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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