Qorvo收購碳化硅功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC

Qorvo 已收購了總部位于新澤西州普林斯頓的碳化硅(SiC) 功率半導(dǎo)體制造商 United Silicon Carbide (UnitedSiC)。收購 UnitedSiC 使 Qorvo 的業(yè)務(wù)擴展到電動汽車(EV)、工業(yè)功率控制、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)等快速增長的市場領(lǐng)域。

在接受 EETIMES 采訪時，Qorvo 可編程電源管理業(yè)務(wù)部門高級總監(jiān) David Briggs 以及 UnitedSiC 前總裁兼首席執(zhí)行官、Qorvo 現(xiàn)任電源設(shè)備解決方案部門總經(jīng)理 Chris Dries 分析了此次新收購的一些方面和市場影響。Dries 表示，Qorvo 對 Active-Semi 的收購觸發(fā)了其對功率電子設(shè)備領(lǐng)域的興趣。如今，Qorvo 的目標就是，利用 UnitedSiC 的化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)來實現(xiàn)偉大的多元化戰(zhàn)略。

Briggs 表示：“可編程電源管理業(yè)務(wù)發(fā)展迅速，Qrovo 希望在電力市場占有更大的份額。此次收購有助于加快其進軍該市場領(lǐng)域的步伐，進而創(chuàng)建將我們可編程性、靈活性和模擬控制 IP 與 UnitedSiC 產(chǎn)品組合在一起的解決方案，以便為客戶打造端到端解決方案?！?/p>

Silicon Carbide

UnitedSiC 已開發(fā)出一種共源共柵布局的SiC，適用于需要常閉器件的功率電子設(shè)備應(yīng)用。在共源共柵配置中，功率 MOSFET 置于 JFET 頂部，而且兩者被封裝在一起，以實現(xiàn)極低熱阻。

UnitedSiC 提供 SiC FET、JFET 和肖特基二極管設(shè)備等產(chǎn)品。JFET 結(jié)構(gòu)是最基本的 SiC 開關(guān)。因為它沒有柵極氧化物，并且是單極傳導(dǎo)裝置，所以可以避免一些與 MOSFET 相關(guān)的缺陷。新推出的第四代 SiC FET 的最大工作電壓為 750 V, RDS (on) 為 5.9 毫歐姆，可將各行各業(yè)的效率提升至新高度。

改進開關(guān)性能和 RDS(on)可在電動汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更強大的新應(yīng)用，如牽引驅(qū)動、車載和車外充電器以及可再生能源逆變器、功率因數(shù)校正、電信轉(zhuǎn)換器和 AC/DC 或 DC/DC 功率轉(zhuǎn)換等所有階段的功率轉(zhuǎn)換。

新機遇

結(jié)合兩家公司的豐富經(jīng)驗，Qorvo 可在汽車解決方案領(lǐng)域獲得一些優(yōu)勢。Briggs 表示：“碳化硅所實現(xiàn)的架構(gòu)使我們?yōu)檎w電源架構(gòu)創(chuàng)造的各類解決方案和控制機制能夠脫穎而出。我們的目標就是，在安全和控制方面為我們的客戶帶來附加價值，并優(yōu)化整體系統(tǒng)性能。這些將是我們在繼續(xù)合并過程中要探索的東西?！?/p>

SiC 在不斷增長，并將逐漸與 IGBT 競爭，直至完全取而代之。其快速增長確實降低了成本。Dries 表示：“我們剛剛發(fā)布了第四代器件，其芯片尺寸縮小了 30-50%，從而進一步降低了解決方案成本。當您考慮碳化硅逆變器所帶來的效率優(yōu)勢時，就更應(yīng)該把握住這一機會。我認為，在這個十年結(jié)束之時，碳化硅可能會開始占主導(dǎo)地位，尤其是在更大功率的汽車領(lǐng)域?！?/p>

Briggs 補充道：“IGBT 仍將繼續(xù)存在，它們不會輕易地被 SiC 取代，但由于其效率、性能和可靠性，碳化硅遲早會占據(jù)大部分市場份額并最終取代 IGBT?！?/p>

因此，擁有良好的供應(yīng)鏈至關(guān)重要，同時 UnitedSiC 認為，實現(xiàn)基板和外延的多樣化供應(yīng)可確保市場領(lǐng)先地位。Dries 表示：“在不同外延供應(yīng)商和基板供應(yīng)商中，我們擁有大約 5 個不同的合格供應(yīng)鏈。我們面臨激烈的競爭，而我認為這足以壓低成本?！?/p>

確保參考設(shè)計解決方案極其重要，這樣才能提供簡單的設(shè)計機會，縮短上市時間。這將促使所有那些習(xí)慣于只使用 IGBT 解決方案的設(shè)計師更快地采用 SiC。兩位行業(yè)專家均表示，參考設(shè)計是充分利用 Qorvo 現(xiàn)有工程能力的好方法。正如 Briggs 所述，提供完全集成的解決方案，而不僅僅是分立式半導(dǎo)體，是一次發(fā)展機會。

Dries 表示：“目前，我們正致力于太陽能逆變器設(shè)計，SiC 有望成為太陽能裝置和儲能系統(tǒng)的核心?！?/p>

Briggs 坦言：“我們需要研究如何才能進一步提高能效。這一切都與效率以及如何將其最大化有關(guān)，所以我們將結(jié)合自身的技術(shù)，為該市場領(lǐng)域創(chuàng)造更優(yōu)解決方案?！?/p>

SiC FET 通常用于功率轉(zhuǎn)換、電路保護和電機驅(qū)動。據(jù) UnitedSiC 的研究，所述眾多應(yīng)用的一個特點就是，柵極驅(qū)動器特性與其他器件（如 MOSFET 和 IGBT）兼容，這樣就可以輕松地將其集成到現(xiàn)有設(shè)計中。

在 Qorvo 產(chǎn)品組合中整合 UnitedSiC 解決方案將涵蓋新興市場的許多應(yīng)用，主要與能源相關(guān)。UnitedSiC 和 Qorvo 強調(diào)了繼續(xù)創(chuàng)建可擴展且增長快速的業(yè)務(wù)機會，以加快 SiC 的采用，從而提高支持電動汽車部署的動力總成解決方案的效率。

電動汽車(EV)

https://www.eetimes.com/the-state-of-electric-vehicles/

SiC

https://www.powerelectronicsnews.com/?s=SiC+

Maurizio Di Paolo Emilio

Maurizio 擁有物理學(xué)博士學(xué)位，是一名電信工程師和記者。他參與了多個引力波研究領(lǐng)域的國際項目，并與研究機構(gòu)合作設(shè)計面向航空應(yīng)用的數(shù)據(jù)采集和控制系統(tǒng)。他是施普林格出版社出版的幾本書的作者，也是許多關(guān)于電子設(shè)備設(shè)計的科學(xué)和技術(shù)出版物的作者。

原文標題：媒體采訪｜ Qorvo 收購 UnitedSiC 應(yīng)對 SiC 競爭

文章出處：【微信公眾號：Qorvo半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
審核編輯:湯梓紅